दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | कसना | सरायना | शिर | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | तमाम | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | सटरी (ओम) | सराय | सरायस | सियार | पrur-आवन-दु-ruirauthut | अँगुला | क्योरस कांवस |
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![]() | S41X043361GP | 0.0240 | ![]() | 9335 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.016 "(0.40 मिमी) | सतह rurcur | ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस | ± 200ppm/° C | 0404 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S41X043361GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 360 | तमाम | 2 | - | - | 4 | 63MW | |
![]() | S42C083164GP | 0.0813 | ![]() | 3867 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.022 "(0.55 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, | ± 200ppm/° C | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C083164GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 160k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42X083122FP | 0.0560 | ![]() | 7769 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay | ± 200ppm/° C | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42X083122FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 1.2k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42C083104GP | 0.0813 | ![]() | 2764 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.022 "(0.55 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, | ± 200ppm/° C | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C083104GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 100k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | |
![]() | S42X083132JP | 0.0412 | ![]() | 1974 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay | ± 200ppm/° C | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42X083132JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 1.3k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW |
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