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रत्नता, rayrana, (9217)

तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	कसना	सरायना	शिर	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	तमाम	सराफकस	तंग	रत्य	अफ़र	तक तक की स	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	सटरी (ओम)	सराय	सरायस	सियार	एक प्रकार का	अँगुला	क्योरस कांवस
S41C083912GP	0.0560	सराय	6939	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083912GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	9.1k	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
766163682GP	1.2910	सराय	7921	सीटीएस rayr उत	766	नली	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-163-R6.8KP	Ear99	8533.21.0010	49	6.8k	तमाम	8	-	-	16	160MW
767161392GP	1.2132	सराय	7738	सीटीएस rayr उत	767	नली	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	767-161-r3.9kp	Ear99	8533.21.0010	43	3.9K	तमाम	15	-	-	16	100MW
752181563GPTR7	1.6934	सराय	5095	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "एल x 0.080" डबthutum (13.08 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	18 कस	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	56K	तमाम	16	-	-	18	80MW
767163220GP	2.1600	सराय	304	सीटीएस rayr उत	767	नली	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	767-163-R222	Ear99	8533.21.0010	43	22	तमाम	8	-	-	16	200MW
77063333p	0.6179	सराय	5073	सीटीएस rayr उत	770	थोक	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.600 "एल x 0.098" डबthutum (15.24 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	6 सिप	± 100ppm/° C	6 सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-63-R33KP	Ear99	8533.21.0050	1,000	33k	तमाम	3	-	-	6	100MW
767161181GP	1.2132	सराय	6146	सीटीएस rayr उत	767	नली	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	767-161-R180P	Ear99	8533.21.0010	43	180	तमाम	15	-	-	16	100MW
S41X043100GP	0.0240	सराय	6429	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043100GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	10	तमाम	2	-	-	4	63MW
S41C083512JP	0.0481	सराय	6609	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083512JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	5.1k	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S41X043132FP	0.0283	सराय	1606	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043132FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	1.3k	तमाम	2	-	-	4	63MW
77081224p	0.6179	सराय	8031	सीटीएस rayr उत	770	थोक	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप	± 100ppm/° C	8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-81-R220KP	Ear99	8533.21.0050	1,000	220K	तमाम	7	-	-	8	100MW
RT242B7TR7	-	सराय	5037	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	1,000	-	-		-	-		-
S42C043910FP	0.0693	सराय	7713	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल	± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043910FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	91	तमाम	2	-	-	4	63MW
766141151GPTR13	1.1757	सराय	1496	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	3,000	150	तमाम	13	-	-	14	80MW
770101104p	0.7800	सराय	535	सीटीएस rayr उत	770	थोक	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप	± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-101-R100KP	Ear99	8533.21.0050	1,000	100k	तमाम	9	-	-	10	100MW
S42X083512GP	0.0495	सराय	3879	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083512GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	5.1k	तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C043820JP	0.0508	सराय	3141	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल	± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043820JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	82	तमाम	2	-	-	4	63MW
768141680GP	1.2132	सराय	5537	सीटीएस rayr उत	768	नली	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48	68	तमाम	13	-	-	14	100MW
S41X043123GP	0.0240	सराय	8410	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043123GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	12k	तमाम	2	-	-	4	63MW
752103102GP	1.4693	सराय	9176	सीटीएस rayr उत	752	थोक	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	10-yirटी	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250	1k	तमाम	5	-	-	10	160MW
77063223p	0.7100	सराय	31	सीटीएस rayr उत	770	थोक	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.600 "एल x 0.098" डबthutum (15.24 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	6 सिप	± 100ppm/° C	6 सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-63-R2222KP	Ear99	8533.21.0050	1,000	22k	तमाम	3	-	-	6	100MW
768141682GP	1.2132	सराय	4772	सीटीएस rayr उत	768	नली	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48	6.8k	तमाम	13	-	-	14	100MW
S42X083622GP	0.0495	सराय	3645	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083622GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	6.2k	तमाम	4	-	-	8	63MW
S42X083110JP	0.0412	सराय	8735	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083110JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	11	तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C043512GP	0.0600	सराय	8459	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल	± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043512GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	5.1k	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C083472JP	0.0680	सराय	1482	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083472JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	4.7k	तमाम	4	-	-	8	63MW
RT2800B6TR13	-	सराय	4574	सीटीएस rayr उत	-	थोक	शिर										-				60-RT2800B6TR13	शिर		1
767143334GP	1.1988	सराय	6161	सीटीएस rayr उत	767	नली	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)	± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48	330K	तमाम	7	-	-	14	200MW
752163102GPTR7	1.6161	सराय	1951	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	16-	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	1k	तमाम	8	-	-	16	160MW
S41X043164FP	0.0283	सराय	3385	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	तमाम	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043164FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	160k	तमाम	2	-	-	4	63MW