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S42C083274FP	0.0914	सराय	5639	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083274FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	270k	तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C043164JP	0.0508	सराय	8722	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल	± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043164JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	160k	तमाम	2	-	-	4	63MW
S41X083361JP	0.0226	सराय	7107	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083361JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	360	तमाम	4	-	-	8	31MW
S42X083110GP	0.0495	सराय	9305	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083110GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	11	तमाम	4	-	-	8	63MW
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S42X083224FP	0.0560	सराय	3702	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083224FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	220K	तमाम	4	-	-	8	63MW
S41X083300FP	0.0311	सराय	8889	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083300FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	30	तमाम	4	-	-	8	31MW
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S42C043682JP	0.0508	सराय	4042	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल	± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043682JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	6.8k	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C043204GP	0.0600	सराय	8617	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल	± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043204GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	200k	तमाम	2	-	-	4	63MW
S41X083913FP	0.0311	सराय	7037	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083913FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	91K	तमाम	4	-	-	8	31MW
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S42C083270JP	0.0680	सराय	9897	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083270JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	27	तमाम	4	-	-	8	63MW
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S41X043471JP	0.0198	सराय	1562	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043471JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	470	तमाम	2	-	-	4	63MW
S40X043105JP	0.0901	सराय	6817	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	0302 (0805 पचुर), अंह,	± 200ppm/° C	0302	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S40X043105JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	1 मी	तमाम	2	-	-	4	31MW
S41C083911JP	0.0481	सराय	8335	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083911JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	910	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S42C043121JP	0.0508	सराय	4777	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल	± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043121JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	120	तमाम	2	-	-	4	63MW