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तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	कसना	सरायना	शिर	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	तमाम	तमाम	सराफकस	तंग	रत्य	अफ़र	तक तक की स	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	सटरी (ओम)	सराय	सरायस	सियार	एक प्रकार का	अँगुला	क्योरस कांवस
S42C083161FP	0.0914	सराय	5989	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083161FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	160	तमाम	4	-	-	8	63MW
766141272GP	1.2910	सराय	4013	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	56	2.7k	तमाम	13	-	-	14	80MW
S42C043682GP	0.0600	सराय	8700	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043682GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	6.8k	तमाम	2	-	-	4	63MW
770101274	-	सराय	5190	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप		± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabairay	तंग	तमाम		Ear99	8533.21.0050	250	270k	तमाम	9	-	-	10	100MW
766143183GPTR13	1.1757	सराय	7668	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	3,000	18 k	तमाम	7	-	-	14	160MW
753091222GTR	-	सराय	6817	सीटीएस rayr उत	753	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.270 "एल X 0.080" PARCAUTH (6.86 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	9-		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	2.2K	तमाम	8	-	-	9	40MW
744C083513JP	-	सराय	7875	सीटीएस rayr उत	744	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.200 "एल x 0.126" डबthuthut (5.08 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२०१२, ए, क्यूटी	744C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	51K	तमाम	4	-	-	8	125MW
741C083184J	-	सराय	1562	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.020 "(0.50 मिमी)	सतह rurcur	0804, अवतल, लंबे antaute rabur	741C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	10,000	180k	तमाम	4	-	-	8	63MW
767141394GPTR13	1.1757	सराय	9691	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000	390K	तमाम	13	-	-	14	100MW
752123472GPTR7	1.4693	सराय	1580	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.665 "एल X 0.080" डबmutugh (16.89 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	12-एसआ		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	4.7k	तमाम	6	-	-	12	160MW
77081220p	0.6179	सराय	6263	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप		± 100ppm/° C	8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabairay	तंग	तमाम	770-81-R222	Ear99	8533.21.0050	1,000	22	तमाम	7	-	-	8	100MW
768143684GP	1.2132	सराय	4516	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48	680k	तमाम	7	-	-	14	200MW
746x101102J	-	सराय	3916	सीटीएस rayr उत	746	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay	746x101	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000	1k	तमाम	8	-	-	10	31MW
767161393GP	1.2132	सराय	6008	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43	39k	तमाम	15	-	-	16	100MW
742C163220JTR	-	सराय	1263	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट	742C163	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	22	तमाम	8	-	-	16	63MW
766161224GPTR7	1.2910	सराय	9849	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	800	220K	तमाम	15	-	-	16	80MW
742x0834703fp	0.0412	सराय	1900	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay	742x083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	Q566854	Ear99	8533.21.0020	5,000	470K	तमाम	4	-	-	8	63MW
S41X083110JP	0.0226	सराय	2625	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083110JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	11	तमाम	4	-	-	8	31MW
77010581/130p	-	सराय	4104	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप		± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabairay	तंग	तमाम	770-105-R81/130p	Ear99	8533.21.0050	250	81, 130	सींग	16	-	-	10	100MW
77083824	-	सराय	7494	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप		± 100ppm/° C	8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabairay	तंग	तमाम		Ear99	8533.21.0050	250	820K	तमाम	4	-	-	8	100MW
752181822GPTR13	1.3150	सराय	9215	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "एल x 0.080" डबthutum (13.08 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	18 कस		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000	8.2k	तमाम	16	-	-	18	80MW
752101153GPTR7	1.5389	सराय	7987	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	10-yirटी		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	15k	तमाम	9	-	-	10	80MW
S41X043164FP	0.0283	सराय	3385	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस		± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043164FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	160k	तमाम	2	-	-	4	63MW
768141121GP	1.2132	सराय	2220	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48	120	तमाम	13	-	-	14	100MW
768141202GPTR13	1.1899	सराय	1272	सीटीएस rayr उत	768	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000	2k	तमाम	13	-	-	14	100MW
RT2722B7TR13	-	सराय	5356	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	LVDS	0.630 "एल x 0.157" डबtumaut (16.00 मिमी x 4.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	64-एलबीजीए		± 200ppm/° C	64-((16x4)	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	140, 165	सींग	48	-	-	64	68MW
S41X043680FP	0.0283	सराय	3192	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस		± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043680FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	68	तमाम	2	-	-	4	63MW
768141224GPTR13	1.1899	सराय	4857	सीटीएस rayr उत	768	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000	220K	तमाम	13	-	-	14	100MW
RT2723B7TR13	-	सराय	2184	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	LVDS	0.315 "एल x 0.157" डबtumaut (8.00 मिमी x 4.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	32-एलबीजीए		± 200ppm/° C	32-((8x4)	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	140, 165	सींग	24	-	-	32	68MW
742C083394JTR	-	सराय	5760	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	742C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000	390K	तमाम	4	-	-	8	63MW