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तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	कसना	सरायना	तमाम	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	तमाम	तमाम	सराफकस	तंग	रत्य	अफ़सि	तक तक की स	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	सटरी (ओम)	सराय	सरायस	सियार	एक प्रकार का	अँगुला	क्योरस कांवस
RT2432B7TR13	-	सराय	5590	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	सींग	0.354 "एल एल lect e.118" डबthaun यू (9.00 मिमी x 3.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	27-LBGA		± 200ppm/° C	27-((9x3)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	120	सींग	18	-	-	27	५० तंग
767161222GPTR13	1.1899	सराय	6771	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000	2.2K	तमाम	15	-	-	16	100MW
766143122GP	1.2910	सराय	1151	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	766-143-R1.2KP	Ear99	8533.21.0010	56	1.2k	तमाम	7	-	-	14	160MW
741x083620JP	0.0123	सराय	2429	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	741x083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	10,000	62	तमाम	4	-	-	8	63MW
752243450GPTR7	1.6161	सराय	2230	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.665 "एल X 0.080" डबmutugh (16.89 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	२४-		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	45	तमाम	12	-	-	24	160MW
RT1205B	-	सराय	2321	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	थोक	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	कॉमmuntumage pci®	0.630 "एल x 0.157" डबtumaut (16.00 मिमी x 4.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	64-एलबीजीए		± 200ppm/° C	64-((16x4)	-	रोहस	1 (असीमित)			शिर	0000.00.0000	1	50	सींग	32	-	-	64	५० तंग
RT2415B6TR13	-	सराय	2926	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	PCI, PCIX	0.400 "एल X 0.150" डबthuthut (10.16 मिमी x 3.81 मिमी)	0.058 "(1.47 मिमी)	सतह rurcur	24-एलबीजीए		± 200ppm/° C	24-((10.16x3.81)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	4,000	4.7k	सींग	8	-	-	24	५० तंग
S42C043152FP	0.0693	सराय	3218	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043152FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	1.5k	तमाम	2	-	-	4	63MW
RT2729B7	-	सराय	5002	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	थोक	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	LVDS, LVPECL	0.315 "एल x 0.157" डबtumaut (8.00 मिमी x 4.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	32-एलबीजीए		± 200ppm/° C	32-((8x4)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	1	70, 240	सींग	24	-	-	32	68MW
RT1402B6TR13	-	सराय	8965	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	सींग	0.450 "एल X 0.150" डबthuthut (11.43 मिमी x 3.81 मिमी)	0.058 "(1.47 मिमी)	सतह rurcur	27-LBGA		± 200ppm/° C	27-((11.43x3.81)	-		1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	50	सींग	18	-	-	27	५० तंग
742C083223JP	0.2700	सराय	19	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	742C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000	22k	तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C043394GP	0.0600	सराय	2870	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043394GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	390K	तमाम	2	-	-	4	63MW
766143154GPTR7	1.2910	सराय	2796	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	800	150k	तमाम	7	-	-	14	160MW
S42C043914JP	0.0508	सराय	5468	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043914JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	910k	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C083390JP	0.0680	सराय	3285	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083390JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	39	तमाम	4	-	-	8	63MW
RT2472B7	-	सराय	3552	सीटीएस rayr उत	-	थोक	शिर	-	-	-	-	-	-	-		-	-	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	1	-	-		-	-		-
766161474GPTR7	1.2910	सराय	7348	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	800	470K	तमाम	15	-	-	16	80MW
744C083124JP	-	सराय	9303	सीटीएस rayr उत	744	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.200 "एल x 0.126" डबthuthut (5.08 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२०१२, ए, क्यूटी	744C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	744C083124JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	120k	तमाम	4	-	-	8	125MW
766163151GPTR13	1.1757	सराय	4701	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	3,000	150	तमाम	8	-	-	16	160MW
S42C083183JP	0.0680	सराय	5111	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,		± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083183JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	18 k	तमाम	4	-	-	8	63MW
752091102JP	-	सराय	3311	सीटीएस rayr उत	-	थोक	शिर											तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)		60-752091102JP	Ear99	8533.21.0020	250
742C083683JP	0.2800	सराय	24	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	742C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000	68k	तमाम	4	-	-	8	63MW
RT2463B7TR7	-	सराय	1479	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	सींग	0.354 "एल एल lectus 0.157" डबchauth, (9.00 मिमी x 4.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	36-एलबीजीए		± 200ppm/° C	36-((9x4)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम	Q3732818	Ear99	8533.21.0020	1,000	33	सींग	18	-	-	36	५० तंग
768141151GPTR13	1.1899	सराय	1174	सीटीएस rayr उत	768	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000	150	तमाम	13	-	-	14	100MW
752083681GPTR7	1.4693	सराय	3886	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	8-एसआ		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	680	तमाम	4	-	-	8	160MW
S41C083224JP	0.0481	सराय	1929	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083224JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	220K	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
766141202GPTR13	1.1757	सराय	3094	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	3,000	2k	तमाम	13	-	-	14	80MW
S41X083560GP	0.0269	सराय	4370	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083560GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	56	तमाम	4	-	-	8	31MW
767161154GPTR13	1.1899	सराय	6110	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000	150k	तमाम	15	-	-	16	100MW
S42C163274GP	0.1813	सराय	9250	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट		± 200ppm/° C	2506	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163274GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	270k	तमाम	8	-	-	16	63MW