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रत्नता, rayrana, (9217)

तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	कसना	सरायना	तमाम	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	तमाम	तमाम	सराफकस	तंग	रत्य	अफ़सि	तक तक की स	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	सटरी (ओम)	सराय	सरायस	सियार	एक प्रकार का	अँगुला	क्योरस कांवस
752101223GP	1.5389	सराय	4783	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	10-yirटी		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250	22k	तमाम	9	-	-	10	80MW
768141333G	-	सराय	9176	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	768-141-R33K	Ear99	8533.21.0010	48	33k	तमाम	13	-	-	14	100MW
RT2721B6	-	सराय	1332	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	थोक	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	LVDS, LVPECL	0.400 "एल X 0.200" lemuthum (10.16 मिमी x 5.08 मिमी मिमी)	0.058 "(1.47 मिमी)	सतह rurcur	32-एलबीजीए		± 200ppm/° C	32-((10.16x5.08)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	1	100, 187	सींग	24	-	-	32	68MW
752123103GTR7	-	सराय	8292	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.665 "एल X 0.080" डबmutugh (16.89 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	12-एसआ		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	10k	तमाम	6	-	-	12	160MW
753181223GB	-	सराय	6317	सीटीएस rayr उत	753	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.270 "एल X 0.080" PARCAUTH (6.86 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	18 कस		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	500	22k	तमाम	16	-	-	18	40MW
768143223G	-	सराय	6823	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	768-143-R22K	Ear99	8533.21.0010	48	22k	तमाम	7	-	-	14	200MW
RT2451B6	-	सराय	4147	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	थोक	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	GTL, GTL+, AGTL+	0.300 "एल X 0.150" lemuthum (7.62 मिमी x 3.81 मिमी)	0.058 "(1.47 मिमी)	सतह rurcur	18-एलबीजीए		± 100ppm/° C	18-((7.62x3.81)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	1	25	सींग	16	-	-	18	५० तंग
77061274p	0.6488	सराय	4264	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.600 "एल x 0.098" डबthutum (15.24 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	6 सिप		± 100ppm/° C	6 सिप	तंग	Rohs3 आजthabairay	तंग	तमाम	770-61-R270KP	Ear99	8533.21.0050	1,000	270k	तमाम	5	-	-	6	100MW
742C043105JTR	-	सराय	4671	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल	742C043	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000	1 मी	तमाम	2	-	-	4	63MW
S41C083392JP	0.0481	सराय	6350	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083392JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	3.9K	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
77061121p	0.6488	सराय	9140	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.600 "एल x 0.098" डबthutum (15.24 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	6 सिप		± 100ppm/° C	6 सिप	तंग	Rohs3 आजthabairay	तंग	तमाम	770-61-R120p	Ear99	8533.21.0050	1,000	120	तमाम	5	-	-	6	100MW
752091473GPTR13	1.2166	सराय	3922	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "एल x 0.080" डबthutum (13.08 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	9-		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000	47K	तमाम	8	-	-	9	80MW
741C083333J	-	सराय	4948	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.020 "(0.50 मिमी)	सतह rurcur	0804, अवतल, लंबे antaute rabur	741C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	10,000	33k	तमाम	4	-	-	8	63MW
742x0831002fp	0.0412	सराय	8668	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay	742x083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000	10k	तमाम	4	-	-	8	63MW
767143180GP	1.1988	सराय	3269	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48	18	तमाम	7	-	-	14	200MW
742C083682JP	0.0282	सराय	5456	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	742C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000	6.8k	तमाम	4	-	-	8	63MW
767161822JPTR13	-	सराय	3874	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000	8.2k	तमाम	15	-	-	16	100MW
745C101513J	-	सराय	2013	सीटीएस rayr उत	745	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल X 0.126" डबmutugh (6.40 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२५१२ (६४३२ सटरी), ए, ए, एनी,	745C101	± 250ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	Q1232044	Ear99	8533.21.0020	4,000	51K	तमाम	8	-	-	10	63MW
742C083820JP	0.2700	सराय	860	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	742C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000	82	तमाम	4	-	-	8	63MW
766163331G	-	सराय	5578	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	49	330	तमाम	8	-	-	16	160MW
742C083123JTR	-	सराय	3870	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	742C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000	12k	तमाम	4	-	-	8	63MW
77083220	-	सराय	4927	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप		± 100ppm/° C	8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabairay	तंग	तमाम		Ear99	8533.21.0050	250	22	तमाम	4	-	-	8	100MW
752163101GPTR13	1.3100	सराय	6164	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	16-		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000	100	तमाम	8	-	-	16	160MW
752083222GTR7	-	सराय	9361	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	8-एसआ		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	2.2K	तमाम	4	-	-	8	160MW
741x1633300fp	0.1102	सराय	9526	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.156 "एल X 0.063" डबmuthut (3.95 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१५०६, क्यूट्यू, ए सिट्र	741x163	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000	330	तमाम	8	-	-	16	63MW
S41C083124GP	0.0560	सराय	4395	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083124GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	120k	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
741x04322222JP	0.0123	सराय	2199	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	741x043	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	10,000	2.2K	तमाम	2	-	-	4	63MW
741C083560J	-	सराय	5407	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.020 "(0.50 मिमी)	सतह rurcur	0804, अवतल, लंबे antaute rabur	741C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	10,000	56	तमाम	4	-	-	8	63MW
752083332GTR7	-	सराय	6068	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	8-एसआ		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabairay	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	3.3k	तमाम	4	-	-	8	160MW
RT1416B6TR13	-	सराय	3114	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	PCI, PCIX	0.200 "एल X 0.150" PALUTHUNTH (5.08 मिमी x 3.81 मिमी)	0.058 "(1.47 मिमी)	सतह rurcur	12-एलबीजीए		± 200ppm/° C	12-((5.0x3.8)	-		1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	8.2k	सींग	8	-	-	12	५० तंग