आरएफक्यू
बीओएम
हमसे संपर्क करें

दूरभाष: +86-0755-83501315

ईमेल:sales@sic-components.com

दाखिल करना

हिंदी

रत्नता, rayrana, (9217)

तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	कसना	सरायना	शिर	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	तमाम	तमाम	सराफकस	तंग	रत्य	अफ़र	तक तक की स	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	सटरी (ओम)	सराय	सरायस	सियार	एक प्रकार का	अँगुला	क्योरस कांवस
752125182APTR7	1.6251	सराय	8139	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.665 "एल X 0.080" डबmutugh (16.89 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	12-एसआ		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	3.3k, 3.9k	सींग	20	-	-	12	80MW
768203105GPTR13	1.2041	सराय	7484	सीटीएस rayr उत	768	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.540 "एल X 0.220" lemuthum (13.70 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	20-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000	1 मी	तमाम	10	-	-	20	200MW
77085162/260p	-	सराय	8957	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	छेद के kaytaumauth से	8-सिप		± 100ppm/° C	8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-85-R162/260p	Ear99	8533.21.0050	250	162, 260	सींग	12	-	-	8	100MW
768143683GP	1.2132	सराय	6247	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48	68k	तमाम	7	-	-	14	200MW
744C083124JP	-	सराय	9303	सीटीएस rayr उत	744	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.200 "एल x 0.126" डबthuthut (5.08 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२०१२, ए, क्यूटी	744C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	744C083124JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	120k	तमाम	4	-	-	8	125MW
770103270p	0.6528	सराय	6612	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	छेद के kaytaumauth से	10-सिप		± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-103-R27P	Ear99	8533.21.0050	1,000	27	तमाम	5	-	-	10	100MW
767141103GPTR13	1.1757	सराय	5919	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000	10k	तमाम	13	-	-	14	100MW
744C083681JP	-	सराय	1721	सीटीएस rayr उत	744	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.200 "एल x 0.126" डबthuthut (5.08 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२०१२, ए, क्यूटी	744C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	680	तमाम	4	-	-	8	125MW
770101394p	0.6762	सराय	1129	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	छेद के kaytaumauth से	10-सिप		± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-101-R390KP	Ear99	8533.21.0050	1,000	390K	तमाम	9	-	-	10	100MW
S41X043430FP	0.0283	सराय	6251	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस		± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043430FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	43	तमाम	2	-	-	4	63MW
742C083680JTR	-	सराय	8751	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	742C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000	68	तमाम	4	-	-	8	63MW
RT2454B6TR13	-	सराय	3887	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	GTL, GTL+, AGTL+	0.300 "एल X 0.150" lemuthum (7.62 मिमी x 3.81 मिमी)	0.058 "(1.47 मिमी)	सतह rurcur	18-एलबीजीए		± 100ppm/° C	18-((7.62x3.81)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	4,000	56	सींग	16	-	-	18	५० तंग
770105330/470p	-	सराय	3970	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	छेद के kaytaumauth से	10-सिप		± 100ppm/° C	10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम		Ear99	8533.21.0050	250	330, 470	सींग	16	-	-	10	100MW
766163203GPTR13	1.1757	सराय	8833	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	3,000	20k	तमाम	8	-	-	16	160MW
752163102GP	1.6161	सराय	7495	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	16-		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250	1k	तमाम	8	-	-	16	160MW
S41X083681GP	0.0269	सराय	2857	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083681GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	680	तमाम	4	-	-	8	31MW
752161151JPTR7	-	सराय	3968	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	16-		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	150	तमाम	14	-	-	16	80MW
768141823GP	1.2132	सराय	4564	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48	82K	तमाम	13	-	-	14	100MW
S41X083910JP	0.0226	सराय	8260	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083910JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	91	तमाम	4	-	-	8	31MW
742C083473JP	0.2400	सराय	12	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	742C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000	47K	तमाम	4	-	-	8	63MW
752163470GPTR7A	1.6161	सराय	3806	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	16-		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000	47	तमाम	8	-	-	16	160MW
S41X043242JP	0.0198	सराय	7163	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस		± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043242JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	2.4k	तमाम	2	-	-	4	63MW
741C083393JP	0.0184	सराय	9715	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.020 "(0.50 मिमी)	सतह rurcur	0804, अवतल, लंबे antaute rabur	741C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	10,000	39k	तमाम	4	-	-	8	63MW
742C0834702FP	0.0487	सराय	9647	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	742C083	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000	47K	तमाम	4	-	-	8	63MW
766161393GPTR7	1.2910	सराय	3464	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	800	39k	तमाम	15	-	-	16	80MW
768163332G	-	सराय	2820	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	768-163-R3.3K	Ear99	8533.21.0010	43	3.3k	तमाम	8	-	-	16	200MW
768143103GPTR13	1.1899	सराय	5577	सीटीएस rayr उत	768	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000	10k	तमाम	7	-	-	14	200MW
742C163472JP	0.4900	सराय	247	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट	742C163	± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000	4.7k	तमाम	8	-	-	16	63MW
766163272GP	2.8600	सराय	1	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)		± 100ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	49	2.7k	तमाम	8	-	-	16	160MW
752201473GP	1.6934	सराय	1691	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	२०-		± 200ppm/° C	-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250	47K	तमाम	18	-	-	20	80MW