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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम संघटन
KTR25JZPF2203 Rohm Semiconductor KTR25JZPF2203 0.3800
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 ECAD 28 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 220 किलो ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF2400 Rohm Semiconductor KTR25JZPF2400 0.3800
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 ECAD 6351 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 240 ओम ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF2700 Rohm Semiconductor KTR25JZPF2700 0.3800
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 ECAD 27 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 270 ओम ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF2703 Rohm Semiconductor KTR25JZPF2703 0.3800
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 ECAD 142 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 270 किलो ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF3300 Rohm Semiconductor KTR25JZPF3300 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 330 ओम ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF3601 Rohm Semiconductor KTR25JZPF3601 0.3800
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 ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 ३.६ ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF3902 Rohm Semiconductor KTR25JZPF3902 0.3800
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 ECAD 4413 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 ३ ९ ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF3R30 Rohm Semiconductor KTR25JZPF3R30 0.3800
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 ECAD 605 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 3.3 ओम ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF4304 Rohm Semiconductor KTR25JZPF4304 0.3800
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 ECAD 5 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 ४.३ मोहम ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF4701 Rohm Semiconductor KTR25JZPF4701 0.3800
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 ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 ४.7 ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF4704 Rohm Semiconductor KTR25JZPF4704 0.3800
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 ECAD 1 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 ४.7 ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF5100 Rohm Semiconductor KTR25JZPF5100 0.3800
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 ECAD 114 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 510 ओम ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF5603 Rohm Semiconductor KTR25JZPF5603 0.3800
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 ECAD 1 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 ५६० सन्निक ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF6200 Rohm Semiconductor KTR25JZPF6200 0.3800
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 ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 620 ओम ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF6201 Rohm Semiconductor KTR25JZPF6201 0.0668
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 ECAD 1442 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 ६.२ सिपाही ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF8203 Rohm Semiconductor KTR25JZPF8203 0.3800
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 ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 820 किलो ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF9102 Rohm Semiconductor KTR25JZPF9102 0.3800
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 ECAD 7 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 91 कांप ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPF9104 Rohm Semiconductor KTR25JZPF9104 0.3800
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 ECAD 1 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 9.1 कांपो ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR10EZPF1R00 Rohm Semiconductor LTR10EZPF1R00 0.3800
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 ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.047 "एल x 0.079" डबthutum (1.20 मिमी x 2.00 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) आपस 0805 (2012 के बारे में 2012), 0508 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 1 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR10EZPF22R0 Rohm Semiconductor LTR10EZPF22R0 0.3800
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 ECAD 11 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.047 "एल x 0.079" डबthutum (1.20 मिमी x 2.00 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) आपस 0805 (2012 के बारे में 2012), 0508 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 22 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR10EZPF7501 Rohm Semiconductor LTR10EZPF7501 0.3800
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 ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.047 "एल x 0.079" डबthutum (1.20 मिमी x 2.00 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) आपस 0805 (2012 के बारे में 2012), 0508 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 7.5 किलो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPF1002 Rohm Semiconductor LTR18EZPF1002 0.2400
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 ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 10 कांपो ± 100ppm/° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPF1003 Rohm Semiconductor LTR18EZPF1003 0.2400
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 ECAD 750 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 100 कांप ± 100ppm/° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPF1102 Rohm Semiconductor LTR18EZPF1102 0.2400
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 ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 11 ± 100ppm/° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPF1331 Rohm Semiconductor LTR18EZPF1331 0.0286
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 ECAD 2105 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 1.33 कोहम ± 100ppm/° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPF1R80 Rohm Semiconductor LTR18EZPF1R80 0.2400
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 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 1.8 ओम ± 100ppm/° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPF2001 Rohm Semiconductor LTR18EZPF2001 0.2400
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 ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 2 कोहम ± 100ppm/° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPF2201 Rohm Semiconductor LTR18EZPF2201 0.2400
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 ECAD 30 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग २.२ किलो ± 100ppm/° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPF3302 Rohm Semiconductor LTR18EZPF3302 0.2400
सराय
 ECAD 14 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ३३ सन्निक ± 100ppm/° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPF61R9 Rohm Semiconductor LTR18EZPF61R9 0.2400
सराय
 ECAD 525 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 61.9 ओम ± 100ppm/° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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