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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम संघटन
MCR03EZPJ824 Rohm Semiconductor MCR03EZPJ824 -
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 ECAD 5444 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) सियार एईसी-क्यू 200 820 किलो ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03EZPJ911 Rohm Semiconductor MCR03EZPJ911 -
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 ECAD 9173 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) सियार एईसी-क्यू 200 910 ओम ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03EZPJ910 Rohm Semiconductor MCR03EZPJ910 -
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 ECAD 8165 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) सियार एईसी-क्यू 200 91 ओम ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1052 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1052 -
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 ECAD 8420 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 10.5 कोहम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1072 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1072 -
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 ECAD 7666 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 10.7 इक्लू ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF10R5 Rohm Semiconductor MCR10EZHF10R5 -
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 ECAD 6549 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 10.5 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1101 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1101 -
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 ECAD 9307 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - १.१ सन्निक ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1210 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1210 -
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 ECAD 4836 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 121 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1212 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1212 -
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 ECAD 2412 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 12.1 किलो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1270 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1270 -
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 ECAD 8506 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 127 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1271 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1271 -
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 ECAD 7576 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 1.27 किलो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1300 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1300 -
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 ECAD 9715 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 130 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1331 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1331 -
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 ECAD 8056 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 1.33 कोहम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1332 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1332 -
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 ECAD 5523 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 13.3 किलो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1371 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1371 -
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 ECAD 6394 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 1.37 किलो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1373 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1373 -
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 ECAD 1622 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 137 इकम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF13R3 Rohm Semiconductor MCR10EZHF13R3 -
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 ECAD 7617 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 13.3 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1400 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1400 -
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 ECAD 5379 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 140 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1404 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1404 -
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 ECAD 3972 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - १.४ सिपाही ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1474 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1474 -
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 ECAD 9530 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 1.47 इलपो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF14R3 Rohm Semiconductor MCR10EZHF14R3 -
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 ECAD 1362 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 14.3 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1542 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1542 -
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 ECAD 6687 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - १५.४ किलो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1581 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1581 -
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 ECAD 8099 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 1.58 किलो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF15R8 Rohm Semiconductor MCR10EZHF15R8 -
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 ECAD 8911 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 15.8 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1600 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1600 -
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 ECAD 1812 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 160 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1620 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1620 -
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 ECAD 6182 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 162 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1623 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1623 -
सराय
 ECAD 1212 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 162 किलो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1651 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1651 -
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 ECAD 3623 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 1.65 कोहम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1693 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1693 -
सराय
 ECAD 9807 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - १६ ९ ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF17R4 Rohm Semiconductor MCR10EZHF17R4 -
सराय
 ECAD 4058 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 17.4 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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