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सराय

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम संघटन
LTR18EZPF6R80 Rohm Semiconductor LTR18EZPF6R80 0.2400
सराय
 ECAD 17 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 6.8 ओम ± 100ppm/° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPF9100 Rohm Semiconductor LTR18EZPF9100 0.2400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 910 ओम ± 100ppm/° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPFLR200 Rohm Semiconductor LTR18EZPFLR200 0.6500
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 ECAD 39 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 सींत एईसी-क्यू 200 २०० 0/ +150ppm/ ° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR50UZPF1503 Rohm Semiconductor LTR50UZPF1503 0.6800
सराय
 ECAD 3598 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) अफ़सि ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग १५० किलो ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR50UZPF20R0 Rohm Semiconductor LTR50UZPF20R0 0.6800
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 ECAD 762 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) अफ़सि ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 20 ओम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR50UZPF24R0 Rohm Semiconductor LTR50UZPF24R0 0.6800
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 ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) अफ़सि ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 24 ओम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR50UZPF4300 Rohm Semiconductor LTR50UZPF4300 0.6800
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 ECAD 42 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) अफ़सि ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 430 ओम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR50UZPF6201 Rohm Semiconductor LTR50UZPF6201 0.1353
सराय
 ECAD 6316 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) अफ़सि ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ६.२ सिपाही ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR50UZPF82R0 Rohm Semiconductor LTR50UZPF82R0 0.6800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) अफ़सि ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 82 ओम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR50UZPF9R10 Rohm Semiconductor LTR50UZPF9R10 0.6800
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 ECAD 241 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) अफ़सि ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 9.1 ओम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
PMR25HZPJV2L00 Rohm Semiconductor PMR25HZPJV2L00 -
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 ECAD 1026 0.00000000 रोटी तमाम R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.019 "(0.47 मिमी) 1210 (3225 कनर) सींत एईसी-क्यू 200 2 मोहम ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 2,000 1 तंग 2 तंग
TRR01MZPF1072 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1072 -
सराय
 ECAD 8870 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 10.7 इक्लू ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF1103 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1103 0.1400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 110 ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF1202 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1202 0.1400
सराय
 ECAD 200 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल १२ सन्निक ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF1301 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1301 0.1400
सराय
 ECAD 20 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल १.३ सटेन ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF1332 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1332 0.1400
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 ECAD 4 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 13.3 किलो ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF1401 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1401 0.1400
सराय
 ECAD 24 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल १.४ सिपाही ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF1431 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1431 0.1400
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 ECAD 100 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 1.43 कोहम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF1432 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1432 0.1400
सराय
 ECAD 13 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 14.3 किलो ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF1500 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1500 0.1400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 150 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF1602 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1602 -
सराय
 ECAD 2740 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 16 ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF1690 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1690 0.1400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 169 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF1741 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1741 -
सराय
 ECAD 2777 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 1.74 किलो ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF1783 Rohm Semiconductor TRR01MZPF1783 0.1400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 178 इकम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF2203 Rohm Semiconductor TRR01MZPF2203 -
सराय
 ECAD 3134 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 220 किलो ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF2322 Rohm Semiconductor TRR01MZPF2322 0.1400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल २३.२ किलो ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF2402 Rohm Semiconductor TRR01MZPF2402 0.1400
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल २ कोहम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF2491 Rohm Semiconductor TRR01MZPF2491 0.1400
सराय
 ECAD 524 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल २.४ ९ किलो ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF3322 Rohm Semiconductor TRR01MZPF3322 0.1400
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 33.2 कोहम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR01MZPF4020 Rohm Semiconductor TRR01MZPF4020 0.1400
सराय
 ECAD 23 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल 402 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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