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सराय

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम संघटन
SFR03EZPJ1R0 Rohm Semiconductor SFR03EZPJ1R0 0.1000
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 ECAD 7 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) Rayr सल 1 ओम ± 400ppm/° C 0603 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR100LJZPFSR091 Rohm Semiconductor LTR100LJZPFSR091 1.3400
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 ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -65 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.122 "एल x 0.252" डबthutugh (3.10 मिमी x 6.40 मिमी) 0.029 "(0.73 मिमी) Vayaute 2512 (6432 PARCURिक), 1225 सींत एईसी-क्यू 200 91 कांप 0/ +150ppm/ ° C - 1225 तंग 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR50UZPF4R30 Rohm Semiconductor LTR50UZPF4R30 0.6800
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 ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) अफ़सि ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 4.3 ओम ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPFLR220 Rohm Semiconductor LTR18EZPFLR220 0.6500
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 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.027 "(0.68 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 सींत एईसी-क्यू 200 220 किलो 0/ +150ppm/ ° C - 0612 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR10EZPF30R9 Rohm Semiconductor ESR10EZPF30R9 0.2000
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 ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 30.9 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.4W, 2/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR10EZPF3R30 Rohm Semiconductor ESR10EZPF3R30 0.2000
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 ECAD 460 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 3.3 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.4W, 2/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR10EZPF5R62 Rohm Semiconductor ESR10EZPF5R62 0.2000
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 ECAD 5 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 5.62 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.4W, 2/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR100LJZPFSR036 Rohm Semiconductor LTR100LJZPFSR036 1.3400
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 ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -65 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.122 "एल x 0.252" डबthutugh (3.10 मिमी x 6.40 मिमी) 0.029 "(0.73 मिमी) Vayaute 2512 (6432 PARCURिक), 1225 सींत एईसी-क्यू 200 36 0/ +200ppm/ ° C - 1225 तंग 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR100LJZPFSR016 Rohm Semiconductor LTR100LJZPFSR016 1.3400
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 ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -65 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.122 "एल x 0.252" डबthutugh (3.10 मिमी x 6.40 मिमी) 0.029 "(0.73 मिमी) Vayaute 2512 (6432 PARCURिक), 1225 सींत एईसी-क्यू 200 16 0/ +300ppm/ ° C - 1225 तंग 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF1911 Rohm Semiconductor SFR01MZPF1911 0.0146
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 ECAD 1320 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 1.91 किलो ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR01MZPF1911TR Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF6652 Rohm Semiconductor SFR01MZPF6652 0.0146
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 ECAD 3570 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 66.5 किलो ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR01MZPF6652TR Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF4322 Rohm Semiconductor SFR01MZPF4322 0.0146
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 ECAD 9064 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- ४३.२ कोहम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR01MZPF4322TR Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF5230 Rohm Semiconductor SFR01MZPF5230 0.0146
सराय
 ECAD 2831 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 523 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR01MZPF5230TR Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR03EZPF6191 Rohm Semiconductor SFR03EZPF6191 0.0162
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 ECAD 1671 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 6.19 कोहम ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR03EZPF6191TR Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPJ202 Rohm Semiconductor SFR01MZPJ202 0.1000
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 ECAD 10 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 2 कोहम ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR10EZPF21R5 Rohm Semiconductor SFR10EZPF21R5 0.0207
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 ECAD 6981 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 21.5 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR10EZPF21R5TR Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR03EZPF7502 Rohm Semiconductor SFR03EZPF7502 0.0162
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 ECAD 3737 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 75 किलो ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR03EZPF7502TR Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR03EZPF22R0 Rohm Semiconductor SFR03EZPF22R0 0.1300
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 ECAD 5 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 22 ओम ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF2210 Rohm Semiconductor SFR01MZPF2210 0.0146
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 ECAD 8097 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 221 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR01MZPF2210TR Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR18EZPF56R0 Rohm Semiconductor SFR18EZPF56R0 0.0318
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 ECAD 1783 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 56 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR18EZPF56R0TR Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR03EZPF3602 Rohm Semiconductor SFR03EZPF3602 0.0162
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 ECAD 8784 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 36 ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR03EZPF3602TR Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF8201 Rohm Semiconductor SFR01MZPF8201 0.1300
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 ECAD 10 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 8.2 कोहम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF6490 Rohm Semiconductor SFR01MZPF6490 0.0146
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 ECAD 8997 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 649 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR01MZPF6490TR Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR10EZPF1473 Rohm Semiconductor SFR10EZPF1473 0.0207
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 ECAD 7792 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 147 इकम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR10EZPF1473TR Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF4300 Rohm Semiconductor SFR01MZPF4300 0.0146
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 ECAD 3576 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 430 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR01MZPF4300TR Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR03EZPF1910 Rohm Semiconductor SFR03EZPF1910 0.0162
सराय
 ECAD 2886 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 191 ओम ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR03EZPF1910TR Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR03EZPF2210 Rohm Semiconductor SFR03EZPF2210 0.0162
सराय
 ECAD 8526 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 221 ओम ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR03EZPF2210TR Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF3482 Rohm Semiconductor SFR01MZPF3482 0.0146
सराय
 ECAD 3694 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 34.8 किलो ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR01MZPF3482TR Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF2261 Rohm Semiconductor SFR01MZPF2261 0.0146
सराय
 ECAD 6815 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- २.२६ सिन्ट ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR01MZPF2261TR Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF82R0 Rohm Semiconductor SFR01MZPF82R0 0.0146
सराय
 ECAD 9063 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 82 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-SFR01MZPF82R0TR Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

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