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सराय

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम संघटन
SFR01MZPJ364 Rohm Semiconductor SFR01MZPJ364 0.1000
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 ECAD 10 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 360 कोहम ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR03EZPJ474 Rohm Semiconductor SFR03EZPJ474 0.1000
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 470 कोहम ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR03EZPJ240 Rohm Semiconductor SDR03EZPJ240 0.1000
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 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 24 ओम ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR01MZPF6200 Rohm Semiconductor ESR01MZPF6200 0.3500
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 ECAD 8 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 620 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.2W, 1/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPJ433 Rohm Semiconductor SFR01MZPJ433 0.1000
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 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- ४३ सन्न ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR18EZPJ203 Rohm Semiconductor SFR18EZPJ203 0.1700
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 ECAD 7 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- २ re ± 200ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR03EZPJ132 Rohm Semiconductor SFR03EZPJ132 0.1000
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 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- १.३ सटेन ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR10EZPF62R0 Rohm Semiconductor SDR10EZPF62R0 0.2900
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 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 62 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPJ101 Rohm Semiconductor SFR01MZPJ101 0.1000
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 ECAD 5 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 100 ओम ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR03EZPD1131 Rohm Semiconductor SDR03EZPD1131 0.2400
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 ECAD 10 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 1.13 कोहम ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR18EZPJ511 Rohm Semiconductor SFR18EZPJ511 0.1700
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 510 ओम ± 200ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR01MZPJ124 Rohm Semiconductor ESR01MZPJ124 0.2800
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 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग १२० सिपाही ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.2W, 1/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR01MZPJ333 Rohm Semiconductor ESR01MZPJ33333 0.2800
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ३३ सन्निक ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.2W, 1/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPJ122 Rohm Semiconductor SFR01MZPJ122 0.1000
सराय
 ECAD 10 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- १.२ सिपाही ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR01MZPF5600 Rohm Semiconductor ESR01MZPF5600 0.3500
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 ECAD 7 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 560 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.2W, 1/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR03EZPJ360 Rohm Semiconductor SDR03EZPJ360 0.1000
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 36 ओम ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR10EZPJ271 Rohm Semiconductor SDR10EZPJ271 0.2200
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 270 ओम ± 200ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR10EZPF1500 Rohm Semiconductor SFR10EZPF1500 0.1700
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 150 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR01MZPJ620 Rohm Semiconductor ESR01MZPJ620 0.2800
सराय
 ECAD 29 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 62 ओम ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.2W, 1/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR03EZPD2202 Rohm Semiconductor SDR03EZPD2202 0.2400
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग २२ सिपाही ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR18EZPJ271 Rohm Semiconductor SFR18EZPJ271 0.1700
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 270 ओम ± 200ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 511-SFR18EZPJ271CT Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR10EZPJ103 Rohm Semiconductor SDR10EZPJ103 0.2200
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 10 कांपो ± 200ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR10EZPD3001 Rohm Semiconductor SDR10EZPD3001 0.3700
सराय
 ECAD 14 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ३ कोहम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR18EZPF1204 Rohm Semiconductor SFR18EZPF1204 0.2600
सराय
 ECAD 10 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- १.२ सिपाही ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR03EZPJ752 Rohm Semiconductor SDR03EZPJ752 0.1000
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 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 7.5 किलो ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR03EZPD6982 Rohm Semiconductor SDR03EZPD6982 0.2400
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 69.8 किलो ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR03EZPF6R80 Rohm Semiconductor SDR03EZPF6R80 0.1600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 6.8 ओम ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 511-SDR03EZPF6R80TR Ear99 8533.21.0030 5,000 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR03EZPD4020 Rohm Semiconductor SDR03EZPD4020 0.2400
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 402 ओम ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR01MZPJ272 Rohm Semiconductor ESR01MZPJ272 0.2800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग २. कोहम ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.2W, 1/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR01MZPF27R0 Rohm Semiconductor ESR01MZPF27R0 0.3500
सराय
 ECAD 19 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 27 ओम ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.2W, 1/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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