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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम संघटन
KTR18EZPF1403 Rohm Semiconductor KTR18EZPF1403 0.2500
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 ECAD 7 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 १४० किलो ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18ERTF6493 Rohm Semiconductor MCR18ERTF6493 -
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 ECAD 6609 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.120 "एल x 0.061" डबthutum (3.05 मिमी x 1.55 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - ६४ ९ ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR10EZPJ115 Rohm Semiconductor ESR10EZPJ115 0.1300
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 ECAD 8 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग १.१ सन्निक ± 200ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.4W, 2/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18EZHFLR150 Rohm Semiconductor MCR18EZHFLR150 -
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 ECAD 6711 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 १५० किलो ± 250ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR18EZPF6800 Rohm Semiconductor ESR18EZPF6800 0.0207
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 ECAD 3165 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 680 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18ERTFL4R70 Rohm Semiconductor MCR18ERTFL4R70 -
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 ECAD 1016 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.120 "एल x 0.061" डबthutum (3.05 मिमी x 1.55 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 4.7 ओम ± 250ppm/° C - 1206 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHF1964 Rohm Semiconductor MCR10EZHF1964 -
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 ECAD 6325 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 1.96 किलो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR18EZPF2872 Rohm Semiconductor ESR18EZPF2872 0.0207
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 ECAD 3322 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 28.7 इलपो ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF56R0 Rohm Semiconductor MCR006YZPF56R00 -
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 ECAD 8823 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 56 ओम ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR01MZPJ202 Rohm Semiconductor ESR01MZPJ202 0.2800
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 ECAD 9 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 2 कोहम ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 511-ESR01MZPJ202TR Ear99 8533.21.0030 10,000 0.2W, 1/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR100JZPF4300 Rohm Semiconductor LTR100JZPF4300 0.7000
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 ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.252" डबthutum (3.20 मिमी x 6.40 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) Vayaute 2512 (6432 PARCURिक), 1225 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 430 ओम ± 100ppm/° C - 1225 तंग 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 4,000 २ तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10ERTF4420 Rohm Semiconductor MCR10ERTF4420 -
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 ECAD 5609 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 442 ओम ± 100ppm/° C - 0805 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR03EZPJ4R7 Rohm Semiconductor SDR03EZPJ4R7 0.1000
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 ECAD 85 0.00000000 रोटी SDR03 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) पलth -ya kayda 4.7 ओम ± 200ppm/° C 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18ERTF5492 Rohm Semiconductor MCR18ERTF5492 0.1000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.120 "एल x 0.061" डबthutum (3.05 मिमी x 1.55 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - ५४. ९ किलो ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR18EZPF5104 Rohm Semiconductor KTR18EZPF5104 0.2500
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 ECAD 23 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 ५.१ मोहम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZPF78R7 Rohm Semiconductor MCR10EZPF78R7 -
सराय
 ECAD 7746 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 78.7 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZPF1652 Rohm Semiconductor MCR10EZPF1652 -
सराय
 ECAD 6111 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 16.5 किलो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR100JZHF7150 Rohm Semiconductor MCR100JZHF7150 -
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 ECAD 1590 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 715 ओम ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10ERTF27R4 Rohm Semiconductor MCR10ERTF27R4 0.1000
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 ECAD 8 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 27.4 ओम ± 100ppm/° C - 0805 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
GMR100HTBFQR047 Rohm Semiconductor GMR100HTBFQR047 1.5300
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 ECAD 2 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 1% -65 ° C ~ 170 ° C एईसी- Q200 0.252 "एल X 0.126" डबmutugh (6.40 मिमी x 3.20 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 47 ± 20ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 2,000 7W 2 तंग
LTR18EZPJ333 Rohm Semiconductor LTR18EZPJ33333 0.0239
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 ECAD 5837 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ३३ सन्निक ± 200ppm/° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR10EZPJ332 Rohm Semiconductor TRR10EZPJ332 -
सराय
 ECAD 4832 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) Rayr सल ३.3 ± 200ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18ERTJ223 Rohm Semiconductor MCR18ERTJ223 -
सराय
 ECAD 1644 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.120 "एल x 0.061" डबthutum (3.05 मिमी x 1.55 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - २२ सिपाही ± 200ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR006YZPF9103 Rohm Semiconductor MCR006YZPF9103 -
सराय
 ECAD 2541 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.010 "(0.26 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) - 910 किलो ± 250ppm/° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.05W, 1/20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR50JZHF1581 Rohm Semiconductor MCR50JZHF1581 -
सराय
 ECAD 3960 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 2010 (5025 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 1.58 किलो ± 100ppm/° C - 2010 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR10EZPF1200 Rohm Semiconductor SFR10EZPF1200 0.1700
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) Rayr सल 120 ओम ± 100ppm/° C 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR25JZHJ221 Rohm Semiconductor MCR25JZHJ221 -
सराय
 ECAD 4211 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एईसी-क्यू 200 220 ओम ± 200ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTJ122 Rohm Semiconductor MCR03ERTJ122 -
सराय
 ECAD 9975 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - १.२ सिपाही ± 200ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR03EZPJ623 Rohm Semiconductor TRR03EZPJ623 -
सराय
 ECAD 3091 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) Rayr सल ६२ सटेन ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR10EZPF1910 Rohm Semiconductor ESR10EZPF1910 0.0239
सराय
 ECAD 5214 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 191 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.4W, 2/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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