SIC
close

सराय

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम संघटन
ESR10EZPF6490 Rohm Semiconductor ESR10EZPF6490 0.0239
सराय
 ECAD 7517 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 649 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.4W, 2/5W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR01MRTJ332 Rohm Semiconductor MCR01MRTJ332 -
सराय
 ECAD 4431 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ - ३.3 ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPJ1R5 Rohm Semiconductor LTR18EZPJ1R5 0.0239
सराय
 ECAD 4464 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 1.5 ओम ± 200ppm/° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR03EZPJ512 Rohm Semiconductor ESR03EZPJ512 0.1300
सराय
 ECAD 741 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ५.१ कोहम ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR03EZPF3601 Rohm Semiconductor ESR03EZPF3601 0.0175
सराय
 ECAD 3343 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ३.६ ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTJ4R7 Rohm Semiconductor MCR03ERTJ4R7 -
सराय
 ECAD 5648 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 4.7 ओम ± 400ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR10EZPF4304 Rohm Semiconductor KTR10EZPF4304 0.2200
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एसी-क्यू 200 ४.३ मोहम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18EZHF3302 Rohm Semiconductor MCR18EZHF3302 -
सराय
 ECAD 2436 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - ३३ सन्निक ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10ERTF4122 Rohm Semiconductor MCR10ERTF4122 -
सराय
 ECAD 2020 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - ४१.२ किलो ± 100ppm/° C - 0805 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18ERTF26R1 Rohm Semiconductor MCR18ERTF26R1 -
सराय
 ECAD 1697 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.120 "एल x 0.061" डबthutum (3.05 मिमी x 1.55 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 26.1 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR10EZPJ333 Rohm Semiconductor SDR10EZPJ33333 0.2200
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ३३ सन्निक ± 200ppm/° C - 0805 तंग 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18ERTF7320 Rohm Semiconductor MCR18ERTF7320 -
सराय
 ECAD 8879 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.120 "एल x 0.061" डबthutum (3.05 मिमी x 1.55 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 732 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR100JZHFL1R50 Rohm Semiconductor MCR100JZHFL1R50 -
सराय
 ECAD 1084 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 1.5 ओम ± 250ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03EZPFX7322 Rohm Semiconductor MCR03EZPFX7322 -
सराय
 ECAD 7636 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) सियार एईसी-क्यू 200 73.2 किलो ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPF1471 Rohm Semiconductor LTR18EZPF1471 0.2400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 1.47 इलपो ± 100ppm/° C - 0612 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR10EZPF1211 Rohm Semiconductor KTR10EZPF1211 0.0270
सराय
 ECAD 3637 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एसी-क्यू 200 1.21 किलो ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZHJ2R2 Rohm Semiconductor MCR10EZHJ2R2 -
सराय
 ECAD 1592 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 2.2 ओम ± 500ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPD Rohm Semiconductor KTR25JZPD -
सराय
 ECAD 7968 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira तमाम 511-CTR25JZPDTR Ear99 8533.21.0030 4,000
MCR25JZHFLR510 Rohm Semiconductor MCR25JZHFLR510 -
सराय
 ECAD 5180 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एईसी-क्यू 200 ५१० सिपाही ± 200ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10ERTF6041 Rohm Semiconductor MCR10ERTF6041 -
सराय
 ECAD 8282 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 6.04 कोहम ± 100ppm/° C - 0805 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR10EZPF20R0 Rohm Semiconductor SFR10EZPF20R0 0.1700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 20 ओम ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR01MZPF2702 Rohm Semiconductor MCR01MZPF2702 -
सराय
 ECAD 8806 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ सियार एईसी-क्यू 200 27 कांपो ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR10EZPJ430 Rohm Semiconductor KTR10EZPJ430 0.0191
सराय
 ECAD 6010 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एसी-क्यू 200 43 ओम ± 200ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF5902 Rohm Semiconductor SFR01MZPF5902 0.0146
सराय
 ECAD 2865 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ Rayr सल ५ ९ ± 100ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR25JZHJ102 Rohm Semiconductor MCR25JZHJ102 -
सराय
 ECAD 9954 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एईसी-क्यू 200 1 कांप ± 200ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
TRR03EZPF8200 Rohm Semiconductor TRR03EZPF8200 -
सराय
 ECAD 4977 0.00000000 रोटी शिर R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) Rayr सल 820 ओम ± 100ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPF11R0 Rohm Semiconductor SFR01MZPF11R0 0.1300
सराय
 ECAD 10 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 11 ओम ± 100ppm/° C - 402 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR03EZPJ225 Rohm Semiconductor ESR03EZPJ225 0.1300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग २.२ किलो ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR10EZPJ2R2 Rohm Semiconductor KTR10EZPJ2R2 0.0191
सराय
 ECAD 4519 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एसी-क्यू 200 2.2 ओम ± 200ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPJ5R1 Rohm Semiconductor KTR25JZPJ5R1 0.0568
सराय
 ECAD 4934 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 5.1 ओम ± 200ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

RFQ सूची (0 आइटम)
कार्ट सूची (0 आइटम)
Wishlistविशलिस्ट (0 आइटम)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

सूची (0 आइटम) की तुलना करें
खोज या ESC को बंद करने के लिए प्रवेश करें