SIC
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सराय

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) सवार तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम संघटन
SFR01MZPJ225 Rohm Semiconductor SFR01MZPJ225 0.1000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- २.२ किलो ± 200ppm/° C - 0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR18EZPJ273 Rohm Semiconductor LTR18EZPJ273 0.0239
सराय
 ECAD 1745 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 27 कांपो ± 200ppm/° C - ०६१२ (१६३२ सटरी) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.75W, 3/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
PSR500HTQFE0L40 Rohm Semiconductor PSR500HTQFE0L40 2.1800
सराय
 ECAD 475 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 170 ° C एईसी- Q200 0.591 "एल x 0.305" डबthutum (15.00 मिमी x 7.75 मिमी) - सराय सींत एईसी-क्यू 200 0.4 मोहम ± 150ppm/° C - 5931 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 2,000 5W 2 तंग
MCR100JZHF26R1 Rohm Semiconductor MCR100JZHF26R1 -
सराय
 ECAD 9703 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 26.1 ओम ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR100JZHJ111 Rohm Semiconductor MCR100JZHJ111 -
सराय
 ECAD 3743 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 110 ओम ± 200ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR004YZPF2943 Rohm Semiconductor MCR004YZPF2943 -
सराय
 ECAD 4785 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C 0.016 "एल x 0.008" डबmuthut (0.40 मिमी x 0.20 मिमी) 0.006 "(0.15 मिमी) ०१००५ (०४०२ सटेर) - २ ९ ४ सन्नू ± 250ppm/° C - 01005 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.03W, 1/32W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18ERTF1210 Rohm Semiconductor MCR18ERTF1210 -
सराय
 ECAD 3811 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.120 "एल x 0.061" डबthutum (3.05 मिमी x 1.55 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) - 121 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR03EZPF1R20 Rohm Semiconductor ESR03EZPF1R20 0.0175
सराय
 ECAD 2640 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 1.2 ओम ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR18EZPF2322 Rohm Semiconductor ESR18EZPF2322 0.0207
सराय
 ECAD 2032 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग २३.२ किलो ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR25JZHF1822 Rohm Semiconductor MCR25JZHF1822 0.1300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एईसी-क्यू 200 18.2 इल्कू ± 100ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR18EZPF45R3 Rohm Semiconductor ESR18EZPF45R3 0.0207
सराय
 ECAD 6977 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 45.3 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18EZPF4303 Rohm Semiconductor MCR18EZPF4303 -
सराय
 ECAD 1870 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 ४३० सन्निक ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SDR10EZPF3303 Rohm Semiconductor SDR10EZPF3303 0.2900
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग ३३० सिपाही ± 100ppm/° C - 0805 तंग 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18EZPJ684 Rohm Semiconductor MCR18EZPJ684 -
सराय
 ECAD 4093 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 680 किलो ± 200ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
UCR006YVPFLR120 Rohm Semiconductor UCR006YVPFLR120 0.1185
सराय
 ECAD 1374 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.024 "एल x 0.013" डबthutum (0.60 मिमी x 0.33 मिमी) 0.011 "(0.28 मिमी) ०२०१ (०६०३ सटरी) सराय १२० सिपाही 0/ +300ppm/ ° C - 0201 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 15,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR100JZHF64R9 Rohm Semiconductor MCR100JZHF64R9 -
सराय
 ECAD 7543 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C एईसी- Q200 0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी) 0.028 "(0.70 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 64.9 ओम ± 100ppm/° C - 2512 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 1 तंग 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10ERTF2153 Rohm Semiconductor MCR10ERTF2153 0.1000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) - 215 कोहम ± 100ppm/° C - 0805 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTF1132 Rohm Semiconductor MCR03ERTF1132 -
सराय
 ECAD 9297 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 11.3 कांपो ± 100ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR03EZPJ241 Rohm Semiconductor KTR03EZPJ241 0.0175
सराय
 ECAD 4834 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) सियार एसी-क्यू 200 240 ओम ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR25JZPJ395 Rohm Semiconductor KTR25JZPJ395 0.0568
सराय
 ECAD 6653 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एक एल एक elcu 0.098" डबthautun (3.20 मिमी x 2.50 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 1210 (3225 कनर) सियार एसी-क्यू 200 ३. ९ ± 200ppm/° C - 1210 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 4,000 0.333W, 1/3W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LTR10EZPF8R20 Rohm Semiconductor LTR10EZPF8R20 0.3800
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C - 0.047 "एल x 0.079" डबthutum (1.20 मिमी x 2.00 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) आपस 0805 (2012 के बारे में 2012), 0508 ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 8.2 ओम ± 100ppm/° C - 0508 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 511-LTR10EZPF8R20TR Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR03EZPJ331 Rohm Semiconductor KTR03EZPJ331 0.0175
सराय
 ECAD 8698 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) सियार एसी-क्यू 200 330 ओम ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
SFR01MZPJ8R2 Rohm Semiconductor SFR01MZPJ8R2 0.1000
सराय
 ECAD 2232 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) ०४०२ एंटी-yir, ऑटोमोटिव एईसी-क- 8.2 ओम -250/ +500ppm/ ° C - 0402 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 10,000 0.063W, 1/16W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR10EZPF3002 Rohm Semiconductor MCR10EZPF3002 -
सराय
 ECAD 6511 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) 0805 (2012 पचुर) सियार एईसी-क्यू 200 ३० ± 100ppm/° C - 0805 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.125W, 1/8W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR18EZPF1873 Rohm Semiconductor ESR18EZPF1873 0.0207
सराय
 ECAD 7413 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 187 इक्चुअन ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.5W, 1/2W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR18EZPF3903 Rohm Semiconductor KTR18EZPF3903 0.2500
सराय
 ECAD 23 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 ३ ९ ० ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR18EZPF39R0 Rohm Semiconductor MCR18EZPF39R0 -
सराय
 ECAD 1409 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एईसी-क्यू 200 39 ओम ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
MCR03ERTJ621 Rohm Semiconductor MCR03ERTJ621 -
सराय
 ECAD 5013 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) - 620 ओम ± 200ppm/° C - 0603 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.1W, 1/10W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
KTR18EZPF9092 Rohm Semiconductor KTR18EZPF9092 0.2500
सराय
 ECAD 38 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.026 "(0.65 मिमी) १२०६ (३२१६ सटरी) सियार एसी-क्यू 200 90.9 किलो ± 100ppm/° C - 1206 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
ESR03EZPF2R70 Rohm Semiconductor ESR03EZPF2R70 0.1400
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी एक प्रकार का होना R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.022 "(0.55 मिमी) ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव AEC-Q200, पल्स एंगेंटिंग 2.7 ओम ± 200ppm/° C - 0603 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0030 5,000 0.25W, 1/4W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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