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सोरस (49571)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) सवार तमाम सराय तमाम तंग अफ़स्या सराफकस तंग रत्य अफ़र ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम संघटन अफ़रोट तंग
D2TO035CR4700FTE3 Vishay Sfernice D2TO035CR4700FTE3 12.8900
सराय
 ECAD 49 0.00000000 तंग D2to35 नली शिर ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 470 मोहम ± 250ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.29.0000 50 35W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO035C2R200FTE3 Vishay Sfernice D2TO035C2R200FTE3 12.8900
सराय
 ECAD 3148 0.00000000 तंग D2to35 नली शिर ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 2.2 ओम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.29.0000 50 35W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO035C4R700FTE3 Vishay Sfernice D2TO035C4R700FTE3 9.5344
सराय
 ECAD 7938 0.00000000 तंग D2to35 नली शिर ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 4.7 ओम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.29.0000 50 35W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO035C5R000FTE3 Vishay Sfernice D2TO035C5R000FTE3 10.4872
सराय
 ECAD 2905 0.00000000 तंग D2to35 नली शिर ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 5 ओम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.29.0000 50 35W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO035C10000FTE3 Vishay Sfernice D2TO035C10000FTE3 9.5344
सराय
 ECAD 5581 0.00000000 तंग D2to35 नली शिर ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 1 कांप ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.29.0000 50 35W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
LPS0300H4R70JB Vishay Sfernice LPS0300H4R70JB 70.0500
सराय
 ECAD 169 0.00000000 तंग एलपीएस 300 थोक शिर ± 5% -55 ° C ~ 120 ° C २.३६२ "एक एक एक २४४४ २४४४" lescun (६.०० मिमी x ५.०० मिमी ०)) 1.055 "(26.80 मिमी) कड़ा तमाम 4.7 ओम ± 300ppm/° C - एम 4 अरीब तंग Rohs3 आजthabairay तंग Ear99 8533.29.0000 15 300W Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प तमाम -
LPS0600H4700JB Vishay Sfernice LPS0600H4700JB 84.0200
सराय
 ECAD 3947 0.00000000 तंग एलपीएस 600 थोक शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C २.३६२ "एक एक एक २४४४ २४४४" lescun (६.०० मिमी x ५.०० मिमी ०)) 1.055 "(26.80 मिमी) कड़ा तमाम 470 ओम ± 150ppm/° C - एम 4 अरीब तंग Rohs3 आजthabairay तंग Ear99 8533.29.0000 15 600W Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प तमाम -
LPS0800H4R70JB Vishay Sfernice LPS0800H4R70JB 135.0300
सराय
 ECAD 29 0.00000000 तंग एलपीएस 800 थोक शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C २.३६२ "एक एक एक २४४४ २४४४" lescun (६.०० मिमी x ५.०० मिमी ०)) 1.055 "(26.80 मिमी) कड़ा तमाम 4.7 ओम ± 300ppm/° C - एम 4 अरीब तंग Rohs3 आजthabairay तंग Ear99 8533.29.0000 15 800W Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प तमाम -
LPS0800H1000JB Vishay Sfernice LPS0800H1000JB 135.0300
सराय
 ECAD 546 0.00000000 तंग एलपीएस 800 थोक शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C २.३६२ "एक एक एक २४४४ २४४४" lescun (६.०० मिमी x ५.०० मिमी ०)) 1.055 "(26.80 मिमी) कड़ा तमाम 100 ओम ± 150ppm/° C - एम 4 अरीब तंग Rohs3 आजthabairay तंग Ear99 8533.29.0000 15 800W Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प तमाम -
D2TO020C22100KTE3 Vishay Sfernice D2TO020C22100KTE3 7.9420
सराय
 ECAD 3878 0.00000000 तंग D2to20 नली शिर ± 10% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी २.२१ सन्न ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 50 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO020C240R0JTE3 Vishay Sfernice D2TO020C240R0JTE3 7.2224
सराय
 ECAD 5386 0.00000000 तंग D2to20 नली शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 240 ओम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 50 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO020C270R0FTE3 Vishay Sfernice D2TO020C270R0FTE3 10.2458
सराय
 ECAD 4704 0.00000000 तंग D2to20 नली शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 270 ओम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 50 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO020C2R250FTE3 Vishay Sfernice D2TO020C2R250FTE3 9.9812
सराय
 ECAD 2702 0.00000000 तंग D2to20 नली शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 2.25 ओम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 50 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO020C31200JTE3 Vishay Sfernice D2TO020C31200JTE3 7.9420
सराय
 ECAD 5167 0.00000000 तंग D2to20 नली शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 3.12 कोहम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 50 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO020C47R00FTE3 Vishay Sfernice D2TO020C47R00FTE3 10.2458
सराय
 ECAD 5710 0.00000000 तंग D2to20 नली शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 47 ओम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 50 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO020C49R00FTE3 Vishay Sfernice D2TO020C49R00FTE3 9.9812
सराय
 ECAD 5559 0.00000000 तंग D2to20 नली शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 49 ओम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 50 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO020C4R020FRE3 Vishay Sfernice D2TO020C4R020FRE3 6.2020
सराय
 ECAD 3259 0.00000000 तंग D2to20 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 4.02 ओम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 500 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO020C51R00FTE3 Vishay Sfernice D2TO020C51R00FTE3 10.2458
सराय
 ECAD 7422 0.00000000 तंग D2to20 नली शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 51 ओम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 50 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO020C5R000JTE3 Vishay Sfernice D2TO020C5R000JTE3 7.9420
सराय
 ECAD 2276 0.00000000 तंग D2to20 नली शिर ± 5% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 5 ओम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 50 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO020C5R600FRE3 Vishay Sfernice D2TO020C5R600FRE3 6.3680
सराय
 ECAD 6475 0.00000000 तंग D2to20 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 5.6 ओम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 500 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO020CR0160FTE3 Vishay Sfernice D2TO020CR0160FTE3 12.6420
सराय
 ECAD 8623 0.00000000 तंग D2to20 नली शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 16 ± 1100ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 50 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO020CR0320FTE3 Vishay Sfernice D2TO020CR0320FTE3 13.9062
सराय
 ECAD 9672 0.00000000 तंग D2to20 नली शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी ३२ ± 1100ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 50 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO020CR2200FTE3 Vishay Sfernice D2TO020CR2200FTE3 10.2458
सराय
 ECAD 8236 0.00000000 तंग D2to20 नली शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 220 किलो ± 250ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 50 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO020CR4700FTE3 Vishay Sfernice D2TO020CR4700FTE3 10.2458
सराय
 ECAD 9430 0.00000000 तंग D2to20 नली शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 470 मोहम ± 250ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 50 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO020CR4700KTE3 Vishay Sfernice D2TO020CR4700KTE3 7.2224
सराय
 ECAD 6884 0.00000000 तंग D2to20 नली शिर ± 10% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 470 मोहम ± 250ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 50 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO020CR6800FRE3 Vishay Sfernice D2TO020CR6800FRE3 6.3680
सराय
 ECAD 7964 0.00000000 तंग D2to20 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 680 किलो ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0090 500 20W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO035C100R0JRE3 Vishay Sfernice D2TO035C100R0JRE3 4.1599
सराय
 ECAD 3123 0.00000000 तंग D2to35 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 100 ओम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.29.0000 500 35W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO035C15000FRE3 Vishay Sfernice D2TO035C15000FRE3 6.2392
सराय
 ECAD 2314 0.00000000 तंग D2to35 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 1.5 कोहम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.29.0000 500 35W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO035C16R00JTE3 Vishay Sfernice D2TO035C16R00JTE3 7.5910
सराय
 ECAD 3086 0.00000000 तंग D2to35 नली शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 16 ओम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.29.0000 50 35W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
D2TO035C1R000JTE3 Vishay Sfernice D2TO035C1R000JTE3 7.5910
सराय
 ECAD 5837 0.00000000 तंग D2to35 नली शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C एईसी- Q200 0.398 "एक एल lestus 0.346" डबthautun (10.10 मिमी x 8.80 मिमी) 0.189 "(4.80 मिमी) TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair ranak aec-q200, t प rayryr ोधी 1 ओम ± 150ppm/° C - To-263 (d akpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) Ear99 8533.29.0000 50 35W 2 Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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