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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना शिर सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सटरी (ओम) सराय सरायस सियार पrur-आवन-दु-ruirauthut अँगुला क्योरस कांवस
S41X083363GP CTS Resistor Products S41X083363GP 0.0269
सराय
ECAD 9387 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X083363GPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 36k तमाम 4 - - 8 31MW
S41X043131JP CTS Resistor Products S41X043131JP 0.0198
सराय
ECAD 9948 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 200ppm/° C 0404 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X043131JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 130 तमाम 2 - - 4 63MW
S42C043754JP CTS Resistor Products S42C043754JP 0.0508
सराय
ECAD 5558 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur 0606, अवतल ± 200ppm/° C 0606 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C043754JPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 750k तमाम 2 - - 4 63MW
S42C083911FP CTS Resistor Products S42C083911FP 0.0914
सराय
ECAD 5547 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C083911FPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 910 तमाम 4 - - 8 63MW
S42C083562FP CTS Resistor Products S42C083562FP 0.0914
सराय
ECAD 6962 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C083562FPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 5.6k तमाम 4 - - 8 63MW
S42X083271JP CTS Resistor Products S42X083271JP 0.0412
सराय
ECAD 8393 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083271JPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 270 तमाम 4 - - 8 63MW
S42C163200GP CTS Resistor Products S42C163200GP 0.1813
सराय
ECAD 7146 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur २५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट ± 200ppm/° C 2506 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C163200GPTR Ear99 8533.21.0020 4,000 20 तमाम 8 - - 16 63MW
S41C083112FP CTS Resistor Products S41C083112FP 0.0653
सराय
ECAD 7517 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41C083112FPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 1.1k तमाम 4 - - 8 31.25MW
S42X083472FP CTS Resistor Products S42X083472FP 0.0560
सराय
ECAD 9730 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083472FPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 4.7k तमाम 4 - - 8 63MW
S41X083105FP CTS Resistor Products S41X083105FP 0.0311
सराय
ECAD 8629 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X083105FPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 1 मी तमाम 4 - - 8 31MW
S42C083561JP CTS Resistor Products S42C083561JP 0.0680
सराय
ECAD 6012 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C083561JPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 560 तमाम 4 - - 8 63MW
S41X083103GP CTS Resistor Products S41X083103GP 0.0269
सराय
ECAD 5668 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X083103GPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 10k तमाम 4 - - 8 31MW
S41X043912FP CTS Resistor Products S41X043912FP 0.0283
सराय
ECAD 3192 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 200ppm/° C 0404 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X043912FPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 9.1k तमाम 2 - - 4 63MW
S41X043134JP CTS Resistor Products S41X043134JP 0.0198
सराय
ECAD 8822 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 200ppm/° C 0404 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X043134JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 130k तमाम 2 - - 4 63MW
S41X043113FP CTS Resistor Products S41X043113FP 0.0283
सराय
ECAD 2445 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 200ppm/° C 0404 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X043113FPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 11k तमाम 2 - - 4 63MW
S42C043434JP CTS Resistor Products S42C043434JP 0.0508
सराय
ECAD 6454 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur 0606, अवतल ± 200ppm/° C 0606 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C043434JPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 430K तमाम 2 - - 4 63MW
S41C083130JP CTS Resistor Products S41C083130JP 0.0481
सराय
ECAD 9630 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41C083130JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 13 तमाम 4 - - 8 31.25MW
S42X083822GP CTS Resistor Products S42x083822222222222222gp 0.0495
सराय
ECAD 4706 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083822GPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 8.2k तमाम 4 - - 8 63MW
S41X083122FP CTS Resistor Products S41X083122FP 0.0311
सराय
ECAD 2516 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X083122FPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 1.2k तमाम 4 - - 8 31MW
S42C083621JP CTS Resistor Products S42C083621JP 0.0680
सराय
ECAD 6576 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C083621JPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 620 तमाम 4 - - 8 63MW
S41C083362FP CTS Resistor Products S41C083362FP 0.0653
सराय
ECAD 6450 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41C083362FPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 3.6K तमाम 4 - - 8 31.25MW
S41X083201GP CTS Resistor Products S41X083201GP 0.0269
सराय
ECAD 8086 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X083201GPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 200 तमाम 4 - - 8 31MW
S42X083824GP CTS Resistor Products S42X083824GP 0.0495
सराय
ECAD 8433 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083824GPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 820K तमाम 4 - - 8 63MW
S42X083433FP CTS Resistor Products S42X083433FP 0.0560
सराय
ECAD 6831 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083433FPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 43k तमाम 4 - - 8 63MW
S42C083913GP CTS Resistor Products S42C083913GP 0.0813
सराय
ECAD 6453 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C083913GPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 91K तमाम 4 - - 8 63MW
S41X043750JP CTS Resistor Products S41X043750JP 0.0198
सराय
ECAD 8410 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 200ppm/° C 0404 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X043750JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 75 तमाम 2 - - 4 63MW
S42C163683GP CTS Resistor Products S42C163683GP 0.1813
सराय
ECAD 4793 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur २५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट ± 200ppm/° C 2506 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C163683GPTR Ear99 8533.21.0020 4,000 68k तमाम 8 - - 16 63MW
S42X083910FP CTS Resistor Products S42X083910FP 0.0560
सराय
ECAD 4628 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083910FPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 91 तमाम 4 - - 8 63MW
S41C083124JP CTS Resistor Products S41C083124JP 0.0481
सराय
ECAD 2527 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41C083124JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 120k तमाम 4 - - 8 31.25MW
S40X043111JP CTS Resistor Products S40X0431111JP 0.0901
सराय
ECAD 4903 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur 0302 (0805 पचुर), अंह, ± 200ppm/° C 0302 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S40X043111JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 110 तमाम 2 - - 4 31MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम