दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | कसना | सरायना | शिर | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | तमाम | तमाम | सराय | तमाम | तंग | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तंग (तंग) | तमाम | सटरी (ओम) | संघटन | सराय | सरायस | सियार | एक प्रकार का | अँगुला | क्योरस कांवस |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S42X083240JP | 0.0412 | ![]() | 8729 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay | ± 200ppm/° C | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42X083240JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 24 | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||||
![]() | S41X043153GP | 0.0240 | ![]() | 6968 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.016 "(0.40 मिमी) | सतह rurcur | ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस | ± 200ppm/° C | 0404 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S41X043153GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 15k | तमाम | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||||||||
![]() | 766163111GPTR13 | 1.1757 | ![]() | 7670 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 766 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी) | 0.069 "(1.75 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 3,000 | 110 | तमाम | 8 | - | - | 16 | 160MW | |||||||||
![]() | S41X043103FP | 0.0283 | ![]() | 8965 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.016 "(0.40 मिमी) | सतह rurcur | ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस | ± 200ppm/° C | 0404 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S41X043103FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 10k | तमाम | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||||||||
![]() | 767161100GP | 1.2132 | ![]() | 4078 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 767 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.093 "(2.36 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 10 | तमाम | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||||||||
![]() | RT1452B6 | - | ![]() | 3146 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | Clearone ™ | थोक | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | GTL, GTL+, AGTL+ | 0.300 "एल X 0.150" lemuthum (7.62 मिमी x 3.81 मिमी) | 0.058 "(1.47 मिमी) | सतह rurcur | 18-एलबीजीए | ± 100ppm/° C | 18-((7.62x3.81) | - | रोहस | 1 (असीमित) | शिर | 0000.00.0000 | 1 | 25 | सींग | 32 | - | - | 18 | ५० तंग | ||||||||||
![]() | S42C043121JP | 0.0508 | ![]() | 4777 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.022 "(0.55 मिमी) | सतह rurcur | 0606, अवतल | ± 200ppm/° C | 0606 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C043121JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 120 | तमाम | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||||||||
![]() | 752125202APTR7 | 1.6251 | ![]() | 1160 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 752 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.665 "एल X 0.080" डबmutugh (16.89 मिमी x 2.03 मिमी) | 0.100 "(2.53 मिमी) | सतह rurcur | 12-एसआ | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 3K, 6.2k | सींग | 20 | - | - | 12 | 80MW | |||||||||
![]() | 768161563GP | 1.2132 | ![]() | 9461 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 768 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.071 "(1.80 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 56K | तमाम | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||||||||
![]() | 743C083332JTR | - | ![]() | 3955 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 743 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.200 "एल x 0.079" डबthutum (5.08 of x 2.00 मिमी) | 0.028 "(0.70 मिमी) | सतह rurcur | २००, अवतल, लॉन, लॉनthग kanauth इड | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 3.3k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 100MW | |||||||||
![]() | 770101511p | 0.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 770 | थोक | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.195 "(4.95 मिमी) | होल के kaytaumauth से | 10-सिप | ± 100ppm/° C | 10-सिप | तंग | Rohs3 आजthabaira | तंग | तमाम | 770-101-R510P | Ear99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 510 | तमाम | 9 | - | - | 10 | 100MW | ||||||||
![]() | S41X083561FP | 0.0311 | ![]() | 7329 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.018 "(0.45 मिमी) | सतह rurcur | 0804, क्योर, एथल, | ± 200ppm/° C | 0804 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S41X083561FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 560 | तमाम | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||||||||
![]() | S42C043470GP | 0.0600 | ![]() | 3032 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.022 "(0.55 मिमी) | सतह rurcur | 0606, अवतल | ± 200ppm/° C | 0606 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C043470GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 47 | तमाम | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||||||||
![]() | 752181103GPTR7 | 1.6934 | ![]() | 6675 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 752 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.515 "एल x 0.080" डबthutum (13.08 मिमी x 2.03 मिमी) | 0.100 "(2.53 मिमी) | सतह rurcur | 18 कस | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 10k | तमाम | 16 | - | - | 18 | 80MW | |||||||||
![]() | 766143184GPTR13 | 1.1757 | ![]() | 7095 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 766 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी) | 0.069 "(1.75 मिमी) | सतह rurcur | 14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 3,000 | 180k | तमाम | 7 | - | - | 14 | 160MW | |||||||||
![]() | S41C083681GP | 0.0560 | ![]() | 3162 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.018 "(0.45 मिमी) | सतह rurcur | 0804, क्योर, एथल, | ± 200ppm/° C | 0804 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S41C083681GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 680 | तमाम | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | ||||||||
![]() | S42X083511JP | 0.0412 | ![]() | 5520 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay | ± 200ppm/° C | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42X083511JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 510 | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||||
![]() | 767161152GPTR13 | 1.1899 | ![]() | 6357 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 767 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.093 "(2.36 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 1.5k | तमाम | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||||||||
![]() | 766163824GPTR13 | 1.1757 | ![]() | 6047 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 766 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी) | 0.069 "(1.75 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 3,000 | 820K | तमाम | 8 | - | - | 16 | 160MW | |||||||||
![]() | S42C083910GP | 0.0813 | ![]() | 8575 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.022 "(0.55 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, | ± 200ppm/° C | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C083910GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 91 | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||||
![]() | 73L6R11G | 0.1328 | ![]() | 7593 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 73LX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.028 "(0.71 मिमी) | 2010 (5025 पचुर) | सराय | 110 | ± 200ppm/° C | - | 2010 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0030 | 4,000 | 0.75W, 3/4W | 2 | Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प | ||||||||||||
![]() | 770101154p | 0.6762 | ![]() | 7845 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 770 | थोक | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.195 "(4.95 मिमी) | होल के kaytaumauth से | 10-सिप | ± 100ppm/° C | 10-सिप | तंग | Rohs3 आजthabaira | तंग | तमाम | 770-101-R150KP | Ear99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 150k | तमाम | 9 | - | - | 10 | 100MW | ||||||||
![]() | 768161181GPTR13 | 1.1899 | ![]() | 3135 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 768 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.071 "(1.80 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 180 | तमाम | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||||||||
![]() | 767141331G | - | ![]() | 4086 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 767 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.093 "(2.36 मिमी) | सतह rurcur | 14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 330 | तमाम | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||||||||
![]() | S41X083100JP | 0.0226 | ![]() | 9771 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.018 "(0.45 मिमी) | सतह rurcur | 0804, क्योर, एथल, | ± 200ppm/° C | 0804 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S41X083100JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 10 | तमाम | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||||||||
![]() | 741x083241JP | 0.0123 | ![]() | 5187 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 741 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.022 "(0.55 मिमी) | सतह rurcur | 0804, क्योर, एथल, | 741x083 | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 240 | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||||
768141393G | - | ![]() | 9744 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 768 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.071 "(1.80 मिमी) | सतह rurcur | 14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 768-141-R39K | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 39k | तमाम | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||||||||
![]() | 767143564G | - | ![]() | 2738 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 767 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.093 "(2.36 मिमी) | सतह rurcur | 14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 560k | तमाम | 7 | - | - | 14 | 200MW | |||||||||
![]() | 768161563G | - | ![]() | 4815 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 768 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.071 "(1.80 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 768-161-R56K | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 56K | तमाम | 15 | - | - | 16 | 100MW | ||||||||
![]() | 742C083561JTR | - | ![]() | 1845 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 742 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.028 "(0.70 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, | 742C083 | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 560 | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW |
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