आरएफक्यू
बीओएम
हमसे संपर्क करें

दूरभाष: +86-0755-83501315

ईमेल:sales@sic-components.com

दाखिल करना

हिंदी

कनमिर (10280)

तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	कसना	सरायना	शिर	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	तमाम	सराफकस	तंग	रत्य	अफ़र	तक तक की स	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	सटरी (ओम)	सराय	सरायस	सियार	एक प्रकार का	अँगुला	क्योरस कांवस
S42C083434JP	0.0680	सराय	3589	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083434JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	430K	तमाम	4	-	-	8	63MW
S40X043204JP	0.0901	सराय	6768	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	0302 (0805 पचुर), अंह,	± 200ppm/° C	0302	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S40X043204JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	200k	तमाम	2	-	-	4	31MW
S41C083105FP	0.0653	सराय	3195	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083105FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	1 मी	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S41X043123FP	0.0283	सराय	6159	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043123FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	12k	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C163823JP	0.1518	सराय	3788	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट	± 200ppm/° C	2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163823JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	82K	तमाम	8	-	-	16	63MW
S42C043151JP	0.0508	सराय	1184	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल	± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043151JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	150	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C083101GP	0.0813	सराय	2061	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083101GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	100	तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C083243FP	0.0914	सराय	5167	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083243FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	24k	तमाम	4	-	-	8	63MW
S40X043160JP	0.0901	सराय	3578	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	0302 (0805 पचुर), अंह,	± 200ppm/° C	0302	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S40X043160JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	16	तमाम	2	-	-	4	31MW
S40X043162JP	0.0901	सराय	3665	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	0302 (0805 पचुर), अंह,	± 200ppm/° C	0302	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S40X043162JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	1.6k	तमाम	2	-	-	4	31MW
S41X083130JP	0.0226	सराय	5309	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083130JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	13	तमाम	4	-	-	8	31MW
S42X083240JP	0.0412	सराय	8729	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083240JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	24	तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C163392GP	0.1813	सराय	4101	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट	± 200ppm/° C	2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163392GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	3.9K	तमाम	8	-	-	16	63MW
S40X043474JP	0.0901	सराय	3141	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	0302 (0805 पचुर), अंह,	± 200ppm/° C	0302	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S40X043474JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	470K	तमाम	2	-	-	4	31MW
S41X043684GP	0.0240	सराय	5040	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043684GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	680k	तमाम	2	-	-	4	63MW
S41C083753FP	0.0653	सराय	1844	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083753FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	75k	तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S42C043131GP	0.0600	सराय	2078	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल	± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043131GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	130	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C163560GP	0.1813	सराय	8388	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट	± 200ppm/° C	2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163560GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	56	तमाम	8	-	-	16	63MW
S41X083824JP	0.0226	सराय	5948	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083824JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	820K	तमाम	4	-	-	8	31MW
S41X043560FP	0.0283	सराय	7466	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043560FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	56	तमाम	2	-	-	4	63MW
S41X043103JP	0.0198	सराय	2646	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043103JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	10k	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C04382222JP	0.0508	सराय	8825	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल	± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043822JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	8.2k	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C043132GP	0.0600	सराय	2810	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल	± 200ppm/° C	0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043132GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	1.3k	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C083000XP	0.0680	सराय	4073	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	तंग करना	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	-	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083000XPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	0.0	तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C083120GP	0.0813	सराय	2017	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083120GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	12	तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C163510GP	0.1813	सराय	7422	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट	± 200ppm/° C	2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163510GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	51	तमाम	8	-	-	16	63MW
S41X083511GP	0.0269	सराय	4550	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,	± 200ppm/° C	0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083511GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	510	तमाम	4	-	-	8	31MW
S41X043394JP	0.0198	सराय	4852	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043394JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	390K	तमाम	2	-	-	4	63MW
S41X043183GP	0.0240	सराय	1523	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043183GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	18 k	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C083683JP	0.0680	सराय	3336	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,	± 200ppm/° C	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083683JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000	68k	तमाम	4	-	-	8	63MW