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RT1408B7PTR13	-	सराय	4006	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	सींग	0.354 "एल एल lect e.118" डबthaun यू (9.00 मिमी x 3.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	27-LBGA				± 200ppm/° C		27-((9x3)	-	रोहस	1 (असीमित)			शिर	0000.00.0000	4,000			25, 60		सींग	18	-	-	27	५० तंग
73L6R10G	0.1328	सराय	7777	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		2010 (5025 पचुर)	सराय		100 कांप	± 200ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	0.75W, 3/4W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
753101512GP	1.9136	सराय	1990	सीटीएस rayr उत	753	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.295 "एल x 0.080" डबmuthut (7.49 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	10-yirटी				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250			5.1k		तमाम	9	-	-	10	40MW
RT2418B7TR7	-	सराय	7389	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	PCI, PCIX	0.315 "एल X 0.118" डब extuntur (8.00 मिमी x 3.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	24-एलबीजीए				± 200ppm/° C		24-((8x3)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000			8.2k		सींग	16	-	-	24	५० तंग
744C0832203FP	-	सराय	3913	सीटीएस rayr उत	744	R टेप ray ryील (ther)	शिर									744C083					तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		60-744C0832203FPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000
75209182222GP	1.5389	सराय	5498	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "एल x 0.080" डबthutum (13.08 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	9-				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250			8.2k		तमाम	8	-	-	9	80MW
S41C083123JP	0.0481	सराय	6237	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083123JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			12k		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
753163472GPTR13	1.7738	सराय	2716	सीटीएस rayr उत	753	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.245 "एल X 0.080" PARCAUTHUN	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	16-				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000			4.7k		तमाम	8	-	-	16	80MW
741x0834992fp	0.0600	सराय	9797	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		741x083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	10,000			49.9K		तमाम	4	-	-	8	63MW
S41X043164GP	0.0240	सराय	1789	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043164GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			160k		तमाम	2	-	-	4	63MW
744C083223JP	-	सराय	2483	सीटीएस rayr उत	744	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.200 "एल x 0.126" डबthuthut (5.08 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२०१२, ए, क्यूटी		744C083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			22k		तमाम	4	-	-	8	125MW
S42C083332JP	0.0680	सराय	3888	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083332JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			3.3k		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42X083332JP	0.0412	सराय	2217	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083332JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			3.3k		तमाम	4	-	-	8	63MW
RT2476B7	-	सराय	9924	सीटीएस rayr उत	-	थोक	शिर	-	-	-	-	-	-	-				-		-	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	1			-		-		-	-		-
741C083121J	-	सराय	7171	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.020 "(0.50 मिमी)	सतह rurcur	0804, अवतल, लंबे antaute rabur		741C083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	10,000			120		तमाम	4	-	-	8	63MW
743C043471JP	-	सराय	7315	सीटीएस rayr उत	743	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.100 "एल X 0.079" डब expriguth (2.54 मिमी x 2.00 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	1008, अवतल, लंबे kanauth ट				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			470		तमाम	2	-	-	4	100MW
753091510GPTR13	1.4863	सराय	1196	सीटीएस rayr उत	753	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.270 "एल X 0.080" PARCAUTH (6.86 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	9-				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000			51		तमाम	8	-	-	9	40MW
S41X083221JP	0.0226	सराय	9107	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083221JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			220		तमाम	4	-	-	8	31MW
S41X083161FP	0.0311	सराय	5360	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083161FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			160		तमाम	4	-	-	8	31MW
S41X043470FP	0.0283	सराय	3507	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043470FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			47		तमाम	2	-	-	4	63MW
766141562G	-	सराय	1990	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	56			5.6k		तमाम	13	-	-	14	80MW
752243680JP	-	सराय	6175	सीटीएस rayr उत	-	थोक	शिर														तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		60-752243680JP	Ear99	8533.21.0020	250
768161332G	-	सराय	9098	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	768-161-R3.3K	Ear99	8533.21.0010	43			3.3k		तमाम	15	-	-	16	100MW
S40X043510JP	0.0901	सराय	3848	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	0302 (0805 पचुर), अंह,				± 200ppm/° C		0302	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S40X043510JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			51		तमाम	2	-	-	4	31MW
S41C083434GP	0.0560	सराय	3974	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083434GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			430K		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S41X083750FP	0.0311	सराय	6750	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083750FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			75		तमाम	4	-	-	8	31MW
752091222JPTR7	-	सराय	7690	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "एल x 0.080" डबthutum (13.08 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	9-				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000			2.2K		तमाम	8	-	-	9	80MW
77063512p	0.5700	सराय	1	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.600 "एल x 0.098" डबthutum (15.24 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	6 सिप				± 100ppm/° C		6 सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-63-R5.1kp	Ear99	8533.21.0050	1,000			5.1k		तमाम	3	-	-	6	100MW
S41X043913GP	0.0240	सराय	4999	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043913GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			91K		तमाम	2	-	-	4	63MW
766143274GP	1.2910	सराय	7788	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-143-R270KP	Ear99	8533.21.0010	56			270k		तमाम	7	-	-	14	160MW