दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | कसना | सरायना | शिर | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | तमाम | तमाम | सराय | तमाम | तंग | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तंग (तंग) | तमाम | सटरी (ओम) | संघटन | सराय | सरायस | सियार | एक प्रकार का | अँगुला | क्योरस कांवस |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 767141473G | - | ![]() | 5186 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 767 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.093 "(2.36 मिमी) | सतह rurcur | 14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 47K | तमाम | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||||||||
![]() | S41X083110GP | 0.0269 | ![]() | 5749 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.018 "(0.45 मिमी) | सतह rurcur | 0804, क्योर, एथल, | ± 200ppm/° C | 0804 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S41X083110GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 11 | तमाम | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||||||||
![]() | 766161184GP | 1.2910 | ![]() | 4793 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 766 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी) | 0.069 "(1.75 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 766-161-R180KP | Ear99 | 8533.21.0010 | 49 | 180k | तमाम | 15 | - | - | 16 | 80MW | ||||||||
![]() | 766163103GPTR7 | 2.7800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 766 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी) | 0.069 "(1.75 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 10k | तमाम | 8 | - | - | 16 | 160MW | |||||||||
![]() | 77061103 | - | ![]() | 8807 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 770 | थोक | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.600 "एल x 0.098" डबthutum (15.24 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.195 "(4.95 मिमी) | होल के kaytaumauth से | 6 सिप | ± 100ppm/° C | 6 सिप | तंग | Rohs3 आजthabaira | तंग | तमाम | Ear99 | 8533.21.0050 | 250 | 10k | तमाम | 5 | - | - | 6 | 100MW | |||||||||
![]() | 767163270GPTR13 | 1.1899 | ![]() | 1909 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 767 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.093 "(2.36 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 27 | तमाम | 8 | - | - | 16 | 200MW | |||||||||
![]() | 77081271 | - | ![]() | 3726 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 770 | थोक | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.195 "(4.95 मिमी) | होल के kaytaumauth से | 8-सिप | ± 100ppm/° C | 8-सिप | तंग | Rohs3 आजthabaira | तंग | तमाम | Ear99 | 8533.21.0050 | 250 | 270 | तमाम | 7 | - | - | 8 | 100MW | |||||||||
![]() | 768161103G | - | ![]() | 8305 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 768 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.071 "(1.80 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 768-161-R10K | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 10k | तमाम | 15 | - | - | 16 | 100MW | ||||||||
![]() | S42C083132FP | 0.0914 | ![]() | 6825 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.022 "(0.55 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, | ± 200ppm/° C | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C083132FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 1.3k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||||
![]() | 73E6R082F | 0.4430 | ![]() | 3768 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 73E6 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | 0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.028 "(0.71 मिमी) | 2010 (5025 पचुर) | सराय | 82 किलो | ± 100ppm/° C | - | 2010 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0030 | 4,000 | 1 तंग | 2 | Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प | ||||||||||||
![]() | S42C163114GP | 0.1813 | ![]() | 9981 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | २५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट | ± 200ppm/° C | 2506 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C163114GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 110k | तमाम | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||||||||
768141680G | - | ![]() | 7864 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 768 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.071 "(1.80 मिमी) | सतह rurcur | 14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 768-141-R68 | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 68 | तमाम | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||||||||
![]() | S41X083623GP | 0.0269 | ![]() | 2704 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.018 "(0.45 मिमी) | सतह rurcur | 0804, क्योर, एथल, | ± 200ppm/° C | 0804 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S41X083623GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 62k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||||||||
![]() | 77083152p | 0.7000 | ![]() | 890 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 770 | थोक | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.195 "(4.95 मिमी) | होल के kaytaumauth से | 8-सिप | ± 100ppm/° C | 8-सिप | तंग | Rohs3 आजthabaira | तंग | तमाम | 770-83-R1.5kp | Ear99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 1.5k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 100MW | ||||||||
![]() | S42X083105FP | 0.0560 | ![]() | 9364 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay | ± 200ppm/° C | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42X083105FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 1 मी | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||||
![]() | 766145171DPTR13 | 1.8887 | ![]() | 7195 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 766 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 0.5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी) | 0.069 "(1.75 मिमी) | सतह rurcur | 14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 3,000 | 200, 1.5k | सींग | 24 | - | - | 14 | 80MW | |||||||||
![]() | 766163271JPTR7 | - | ![]() | 7755 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | तंग | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | 60-766163271jptr7tr | Ear99 | 8533.21.0020 | 800 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 752241473GP | 1.6934 | ![]() | 1646 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 752 | थोक | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.665 "एल X 0.080" डबmutugh (16.89 मिमी x 2.03 मिमी) | 0.100 "(2.53 मिमी) | सतह rurcur | २४- | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | 47K | तमाम | 22 | - | - | 24 | 80MW | |||||||||
![]() | 73WE6R051J | 0.2311 | ![]() | 2626 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 73wex | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | 0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.028 "(0.71 मिमी) | अफ़सि | सराय | ५१ सन्नू | ± 100ppm/° C | - | 2010 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0030 | 4,000 | 1 तंग | 2 | Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प | ||||||||||||
![]() | S41X083183GP | 0.0269 | ![]() | 9026 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.018 "(0.45 मिमी) | सतह rurcur | 0804, क्योर, एथल, | ± 200ppm/° C | 0804 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S41X083183GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 18 k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||||||||
![]() | 766163470GP | 2.7700 | ![]() | 609 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 766 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी) | 0.069 "(1.75 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 766-163-R47P | Ear99 | 8533.21.0010 | 49 | 47 | तमाम | 8 | - | - | 16 | 160MW | ||||||||
744C083680JTR | - | ![]() | 6548 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 744 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.200 "एल x 0.126" डबthuthut (5.08 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.028 "(0.70 मिमी) | सतह rurcur | २०१२, ए, क्यूटी | 744C083 | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 68 | तमाम | 4 | - | - | 8 | 125MW | |||||||||
![]() | 767141681GP | 1.1988 | ![]() | 8191 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 767 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.093 "(2.36 मिमी) | सतह rurcur | 14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 680 | तमाम | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||||||||
752181221GP | 1.6934 | ![]() | 3708 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 752 | थोक | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.515 "एल x 0.080" डबthutum (13.08 मिमी x 2.03 मिमी) | 0.100 "(2.53 मिमी) | सतह rurcur | 18 कस | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | 220 | तमाम | 16 | - | - | 18 | 80MW | ||||||||||
![]() | RT2407B7TR13 | - | ![]() | 7412 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | Clearone ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | सींग | 0.354 "एल एल lect e.118" डबthaun यू (9.00 मिमी x 3.00 मिमी) | 0.053 "(1.34 मिमी) | सतह rurcur | 27-LBGA | ± 200ppm/° C | 27-((9x3) | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 35 | सींग | 18 | - | - | 27 | ५० तंग | |||||||||
![]() | 766161181GPTR13 | 1.1757 | ![]() | 2171 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 766 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी) | 0.069 "(1.75 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 3,000 | 180 | तमाम | 15 | - | - | 16 | 80MW | |||||||||
![]() | S42X083562FP | 0.0560 | ![]() | 1760 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay | ± 200ppm/° C | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42X083562FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 5.6k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||||
![]() | S42C083242FP | 0.0914 | ![]() | 8103 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.022 "(0.55 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, | ± 200ppm/° C | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C083242FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 2.4k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||||
![]() | 741x163102JP | 0.4100 | ![]() | 27 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 741 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.156 "एल X 0.063" डबmuthut (3.95 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.022 "(0.55 मिमी) | सतह rurcur | १५०६, क्यूट्यू, ए सिट्र | 741x163 | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 1k | तमाम | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||||||||
![]() | S42X083304JP | 0.0412 | ![]() | 5152 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay | ± 200ppm/° C | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42X083304JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 300k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW |
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