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S42X083223GP	0.0495	सराय	8961	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083223GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			22k		तमाम	4	-	-	8	63MW
768163393JP	-	सराय	6065	सीटीएस rayr उत	-	नली	शिर														तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-768163393JP	Ear99	8533.21.0020	43
770101105p	0.7800	सराय	1	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप				± 100ppm/° C		10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-101-R1MEGP	Ear99	8533.21.0050	1,000			1 मी		तमाम	9	-	-	10	100MW
745C102472JP	0.1408	सराय	6941	सीटीएस rayr उत	745	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.122" डबthutum (6.40 मिमी x 3.10 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२५१२ (६४३२ सटरी), ए, ए, एनी,		745C102		± 250ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			4.7k		तमाम	8	-	-	10	63MW
S42X083130FP	0.0560	सराय	5433	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083130FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			13		तमाम	4	-	-	8	63MW
768141202GP	1.2132	सराय	2545	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48			2k		तमाम	13	-	-	14	100MW
766163472GP	2.8600	सराय	108	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-163-R4.7KP	Ear99	8533.21.0010	49			4.7k		तमाम	8	-	-	16	160MW
766143681GP	1.2910	सराय	3874	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-143-R680P	Ear99	8533.21.0010	56			680		तमाम	7	-	-	14	160MW
766141203JPTR13	-	सराय	7826	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर														तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-766141203JPTR13TR	Ear99	8533.21.0020	3,000
752103472GPTR13	1.2166	सराय	8236	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	10-yirटी				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000			4.7k		तमाम	5	-	-	10	160MW
741C083104J	-	सराय	9550	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.020 "(0.50 मिमी)	सतह rurcur	0804, अवतल, लंबे antaute rabur		741C083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	10,000			100k		तमाम	4	-	-	8	63MW
768143394GP	1.2132	सराय	3839	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48			390K		तमाम	7	-	-	14	200MW
766141680G	-	सराय	4543	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	56			68		तमाम	13	-	-	14	80MW
S42C083363FP	0.0914	सराय	4428	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083363FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			36k		तमाम	4	-	-	8	63MW
752123102GTR7	-	सराय	7782	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.665 "एल X 0.080" डबmutugh (16.89 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	12-एसआ				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000			1k		तमाम	6	-	-	12	160MW
RT1710B7	-	सराय	6330	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	थोक	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	LVDS, LVPECL	0.315 "एल x 0.157" डबtumaut (8.00 मिमी x 4.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	32-एलबीजीए				± 200ppm/° C		32-((8x4)	-	रोहस	1 (असीमित)			शिर	0000.00.0000	1			100		सींग	16	-	-	32	68MW
766161103JPTR13	-	सराय	1714	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	3,000			10k		तमाम	15	-	-	16	80MW
767141512GP	1.1988	सराय	4287	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	767-141-R5.1KP	Ear99	8533.21.0010	48			5.1k		तमाम	13	-	-	14	100MW
742C083821JTR	-	सराय	4404	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,		742C083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000			820		तमाम	4	-	-	8	63MW
752201473GPTR13	1.3488	सराय	4424	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	२०-				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000			47K		तमाम	18	-	-	20	80MW
S42X083302FP	0.0560	सराय	2476	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083302FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			3k		तमाम	4	-	-	8	63MW
767141124GP	1.1988	सराय	4790	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48			120k		तमाम	13	-	-	14	100MW
S42X083754JP	0.0412	सराय	2923	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083754JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			750k		तमाम	4	-	-	8	63MW
73M3AR00025F	1.8286	सराय	7874	सीटीएस rayr उत	73m3a	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.268 "एल X 0.256" PARCUTHUN (6.80 मिमी x 6.50 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)		सराय	सराय		0.25 MOHMS	± 200ppm/° C	-	2725	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	1,000	3 डब	2		तंग
767143474GPTR13	1.1757	सराय	4496	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			470K		तमाम	7	-	-	14	200MW
766161334G	-	सराय	8630	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	49			330K		तमाम	15	-	-	16	80MW
741x163102j	-	सराय	6038	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.156 "एल X 0.063" डबmuthut (3.95 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१५०६, क्यूट्यू, ए सिट्र		741x163		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000			1k		तमाम	8	-	-	16	63MW
S41X043180JP	0.0198	सराय	7611	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043180JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			18		तमाम	2	-	-	4	63MW
770105162/260	-	सराय	6105	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप				± 100ppm/° C		10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम		Ear99	8533.21.0050	250			162, 260		सींग	16	-	-	10	100MW
742C043101JP	0.1800	सराय	52	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल		742C043		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000			100		तमाम	2	-	-	4	63MW