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S42X083821JP	0.0412	सराय	1472	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083821JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			820		तमाम	4	-	-	8	63MW
73M5R013F	4.1814	सराय	5063	सीटीएस rayr उत	73m5	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.449 "एल x 0.272" डबmuntur (11.40 मिमी x 6.90 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)		सराय	सराय		13 कांपो	± 50ppm/° C	-	4527	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	500	5W	2		तंग
S42C163221GP	0.1813	सराय	3393	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट				± 200ppm/° C		2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163221GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000			220		तमाम	8	-	-	16	63MW
752091233JPTR13	-	सराय	5318	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर														तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		60-752091233JPTR13TR	Ear99	8533.21.0020	5,000
752123101GPTR7	1.4693	सराय	8265	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.665 "एल X 0.080" डबmutugh (16.89 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	12-एसआ				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000			100		तमाम	6	-	-	12	160MW
S42X083132JP	0.0412	सराय	1974	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083132JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			1.3k		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42X083514FP	0.0560	सराय	5756	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083514FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			510k		तमाम	4	-	-	8	63MW
RT1729B7	-	सराय	7501	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	थोक	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	LVDS, LVPECL	0.315 "एल x 0.157" डबtumaut (8.00 मिमी x 4.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	32-एलबीजीए				± 200ppm/° C		32-((8x4)	-	रोहस	1 (असीमित)			शिर	0000.00.0000	1			70, 240		सींग	24	-	-	32	68MW
73M1R007G	0.2563	सराय	6456	सीटीएस rayr उत	73M1	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 180 ° C		0.244 "एक एल lets 0.122" डबthauth, (6.20 मिमी x 3.10 मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)		2512 लीड-लीड	सराय		7 कांपो	± 180ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	1,000	1 तंग	2		तंग
73M2AR008F	0.7495	सराय	8405	सीटीएस rayr उत	73m2a	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी)	0.035 "(0.90 मिमी)		२५१२ (६४३२ सटरी)	सराय		8 कांपो	± 100ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	२ तंग	2		तंग
73M2AR010F	0.7495	सराय	8036	सीटीएस rayr उत	73m2a	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी)	0.035 "(0.90 मिमी)		२५१२ (६४३२ सटरी)	सराय		10 कांपो	± 50ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	२ तंग	2		तंग
73M5R050F	4.1814	सराय	8527	सीटीएस rayr उत	73m5	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.449 "एल x 0.272" डबmuntur (11.40 मिमी x 6.90 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)		सराय	सराय		५०	± 50ppm/° C	-	4527	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	500	5W	2		तंग
RT2467B7TR7	-	सराय	8117	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	सींग	0.354 "एल एल lect e.118" डबthaun यू (9.00 मिमी x 3.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	27-LBGA				± 200ppm/° C		27-((9x3)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	1,000			75		सींग	18	-	-	27	५० तंग
S42C043752GP	0.0600	सराय	8475	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043752GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			7.5k		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C083390GP	0.0813	सराय	4802	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083390GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			39		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C043333JP	0.0508	सराय	6222	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043333JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			33k		तमाम	2	-	-	4	63MW
S41X083364FP	0.0311	सराय	8433	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083364FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			360K		तमाम	4	-	-	8	31MW
745C101513JP	0.1408	सराय	6376	सीटीएस rayr उत	745	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.122" डबthutum (6.40 मिमी x 3.10 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२५१२ (६४३२ सटरी), ए, ए, एनी,		745C101		± 250ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			51K		तमाम	8	-	-	10	63MW
S42C083561JP	0.0680	सराय	6012	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083561JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			560		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42X083121FP	0.0560	सराय	4803	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083121FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			120		तमाम	4	-	-	8	63MW
RT2408B7TR13	-	सराय	8652	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	सींग	0.354 "एल एल lect e.118" डबthaun यू (9.00 मिमी x 3.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	27-LBGA				± 200ppm/° C		27-((9x3)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			25, 60		सींग	18	-	-	27	५० तंग
770103333	-	सराय	5924	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप				± 100ppm/° C		10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम		Ear99	8533.21.0050	250			33k		तमाम	5	-	-	10	100MW
S41X043823GP	0.0240	सराय	3698	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043823GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			82K		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C083133JP	0.0680	सराय	5453	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083133JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			13k		तमाम	4	-	-	8	63MW
767141561GP	1.1988	सराय	4088	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	767-141-R560P	Ear99	8533.21.0010	48			560		तमाम	13	-	-	14	100MW
766141224GP	1.2910	सराय	7514	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-141-R220KP	Ear99	8533.21.0010	56			220K		तमाम	13	-	-	14	80MW
S42C043101FP	0.0693	सराय	6844	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043101FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			100		तमाम	2	-	-	4	63MW
73L4R30G	0.0240	सराय	6171	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		१२०६ (३२१६ सटरी)	सराय		300	± 200ppm/° C	-	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.25W, 1/4W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
RT2427B6TR13	-	सराय	8566	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	GTL, GTL+, AGTL+	0.600 "एल x 0.150" डब24 (15.24 मिमी x 3.81 मिमी)	0.058 "(1.47 मिमी)	सतह rurcur	36-एलबीजीए				± 100ppm/° C		36-((15.24x3.81)	तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			56		सींग	32	-	-	36	५० तंग
744C043333JTR	-	सराय	2364	सीटीएस rayr उत	744	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.126 "एल x 0.100" डबthuthut (3.20 मिमी x 2.54 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	1210 (3225 मीटthurिक), अवतल		744C043		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			33k		तमाम	2	-	-	4	125MW