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767163511g	-	सराय	1852	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43			510		तमाम	8	-	-	16	200MW
767143123GP	1.1988	सराय	1368	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48			12k		तमाम	7	-	-	14	200MW
766145181A	-	सराय	5218	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-145-R330/390	Ear99	8533.21.0010	56			330, 390		सींग	24	-	-	14	80MW
766143680G	-	सराय	2792	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	56			68		तमाम	7	-	-	14	160MW
S42C043620GP	0.0600	सराय	7266	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043620GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			62		तमाम	2	-	-	4	63MW
741x08382222JP	0.0123	सराय	5126	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		741x083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	10,000			8.2k		तमाम	4	-	-	8	63MW
767141512G	-	सराय	9418	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48			5.1k		तमाम	13	-	-	14	100MW
745x102472JP	0.1227	सराय	7267	सीटीएस rayr उत	745	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल X 0.126" डबmutugh (6.40 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२५१२ (६४३२ सटरी), अटम,, लंबे antauk		745x102		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			4.7k		तमाम	8	-	-	10	63MW
S41X043130FP	0.0283	सराय	4582	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043130FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			13		तमाम	2	-	-	4	63MW
767143220GPTR13	1.1757	सराय	6656	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			22		तमाम	7	-	-	14	200MW
752103470GTR7	-	सराय	1021	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	10-yirटी				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000			47		तमाम	5	-	-	10	160MW
753161103GPTR7	2.0794	सराय	3859	सीटीएस rayr उत	753	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.245 "एल X 0.080" PARCAUTHUN	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	16-				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000			10k		तमाम	14	-	-	16	40MW
766163472G	-	सराय	1452	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	49			4.7k		तमाम	8	-	-	16	160MW
768143510GP	1.2132	सराय	9276	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48			51		तमाम	7	-	-	14	200MW
770103123	-	सराय	4507	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप				± 100ppm/° C		10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम		Ear99	8533.21.0050	250			12k		तमाम	5	-	-	10	100MW
752083103G	-	सराय	6972	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	8-एसआ				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	500			10k		तमाम	4	-	-	8	160MW
766163560G	-	सराय	3934	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	49			56		तमाम	8	-	-	16	160MW
S42X083273GP	0.0495	सराय	8172	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083273GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			27k		तमाम	4	-	-	8	63MW
S40X043104JP	0.0901	सराय	7897	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	0302 (0805 पचुर), अंह,				± 200ppm/° C		0302	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S40X043104JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			100k		तमाम	2	-	-	4	31MW
73L4R47G	0.0240	सराय	3729	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		१२०६ (३२१६ सटरी)	सराय		470 मोहम	± 200ppm/° C	-	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.25W, 1/4W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
73WE6R091F	0.3294	सराय	9971	सीटीएस rayr उत	73wex	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		अफ़सि	सराय		91 कांप	± 100ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S41X083750JP	0.0226	सराय	3005	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083750JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			75		तमाम	4	-	-	8	31MW
768141562G	-	सराय	1274	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	768-141-R5.6K	Ear99	8533.21.0010	48			5.6k		तमाम	13	-	-	14	100MW
S42C043120GP	0.0600	सराय	3723	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043120GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			12		तमाम	2	-	-	4	63MW
766163203G	-	सराय	6299	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	49			20k		तमाम	8	-	-	16	160MW
766141472GPTR13	1.1757	सराय	7229	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	3,000			4.7k		तमाम	13	-	-	14	80MW
S42C163470GP	0.1813	सराय	4460	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट				± 200ppm/° C		2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163470GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000			47		तमाम	8	-	-	16	63MW
742x083240JP	0.0226	सराय	4494	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay		742x083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000			24		तमाम	4	-	-	8	63MW
S41C083363JP	0.0481	सराय	1914	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083363JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			36k		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
742x083331jp	0.0226	सराय	9008	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay		742x083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000			330		तमाम	4	-	-	8	63MW