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S42C083303FP	0.0914	सराय	7023	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083303FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			30k		तमाम	4	-	-	8	63MW
S41C083151GP	0.0560	सराय	3624	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083151GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			150		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S42X083203FP	0.0560	सराय	3829	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antause				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083203FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			20k		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42X083430GP	0.0495	सराय	9570	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antause				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083430GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			43		तमाम	4	-	-	8	63MW
S41C083472GP	0.0560	सराय	3943	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083472GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			4.7k		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
752085191APTR13	1.3863	सराय	8146	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	8-एसआ				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000			330, 470		सींग	12	-	-	8	80MW
746x101152JP	0.3900	सराय	9	सीटीएस rayr उत	746	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antause		746x101		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000			1.5k		तमाम	8	-	-	10	31MW
S42C083511JP	0.0680	सराय	8824	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083511JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			510		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42X083330FP	0.0560	सराय	4672	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antause				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083330FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			33		तमाम	4	-	-	8	63MW
766143220GP	1.2910	सराय	8770	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-143-R222 पी	Ear99	8533.21.0010	56			22		तमाम	7	-	-	14	160MW
767141390GP	1.1988	सराय	1830	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	767-141-R39P	Ear99	8533.21.0010	48			39		तमाम	13	-	-	14	100MW
S41X043684FP	0.0283	सराय	4333	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043684FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			680k		तमाम	2	-	-	4	63MW
77083183p	0.6300	सराय	6338	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप				± 100ppm/° C		8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-83-R18KP	Ear99	8533.21.0050	1,000			18 k		तमाम	4	-	-	8	100MW
S42C043183GP	0.0600	सराय	8217	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043183GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			18 k		तमाम	2	-	-	4	63MW
745C101334JP	0.1408	सराय	9875	सीटीएस rayr उत	745	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल X 0.126" डबmutugh (6.40 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२५१२ (६४३२ सटरी), ए, ए, एनी,		745C101		± 250ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			330K		तमाम	8	-	-	10	63MW
766161123GP	1.2910	सराय	5271	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-161-R12KP	Ear99	8533.21.0010	49			12k		तमाम	15	-	-	16	80MW
S42C163104GP	0.1813	सराय	7621	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट				± 200ppm/° C		2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163104GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000			100k		तमाम	8	-	-	16	63MW
742C163103GP	-	सराय	5140	सीटीएस rayr उत	-	थोक	शिर														-				60-742C163103GP	Ear99	8533.21.0020	1
766163223GP	2.8500	सराय	1	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-163-R22KP	Ear99	8533.21.0010	49			22k		तमाम	8	-	-	16	160MW
73WL4R100F	0.0333	सराय	4921	सीटीएस rayr उत	73WLX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612	सराय		100 कांप	± 200ppm/° C	-	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.75W, 3/4W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
73L4R62J	0.0226	सराय	1199	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		१२०६ (३२१६ सटरी)	सराय		620 मोहम	± 200ppm/° C	-	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.25W, 1/4W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S42C043364FP	0.0693	सराय	3121	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043364FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			360K		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C083243JP	0.0680	सराय	8741	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083243JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			24k		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C083160FP	0.0914	सराय	4789	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083160FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			16		तमाम	4	-	-	8	63MW
767163105GP	2.8900	सराय	8873	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	767-163-R1MEGP	Ear99	8533.21.0010	43			1 मी		तमाम	8	-	-	16	200MW
S41X083392JP	0.0226	सराय	2993	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083392JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			3.9K		तमाम	4	-	-	8	31MW
77081104p	0.6400	सराय	1	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप				± 100ppm/° C		8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-81-R100KP	Ear99	8533.21.0050	1,000			100k		तमाम	7	-	-	8	100MW
77083272p	0.6300	सराय	7640	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप				± 100ppm/° C		8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-83-R2.7kp	Ear99	8533.21.0050	1,000			2.7k		तमाम	4	-	-	8	100MW
77083563p	0.6300	सराय	3642	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप				± 100ppm/° C		8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-83-R56KP	Ear99	8533.21.0050	1,000			56K		तमाम	4	-	-	8	100MW
768141561GP	1.2132	सराय	1992	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48			560		तमाम	13	-	-	14	100MW