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तमाम	सोरकम (यूएसडी)	अफ़सस	कांपना	मंचित	कसना	पैकेट	किलोश	कसना	सरायना	शिर	सराय	सदाबह (सवार)	तमाम	सवार	तमाम	तमाम	सराय	तमाम	तंग	सराफकस	तंग	रत्य	अफ़र	तक तक की स	अफ़सीर	ईसीसीएन	HTSUS	तंग	तंग (तंग)	तमाम	सटरी (ओम)	संघटन	सराय	सरायस	सियार	एक प्रकार का	अँगुला	क्योरस कांवस
73L1R47G	0.0139	सराय	9624	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)		०४०२	सराय		470 मोहम	± 300ppm/° C	-	0402	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	10,000	0.1W, 1/10W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
77081271p	0.6179	सराय	6519	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप				± 100ppm/° C		8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-81-R270p	Ear99	8533.21.0050	1,000			270		तमाम	7	-	-	8	100MW
752091101GP	1.5389	सराय	9661	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "एल x 0.080" डबthutum (13.08 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	9-				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250			100		तमाम	8	-	-	9	80MW
768161103JPTR13	-	सराय	5428	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर														तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-768161103JPTR13TR	Ear99	8533.21.0020	2,000
768161562GPTR13	1.1899	सराय	3039	सीटीएस rayr उत	768	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब exprign (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			5.6k		तमाम	15	-	-	16	100MW
S42C043122FP	0.0693	सराय	6151	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043122FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			1.2k		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42X083911JP	0.0412	सराय	4875	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antause				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083911JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			910		तमाम	4	-	-	8	63MW
741x083511jp	0.0123	सराय	5758	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,		741x083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	10,000			510		तमाम	4	-	-	8	63MW
766141123GP	1.2910	सराय	1386	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	56			12k		तमाम	13	-	-	14	80MW
766163101JPTR7	-	सराय	2211	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर														तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-766163101jptr7tr	Ear99	8533.21.0020	800
752243220JP	-	सराय	4086	सीटीएस rayr उत	-	थोक	शिर														तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		60-752243220JP	Ear99	8533.21.0020	250
767163121JP	-	सराय	2111	सीटीएस rayr उत	-	नली	शिर														तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-767163121JP	Ear99	8533.21.0020	43
766163102JP	-	सराय	1627	सीटीएस rayr उत	-	नली	शिर														तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-766163102JP	Ear99	8533.21.0020	49
767161104JP	-	सराय	8342	सीटीएस rayr उत	-	नली	शिर														तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-767161104JP	Ear99	8533.21.0020	43
767163221JPTR13	-	सराय	8553	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर														तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-767163221JPTR13TR	Ear99	8533.21.0020	2,000
767163472JPTR13	-	सराय	3820	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर														तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-767163472JPTR13TR	Ear99	8533.21.0020	2,000
752161473JPTR13	-	सराय	1114	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर														तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		60-752161473JPTR13TR	Ear99	8533.21.0020	5,000
RT1210WB7TR7	-	सराय	6363	सीटीएस rayr उत	-	थोक	शिर														-				60-RT1210WB7TR7	शिर		1
S41C083304GP	0.0560	सराय	7366	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083304GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			300k		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S42C083105JP	0.0680	सराय	2658	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083105JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			1 मी		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C043361FP	0.0693	सराय	5398	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043361FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			360		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42X083914GP	0.0495	सराय	6144	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antause				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083914GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			910k		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C083750JP	0.0680	सराय	1850	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083750JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			75		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42X083564GP	0.0495	सराय	8749	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antause				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083564GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			560k		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C163114JP	0.1518	सराय	8324	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट				± 200ppm/° C		2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163114JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000			110k		तमाम	8	-	-	16	63MW
S42X083124GP	0.0495	सराय	9953	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antause				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083124GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			120k		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C083360FP	0.0914	सराय	1675	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083360FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			36		तमाम	4	-	-	8	63MW
S41X043623FP	0.0283	सराय	2491	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043623FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			62k		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C043364GP	0.0600	सराय	2602	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043364GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			360K		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C163561GP	0.1813	सराय	5529	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट				± 200ppm/° C		2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163561GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000			560		तमाम	8	-	-	16	63MW