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S41X043561FP	0.0283	सराय	4340	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043561FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	560	तमाम	2	-	-	4	63MW
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S41X043161FP	0.0283	सराय	3843	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस	± 200ppm/° C	0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043161FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000	160	तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C163202JP	0.1518	सराय	7493	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट	± 200ppm/° C	2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163202JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000	2k	तमाम	8	-	-	16	63MW
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