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73L7R30F	0.3348	सराय	5857	सीटीएस rayr उत	73L7	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		२५१२ (६४३२ सटरी)	सराय		300	± 200ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
73L7R39F	0.3348	सराय	7738	सीटीएस rayr उत	73L7	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		२५१२ (६४३२ सटरी)	सराय		३ ९ ०	± 200ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
73M2AR039F	0.7495	सराय	5227	सीटीएस rayr उत	73m2a	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी)	0.035 "(0.90 मिमी)		२५१२ (६४३२ सटरी)	सराय		३ ९	± 50ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	२ तंग	2		तंग
73WL4R027J	0.0242	सराय	6457	सीटीएस rayr उत	73WLX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612	सराय		27 कांपो	± 500ppm/° C	-	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.75W, 3/4W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S41X083392FP	0.0311	सराय	2531	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083392FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			3.9K		तमाम	4	-	-	8	31MW
767143152GP	1.1988	सराय	1461	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	767-143-R1.5KP	Ear99	8533.21.0010	48			1.5k		तमाम	7	-	-	14	200MW
77061564	-	सराय	6068	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.600 "एल x 0.098" डबthutum (15.24 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	6 सिप				± 100ppm/° C		6 सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम		Ear99	8533.21.0050	250			560k		तमाम	5	-	-	6	100MW
S41X043680FP	0.0283	सराय	3192	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043680FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			68		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42X083304FP	0.0560	सराय	6094	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083304FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			300k		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C043912FP	0.0693	सराय	9403	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043912FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			9.1k		तमाम	2	-	-	4	63MW
768163512GPTR13	1.1899	सराय	6779	सीटीएस rayr उत	768	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			5.1k		तमाम	8	-	-	16	200MW
767163122GPTR13	1.1899	सराय	8164	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			1.2k		तमाम	8	-	-	16	200MW
S42C043133JP	0.0508	सराय	8778	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043133JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			13k		तमाम	2	-	-	4	63MW
73L0R68J	-	सराय	7223	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी)	0.010 "(0.26 मिमी)		०२०१ (०६०३ सटरी)	सराय		680 किलो	± 300ppm/° C	-	0201	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	15,000	0.063W, 1/16W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
766143820GPTR7	1.2910	सराय	2884	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	800			82		तमाम	7	-	-	14	160MW
S41X083430JP	0.0226	सराय	2023	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083430JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			43		तमाम	4	-	-	8	31MW
S42X083393JP	0.0412	सराय	8747	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083393JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			39k		तमाम	4	-	-	8	63MW
766141272GP	1.2910	सराय	4013	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	56			2.7k		तमाम	13	-	-	14	80MW
S42X083334JP	0.0412	सराय	1331	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083334JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			330K		तमाम	4	-	-	8	63MW
73L7R43J	0.1514	सराय	3573	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		२५१२ (६४३२ सटरी)	सराय		४३० सन्निक	± 200ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S42C043103FP	0.0693	सराय	7135	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043103FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			10k		तमाम	2	-	-	4	63MW
73M5R120F	4.1814	सराय	1623	सीटीएस rayr उत	73m5	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.449 "एल x 0.272" डबmuntur (11.40 मिमी x 6.90 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)		सराय	सराय		१२० सिपाही	± 50ppm/° C	-	4527	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	500	5W	2		तंग
742C083273JP	0.1000	सराय	10	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,		742C083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000			27k		तमाम	4	-	-	8	63MW
RT2500B7TR7	-	सराय	1141	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	-	-	-	-				± 200ppm/° C		-	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	1,000			130		सींग	16	-	-		५० तंग
77083221p	0.7000	सराय	4	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप				± 100ppm/° C		8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-83-R220p	Ear99	8533.21.0050	1,000			220		तमाम	4	-	-	8	100MW
73WL6R120J	0.1145	सराय	9204	सीटीएस rayr उत	73WLX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		अफ़सि	सराय		१२० सिपाही	± 200ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S42C043430GP	0.0600	सराय	9539	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043430GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			43		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C163181JP	0.1518	सराय	1676	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट				± 200ppm/° C		2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163181JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000			180		तमाम	8	-	-	16	63MW
S40X043112JP	0.0901	सराय	2923	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	0302 (0805 पचुर), अंह,				± 200ppm/° C		0302	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S40X043112JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			1.1k		तमाम	2	-	-	4	31MW
S42X083121JP	0.0412	सराय	1978	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083121JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			120		तमाम	4	-	-	8	63MW