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73WL6R560F	0.1651	सराय	5016	सीटीएस rayr उत	73WLX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		अफ़सि	सराय		५६० सन्निक	± 200ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S41X043163GP	0.0240	सराय	6476	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043163GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			16k		तमाम	2	-	-	4	63MW
767163682GPTR13	1.1899	सराय	2476	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			6.8k		तमाम	8	-	-	16	200MW
S42X083123FP	0.0560	सराय	4427	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083123FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			12k		तमाम	4	-	-	8	63MW
766163271GPTR7	1.2910	सराय	3353	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	800			270		तमाम	8	-	-	16	160MW
RT243B7TR13	-	सराय	9460	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-	-	-	-	-	-	-				-		-	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	4,000			-		-		-	-		-
73L7R43G	0.3122	सराय	2783	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		२५१२ (६४३२ सटरी)	सराय		४३० सन्निक	± 200ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S41X083821JP	0.0226	सराय	1630	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083821JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			820		तमाम	4	-	-	8	31MW
S42X083184GP	0.0495	सराय	7432	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083184GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			180k		तमाम	4	-	-	8	63MW
73WL7R150J	0.1948	सराय	6186	सीटीएस rayr उत	73WLX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.126 "एल X 0.248" PARCAUTUN (3.20 मिमी x 6.30 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		Vayaute 2512 (6432 PARCURिक), 1225	सराय		१५० किलो	± 200ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	२ तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
RT1418B6TR13	-	सराय	4326	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	PCI, PCIX	0.400 "एल X 0.150" डबthuthut (10.16 मिमी x 3.81 मिमी)	0.058 "(1.47 मिमी)	सतह rurcur	24-एलबीजीए				± 200ppm/° C		24-((10.16x3.81)	-		1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			8.2k		सींग	16	-	-	24	५० तंग
752243220GPTR7	1.6161	सराय	1101	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.665 "एल X 0.080" डबmutugh (16.89 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	२४-				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000			22		तमाम	12	-	-	24	160MW
S41X083220FP	0.0311	सराय	1013	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083220FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			22		तमाम	4	-	-	8	31MW
73WL6R560J	0.1145	सराय	3216	सीटीएस rayr उत	73WLX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		अफ़सि	सराय		५६० सन्निक	± 200ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S41X083512GP	0.0269	सराय	3756	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083512GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			5.1k		तमाम	4	-	-	8	31MW
752125191AP	1.6251	सराय	2145	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.665 "एल X 0.080" डबmutugh (16.89 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	12-एसआ				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250			330, 470		सींग	20	-	-	12	80MW
73L5R47J	0.4300	सराय	39	सीटीएस rayr उत	73L5	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "एल X 0.102" डब extunt (3.20 मिमी x 2.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		1210 (3225 कनर)	सराय		470 मोहम	± 200ppm/° C	-	1210	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.5W, 1/2W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
73M2AR033F	0.7495	सराय	4933	सीटीएस rayr उत	73m2a	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी)	0.035 "(0.90 मिमी)		२५१२ (६४३२ सटरी)	सराय		३३ सन्निक	± 50ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	२ तंग	2		तंग
73WL7R013J	0.1948	सराय	5160	सीटीएस rayr उत	73WLX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.126 "एल X 0.248" PARCAUTUN (3.20 मिमी x 6.30 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		Vayaute 2512 (6432 PARCURिक), 1225	सराय		13 कांपो	± 500ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	२ तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
742C163680JP	0.0970	सराय	2758	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट		742C163		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			68		तमाम	8	-	-	16	63MW
73L1R75J	0.0123	सराय	2190	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)		०४०२	सराय		750 किलो	± 300ppm/° C	-	0402	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	10,000	0.1W, 1/10W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S42C083473GP	0.0813	सराय	8217	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083473GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			47K		तमाम	4	-	-	8	63MW
S41C083204JP	0.0481	सराय	4554	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083204JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			200k		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
73WE6R033F	0.3294	सराय	9517	सीटीएस rayr उत	73wex	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		अफ़सि	सराय		३३ सन्निक	± 100ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
73E6R051J	0.2797	सराय	1251	सीटीएस rayr उत	73EX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		2010 (5025 पचुर)	सराय		५१ सन्नू	± 100ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
73L2R24J	0.0108	सराय	5889	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU	0.026 "(0.65 मिमी)		०६०३ (१६० of सोरक)	सराय		240	± 300ppm/° C	-	0603	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.1W, 1/10W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S41C083914JP	0.0481	सराय	9778	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083914JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			910k		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
73WE6R039J	0.2311	सराय	7536	सीटीएस rayr उत	73wex	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		अफ़सि	सराय		३ ९	± 100ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
767143511GP	1.1988	सराय	1520	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	767-143-R510P	Ear99	8533.21.0010	48			510		तमाम	7	-	-	14	200MW
S41C083362JP	0.0481	सराय	7950	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083362JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			3.6K		तमाम	4	-	-	8	31.25MW