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752091102GP	1.5389	सराय	1581	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.515 "एल x 0.080" डबthutum (13.08 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	9-				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-752091102GP	Ear99	8533.21.0020	250			1k		तमाम	8	-	-	9	80MW
S41X043364GP	0.0240	सराय	1650	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043364GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			360K		तमाम	2	-	-	4	63MW
745x101334jp	0.1227	सराय	1496	सीटीएस rayr उत	745	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल X 0.126" डबmutugh (6.40 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२५१२ (६४३२ सटरी), अटम,, लंबे antauk		745x101		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			330K		तमाम	8	-	-	10	63MW
77061122p	0.6488	सराय	9854	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.600 "एल x 0.098" डबthutum (15.24 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	6 सिप				± 100ppm/° C		6 सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-61-R1.2KP	Ear99	8533.21.0050	1,000			1.2k		तमाम	5	-	-	6	100MW
S41X043513JP	0.0198	सराय	3142	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043513JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			51K		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C163271GP	0.1813	सराय	1074	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट				± 200ppm/° C		2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163271GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000			270		तमाम	8	-	-	16	63MW
77083201p	0.6300	सराय	7518	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप				± 100ppm/° C		8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-83-R200p	Ear99	8533.21.0050	1,000			200		तमाम	4	-	-	8	100MW
766143152GP	1.2910	सराय	7579	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-143-R1.5KP	Ear99	8533.21.0010	56			1.5k		तमाम	7	-	-	14	160MW
S42C043913FP	0.0693	सराय	8546	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043913FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			91K		तमाम	2	-	-	4	63MW
752101221GPTR13	1.2166	सराय	4643	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	10-yirटी				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000			220		तमाम	9	-	-	10	80MW
S42X083183FP	0.0560	सराय	9893	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083183FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			18 k		तमाम	4	-	-	8	63MW
767161204GPTR13	1.1899	सराय	6334	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			200k		तमाम	15	-	-	16	100MW
766163394GPTR7	1.2910	सराय	1736	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	800			390K		तमाम	8	-	-	16	160MW
742C163101JP	0.5100	सराय	144	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट		742C163		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			100		तमाम	8	-	-	16	63MW
S42X083243JP	0.0412	सराय	5783	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083243JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			24k		तमाम	4	-	-	8	63MW
745C101104JTR	-	सराय	7889	सीटीएस rayr उत	745	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल X 0.126" डबmutugh (6.40 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२५१२ (६४३२ सटरी), ए, ए, एनी,		745C101		± 250ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			100k		तमाम	8	-	-	10	63MW
752081471GP	1.5389	सराय	3997	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	8-एसआ				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250			470		तमाम	7	-	-	8	80MW
S42C163160JP	0.1518	सराय	4273	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट				± 200ppm/° C		2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163160JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000			16		तमाम	8	-	-	16	63MW
745C101221JP	0.6400	सराय	11	सीटीएस rayr उत	745	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल X 0.126" डबmutugh (6.40 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२५१२ (६४३२ सटरी), ए, ए, एनी,		745C101		± 250ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			220		तमाम	8	-	-	10	63MW
S42C0431111JP	0.0508	सराय	5280	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043111JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			110		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C083184GP	0.0813	सराय	4404	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083184GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			180k		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C043564GP	0.0600	सराय	6595	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043564GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			560k		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42X083120FP	0.0560	सराय	2861	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083120FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			12		तमाम	4	-	-	8	63MW
73L6R12J	0.0805	सराय	2442	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		2010 (5025 पचुर)	सराय		१२० सिपाही	± 200ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	0.75W, 3/4W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
742C163222JP	0.5300	सराय	36	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट		742C163		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			2.2K		तमाम	8	-	-	16	63MW
S42C083182JP	0.0680	सराय	9637	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083182JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			1.8k		तमाम	4	-	-	8	63MW
766163152JPTR7	-	सराय	9439	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर														तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-766163152JPTR7TR	Ear99	8533.21.0020	800
766141512GPTR7	1.2910	सराय	9722	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	800			5.1k		तमाम	13	-	-	14	80MW
770101151p	0.7800	सराय	952	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप				± 100ppm/° C		10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-101-R150p	Ear99	8533.21.0050	1,000			150		तमाम	9	-	-	10	100MW
741x163513JP	0.0655	सराय	5199	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.156 "एल X 0.063" डबmuthut (3.95 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१५०६, क्यूट्यू, ए सिट्र		741x163		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000			51K		तमाम	8	-	-	16	63MW