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768163470GP	1.2132	सराय	4263	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43			47		तमाम	8	-	-	16	200MW
752161472JP	-	सराय	6104	सीटीएस rayr उत	-	थोक	शिर														तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		60-752161472JP	Ear99	8533.21.0020	250
S42C083684JP	0.0680	सराय	7326	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083684JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			680k		तमाम	4	-	-	8	63MW
752083472GP	1.4693	सराय	3737	सीटीएस rayr उत	752	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	8-एसआ				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	250			4.7k		तमाम	4	-	-	8	160MW
S41X083270GP	0.0269	सराय	7363	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083270GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			27		तमाम	4	-	-	8	31MW
S42C043101GP	0.0600	सराय	6436	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल				± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043101GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			100		तमाम	2	-	-	4	63MW
S41X043150FP	0.0283	सराय	6868	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043150FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			15		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C083473FP	0.0914	सराय	6201	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083473FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			47K		तमाम	4	-	-	8	63MW
743C043000XP	-	सराय	9860	सीटीएस rayr उत	743	R टेप ray ryील (ther)	शिर	तंग करना	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.100 "एल X 0.079" डब expriguth (2.54 मिमी x 2.00 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	1008, अवतल, लंबे kanauth ट				-		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			0.0		तमाम	2	-	-	4	100MW
RT1300B6PTR13	-	सराय	3609	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	LVD SCSI	0.450 "of x 0.200" डबthuthuth (11.43 मिमी x 5.08 मिमी)	0.058 "(1.47 मिमी)	सतह rurcur	36-एलबीजीए				± 200ppm/° C		36-((11.43x5.08)	तंग		1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			121, 475		सींग	27	-	-	36	५० तंग
S41X043331GP	0.0240	सराय	5384	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043331GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			330		तमाम	2	-	-	4	63MW
768161224GP	1.2132	सराय	8218	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43			220K		तमाम	15	-	-	16	100MW
766141470GPTR13	1.1757	सराय	4044	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	3,000			47		तमाम	13	-	-	14	80MW
S41X083621FP	0.0311	सराय	8703	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083621FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			620		तमाम	4	-	-	8	31MW
766141333GP	1.2910	सराय	3258	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-141-R33KP	Ear99	8533.21.0010	56			33k		तमाम	13	-	-	14	80MW
741C083150JP	0.1700	सराय	20	सीटीएस rayr उत	741	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.020 "(0.50 मिमी)	सतह rurcur	0804, अवतल, लंबे antaute rabur		741C083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	10,000			15		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42X083200GP	0.0495	सराय	2078	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083200GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			20		तमाम	4	-	-	8	63MW
753091222GPTR13	1.4863	सराय	9453	सीटीएस rayr उत	753	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.270 "एल X 0.080" PARCAUTH (6.86 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	9-				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000			2.2K		तमाम	8	-	-	9	40MW
S42X083184FP	0.0560	सराय	7064	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083184FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			180k		तमाम	4	-	-	8	63MW
752103752GPTR7	1.4693	सराय	1781	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	10-yirटी				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000			7.5k		तमाम	5	-	-	10	160MW
S41C083201GP	0.0560	सराय	5308	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083201GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			200		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
S41X043360JP	0.0198	सराय	5297	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043360JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			36		तमाम	2	-	-	4	63MW
77061224p	0.5700	सराय	1	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.600 "एल x 0.098" डबthutum (15.24 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	6 सिप				± 100ppm/° C		6 सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-61-R220KP	Ear99	8533.21.0050	1,000			220K		तमाम	5	-	-	6	100MW
742C1631000FP	0.3028	सराय	4873	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	तंग	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट		742C163		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			100		तमाम	8	-	-	16	63MW
766163560GPTR13	1.1757	सराय	2176	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	3,000			56		तमाम	8	-	-	16	160MW
767141272GP	1.1988	सराय	7527	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48			2.7k		तमाम	13	-	-	14	100MW
S41X083622GP	0.0269	सराय	4769	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083622GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			6.2k		तमाम	4	-	-	8	31MW
S41C083474GP	0.0560	सराय	4822	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,				± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083474GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			470K		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
77083223p	0.7000	सराय	2	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	8-सिप				± 100ppm/° C		8-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-83-R22KP	Ear99	8533.21.0050	1,000			22k		तमाम	4	-	-	8	100MW
73M1AR022F	0.6106	सराय	6322	सीटीएस rayr उत	73M1A	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.035 "(0.90 मिमी)		१२०६ (३२१६ सटरी)	सराय		२२ सिपाही	± 50ppm/° C	-	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		तंग