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S41X04312222GP	0.0240	सराय	8682	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस			± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043122GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			1.2k		तमाम	2	-	-	4	63MW
S41X083432JP	0.0226	सराय	3395	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,			± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083432JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			4.3k		तमाम	4	-	-	8	31MW
767161224GP	1.2132	सराय	9760	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)			± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	767-161-R220KP	Ear99	8533.21.0010	43			220K		तमाम	15	-	-	16	100MW
S42C083512GP	0.0813	सराय	9672	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,			± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083512GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			5.1k		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C083303GP	0.0813	सराय	7380	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,			± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083303GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			30k		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C043124GP	0.0600	सराय	4235	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल			± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043124GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			120k		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C043200FP	0.0693	सराय	8419	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल			± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043200FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			20		तमाम	2	-	-	4	63MW
766163393G	-	सराय	4977	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)			± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	49			39k		तमाम	8	-	-	16	160MW
766163392GP	1.2910	सराय	5829	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)			± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-163-r3.9kp	Ear99	8533.21.0010	49			3.9K		तमाम	8	-	-	16	160MW
767163201GPTR13	1.1899	सराय	4401	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)			± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			200		तमाम	8	-	-	16	200MW
S41X083623FP	0.0311	सराय	5498	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,			± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083623FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			62k		तमाम	4	-	-	8	31MW
768143821GPTR13	1.1899	सराय	6655	सीटीएस rayr उत	768	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)			± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			820		तमाम	7	-	-	14	200MW
S42C163244GP	0.1813	सराय	4476	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	२५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट			± 200ppm/° C		2506	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C163244GPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000			240k		तमाम	8	-	-	16	63MW
S42X083132GP	0.0495	सराय	9319	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay			± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083132GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			1.3k		तमाम	4	-	-	8	63MW
742C163820GP	-	सराय	6666	सीटीएस rayr उत	-	थोक	शिर													-				60-742C163820GP	Ear99	8533.21.0020	1
73WL6R047J	0.1145	सराय	5368	सीटीएस rayr उत	73WLX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		अफ़सि	सराय	47	± 350ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
767163823GP	1.2132	सराय	1604	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)			± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43			82K		तमाम	8	-	-	16	200MW
767141394G	-	सराय	2448	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)			± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48			390K		तमाम	13	-	-	14	100MW
76814322222GP	1.2132	सराय	4929	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)			± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48			2.2K		तमाम	7	-	-	14	200MW
768143201GP	1.2132	सराय	4133	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)			± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48			200		तमाम	7	-	-	14	200MW
73M2R007F	-	सराय	1616	सीटीएस rayr उत	73M2	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 180 ° C		0.252 "एक एल एक elcut 0.138" डबthauth यू (6.40 मिमी x 3.50 मिमी)	0.047 "(1.20 मिमी)		2512 लीड-लीड	सराय	7 कांपो	± 200ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	1,000	२ तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S41C083512JP	0.0481	सराय	6609	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,			± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083512JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			5.1k		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
767143151GPTR13	1.1757	सराय	8433	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)			± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			150		तमाम	7	-	-	14	200MW
S41X083272FP	0.0311	सराय	5051	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,			± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083272FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			2.7k		तमाम	4	-	-	8	31MW
752101102GTR7	-	सराय	4491	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	10-yirटी			± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000			1k		तमाम	9	-	-	10	80MW
77063154p	0.6179	सराय	4150	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.600 "एल x 0.098" डबthutum (15.24 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	6 सिप			± 100ppm/° C		6 सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-63-R150KP	Ear99	8533.21.0050	1,000			150k		तमाम	3	-	-	6	100MW
S41X043240GP	0.0240	सराय	2240	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस			± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043240GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			24		तमाम	2	-	-	4	63MW
73L6R51J	0.0805	सराय	8088	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.197 "एल X 0.098" डबmuntugh (5.00 मिमी x 2.50 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		2010 (5025 पचुर)	सराय	५१० सिपाही	± 200ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	0.75W, 3/4W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S41X043102FP	0.0283	सराय	6172	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस			± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043102FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			1k		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42C083224GP	0.0813	सराय	6524	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,			± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083224GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			220K		तमाम	4	-	-	8	63MW