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766161333GPTR13	1.1757	सराय	9677	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	3,000			33k		तमाम	15	-	-	16	80MW
752081471GPTR13	1.2166	सराय	1102	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	8-एसआ				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000			470		तमाम	7	-	-	8	80MW
768143563GPTR13	1.1899	सराय	9695	सीटीएस rayr उत	768	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			56K		तमाम	7	-	-	14	200MW
744C083510JP	-	सराय	6964	सीटीएस rayr उत	744	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.200 "एल x 0.126" डबthuthut (5.08 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२०१२, ए, क्यूटी		744C083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			51		तमाम	4	-	-	8	125MW
742C083474JP	0.2300	सराय	34	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,		742C083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000			470K		तमाम	4	-	-	8	63MW
768141181GP	1.2132	सराय	8058	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48			180		तमाम	13	-	-	14	100MW
767141221G	-	सराय	5555	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48			220		तमाम	13	-	-	14	100MW
73we4r010j	0.1128	सराय	1319	सीटीएस rayr उत	73wex	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612	सराय		10 कांपो	± 100ppm/° C	-	1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.75W, 3/4W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
742x083472JP	0.2100	सराय	13	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay		742x083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000			4.7k		तमाम	4	-	-	8	63MW
742C083124JTR	-	सराय	1872	सीटीएस rayr उत	742	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,		742C083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	5,000			120k		तमाम	4	-	-	8	63MW
752241682GPTR7	1.6934	सराय	9004	सीटीएस rayr उत	752	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.665 "एल X 0.080" डबmutugh (16.89 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	२४-				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000			6.8k		तमाम	22	-	-	24	80MW
744C083154JP	-	सराय	4379	सीटीएस rayr उत	744	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.200 "एल x 0.126" डबthuthut (5.08 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२०१२, ए, क्यूटी		744C083		± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			150k		तमाम	4	-	-	8	125MW
766161563GPTR7	1.2910	सराय	6286	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	800			56K		तमाम	15	-	-	16	80MW
752181103JPTR7	-	सराय	1893	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर														तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)		60-752181103JPTR7TR	Ear99	8533.21.0020	1,000
768201472GP	1.2277	सराय	1711	सीटीएस rayr उत	768	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.540 "एल X 0.220" lemuthum (13.70 मिमी x 5.59 मिमी)	0.071 "(1.80 मिमी)	सतह rurcur	20-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	35			4.7k		तमाम	19	-	-	20	100MW
767141101GPTR13	1.1757	सराय	2191	सीटीएस rayr उत	767	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	2,000			100		तमाम	13	-	-	14	100MW
S42C083333JP	0.0680	सराय	1477	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083333JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			33k		तमाम	4	-	-	8	63MW
767143220GP	1.1988	सराय	7759	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	48			22		तमाम	7	-	-	14	200MW
73L5R18J	0.0495	सराय	2364	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "एल X 0.102" डब extunt (3.20 मिमी x 2.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		1210 (3225 कनर)	सराय		180 किलो	± 200ppm/° C	-	1210	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.5W, 1/2W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
767161393GP	1.2132	सराय	6008	सीटीएस rayr उत	767	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी)	0.093 "(2.36 मिमी)	सतह rurcur	16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak)				± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	43			39k		तमाम	15	-	-	16	100MW
770101272	-	सराय	6402	सीटीएस rayr उत	770	थोक	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी)	0.195 "(4.95 मिमी)	होल के kaytaumauth से	10-सिप				± 100ppm/° C		10-सिप	तंग	Rohs3 आजthabaira	तंग	तमाम	770-101-R2.7K	Ear99	8533.21.0050	250			2.7k		तमाम	9	-	-	10	100MW
S41X043332GP	0.0240	सराय	1274	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस				± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043332GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			3.3k		तमाम	2	-	-	4	63MW
RT2230B7TR13	-	सराय	1824	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर	-	-	-	-	-	-	-				-		-	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	4,000			-		-		-	-		-
S42C083393GP	0.0813	सराय	4358	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,				± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083393GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			39k		तमाम	4	-	-	8	63MW
RT2415B6TR7	-	सराय	1392	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	PCI, PCIX	0.400 "एल X 0.150" डबthuthut (10.16 मिमी x 3.81 मिमी)	0.058 "(1.47 मिमी)	सतह rurcur	24-एलबीजीए				± 200ppm/° C		24-((10.16x3.81)	-	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)			Ear99	8533.21.0020	1,000			4.7k		सींग	8	-	-	24	५० तंग
RT2720B7TR13	-	सराय	8742	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	LVDS	0.630 "एल x 0.157" डबtumaut (16.00 मिमी x 4.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	64-एलबीजीए				± 200ppm/° C		64-((16x4)	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			100, 187		सींग	48	-	-	64	68MW
743C043333JP	-	सराय	2228	सीटीएस rayr उत	743	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.100 "एल X 0.079" डब expriguth (2.54 मिमी x 2.00 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	1008, अवतल, लंबे kanauth ट				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	743C043333JPTR	Ear99	8533.21.0020	4,000			33k		तमाम	2	-	-	4	100MW
743C083511JTR	-	सराय	9542	सीटीएस rayr उत	743	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.200 "एल x 0.079" डबthutum (5.08 of x 2.00 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	२००, अवतल, लॉन, लॉनthग kanauth इड				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			510		तमाम	4	-	-	8	100MW
753241104GPTR13	2.0800	सराय	3885	सीटीएस rayr उत	753	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.345 "एल X 0.080" डबthutum (8.76 मिमी x 2.03 मिमी)	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	२४-				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	3,000			100k		तमाम	22	-	-	24	40MW
743C043223JP	-	सराय	6731	सीटीएस rayr उत	743	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.100 "एल X 0.079" डब expriguth (2.54 मिमी x 2.00 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	1008, अवतल, लंबे kanauth ट				± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			22k		तमाम	2	-	-	4	100MW