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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना शिर सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सटरी (ओम) सराय सरायस सियार पrur-आवन-दु-ruirauthut अँगुला क्योरस कांवस
S42X083243GP CTS Resistor Products S42X083243GP 0.0495
सराय
ECAD 6916 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083243GPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 24k तमाम 4 - - 8 63MW
S41X043363FP CTS Resistor Products S41X043363FP 0.0283
सराय
ECAD 7031 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 200ppm/° C 0404 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X043363FPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 36k तमाम 2 - - 4 63MW
S41X043331JP CTS Resistor Products S41X043331JP 0.0198
सराय
ECAD 3227 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 200ppm/° C 0404 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X043331JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 330 तमाम 2 - - 4 63MW
S41X043163JP CTS Resistor Products S41X043163JP 0.0198
सराय
ECAD 1189 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 200ppm/° C 0404 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X043163JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 16k तमाम 2 - - 4 63MW
S42X083104JP CTS Resistor Products S42X083104JP 0.0412
सराय
ECAD 5300 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083104JPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 100k तमाम 4 - - 8 63MW
S41X043684JP CTS Resistor Products S41X043684JP 0.0198
सराय
ECAD 2578 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 200ppm/° C 0404 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X043684JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 680k तमाम 2 - - 4 63MW
S42X083432GP CTS Resistor Products S42X083432GP 0.0495
सराय
ECAD 4830 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083432GPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 4.3k तमाम 4 - - 8 63MW
S41X043680GP CTS Resistor Products S41X043680GP 0.0240
सराय
ECAD 7869 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 200ppm/° C 0404 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X043680GPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 68 तमाम 2 - - 4 63MW
S42C163131JP CTS Resistor Products S42C163131JP 0.1518
सराय
ECAD 5445 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur २५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट ± 200ppm/° C 2506 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C163131JPTR Ear99 8533.21.0020 4,000 130 तमाम 8 - - 16 63MW
S42C043110JP CTS Resistor Products S42C043110JP 0.0508
सराय
ECAD 7792 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur 0606, अवतल ± 200ppm/° C 0606 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C043110JPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 11 तमाम 2 - - 4 63MW
S42C043164JP CTS Resistor Products S42C043164JP 0.0508
सराय
ECAD 8722 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur 0606, अवतल ± 200ppm/° C 0606 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C043164JPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 160k तमाम 2 - - 4 63MW
S42X083224FP CTS Resistor Products S42X083224FP 0.0560
सराय
ECAD 3702 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083224FPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 220K तमाम 4 - - 8 63MW
S42X083562GP CTS Resistor Products S42X083562GP 0.0495
सराय
ECAD 1100 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083562GPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 5.6k तमाम 4 - - 8 63MW
S42C043104FP CTS Resistor Products S42C043104FP 0.0693
सराय
ECAD 9720 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur 0606, अवतल ± 200ppm/° C 0606 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C043104FPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 100k तमाम 2 - - 4 63MW
S40X043912JP CTS Resistor Products S40X043912JP 0.0901
सराय
ECAD 8028 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur 0302 (0805 पचुर), अंह, ± 200ppm/° C 0302 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S40X043912JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 9.1k तमाम 2 - - 4 31MW
S42C043121JP CTS Resistor Products S42C043121JP 0.0508
सराय
ECAD 4777 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur 0606, अवतल ± 200ppm/° C 0606 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C043121JPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 120 तमाम 2 - - 4 63MW
S42X083431JP CTS Resistor Products S42X083431JP 0.0412
सराय
ECAD 2456 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083431JPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 430 तमाम 4 - - 8 63MW
S42C043240FP CTS Resistor Products S42C043240FP 0.0693
सराय
ECAD 5017 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur 0606, अवतल ± 200ppm/° C 0606 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C043240FPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 24 तमाम 2 - - 4 63MW
S42C163203JP CTS Resistor Products S42C163203JP 0.1518
सराय
ECAD 8475 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur २५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट ± 200ppm/° C 2506 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C163203JPTR Ear99 8533.21.0020 4,000 20k तमाम 8 - - 16 63MW
S40X043513JP CTS Resistor Products S40X043513JP 0.0901
सराय
ECAD 2829 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur 0302 (0805 पचुर), अंह, ± 200ppm/° C 0302 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S40X043513JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 51K तमाम 2 - - 4 31MW
S42X083470JP CTS Resistor Products S42X083470JP 0.0412
सराय
ECAD 1798 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083470JPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 47 तमाम 4 - - 8 63MW
S42X083130JP CTS Resistor Products S42X083130JP 0.0412
सराय
ECAD 2799 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083130JPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 13 तमाम 4 - - 8 63MW
S42C163101GP CTS Resistor Products S42C163101GP 0.1813
सराय
ECAD 7082 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur २५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट ± 200ppm/° C 2506 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C163101GPTR Ear99 8533.21.0020 4,000 100 तमाम 8 - - 16 63MW
S41C083473GP CTS Resistor Products S41C083473GP 0.0560
सराय
ECAD 2596 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41C083473GPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 47K तमाम 4 - - 8 31.25MW
S42C043750GP CTS Resistor Products S42C043750GP 0.0600
सराय
ECAD 9815 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur 0606, अवतल ± 200ppm/° C 0606 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C043750GPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 75 तमाम 2 - - 4 63MW
S42C083333GP CTS Resistor Products S42C08333333GP 0.0813
सराय
ECAD 6963 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C083333GPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 33k तमाम 4 - - 8 63MW
S41X043473GP CTS Resistor Products S41X043473GP 0.0240
सराय
ECAD 9898 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 200ppm/° C 0404 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X043473GPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 47K तमाम 2 - - 4 63MW
S42X083274GP CTS Resistor Products S42X083274GP 0.0495
सराय
ECAD 8006 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083274GPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 270k तमाम 4 - - 8 63MW
S42X083101JP CTS Resistor Products S42X083101JP 0.0412
सराय
ECAD 2140 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083101JPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 100 तमाम 4 - - 8 63MW
S42C083431FP CTS Resistor Products S42C083431FP 0.0914
सराय
ECAD 3189 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C083431FPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 430 तमाम 4 - - 8 63MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम