दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कड़ा | पैकेट | किलोश | कड़ा | सरायना | शिर | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | तमाम | तमाम | सराय | तमाम | तंग | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तंग (तंग) | तमाम | सटरी (ओम) | संघटन | सराय | सरायस | सियार | एक प्रकार का | अँगुला | क्योरस कांवस |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 770103684p | 0.6528 | ![]() | 8009 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 770 | थोक | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.195 "(4.95 मिमी) | होल के kaytaumauth से | 10-सिप | ± 100ppm/° C | 10-सिप | तंग | Rohs3 आजthabaira | तंग | तमाम | 770-103-R680KP | Ear99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 680k | तमाम | 5 | - | - | 10 | 100MW | ||||||||
![]() | 752161473GPTR7 | 1.6934 | ![]() | 8847 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 752 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.465 "एल X 0.080" डबmutum (11.81 मिमी x 2.03 मिमी) | 0.100 "(2.53 मिमी) | सतह rurcur | 16- | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 47K | तमाम | 14 | - | - | 16 | 80MW | |||||||||
745C101153JP | 0.6000 | ![]() | 57 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 745 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "एल X 0.126" डबmutugh (6.40 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.028 "(0.70 मिमी) | सतह rurcur | २५१२ (६४३२ सटरी), ए, ए, एनी, | 745C101 | ± 250ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 15k | तमाम | 8 | - | - | 10 | 63MW | |||||||||
![]() | S42X083223JP | 0.0412 | ![]() | 6578 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay | ± 200ppm/° C | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42X083223JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 22k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||||
![]() | 767141274GP | 1.1988 | ![]() | 2588 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 767 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.093 "(2.36 मिमी) | सतह rurcur | 14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 270k | तमाम | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||||||||
![]() | 73M3BR027F | 1.9175 | ![]() | 1284 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 73m3b | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 155 ° C | 0.264 "एल x 0.283" डबthutum (6.70 मिमी x 7.20 मिमी) | 0.051 "(1.30 मिमी) | सराय | सराय | 27 कांपो | ± 50ppm/° C | - | 2726 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0030 | 1,000 | 3 डब | 2 | तंग | ||||||||||||
![]() | S40X043361JP | 0.0901 | ![]() | 4625 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी) | 0.016 "(0.40 मिमी) | सतह rurcur | 0302 (0805 पचुर), अंह, | ± 200ppm/° C | 0302 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S40X043361JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 360 | तमाम | 2 | - | - | 4 | 31MW | ||||||||
752103752GP | 1.4693 | ![]() | 6391 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 752 | थोक | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी) | 0.100 "(2.53 मिमी) | सतह rurcur | 10-yirटी | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | 7.5k | तमाम | 5 | - | - | 10 | 160MW | ||||||||||
![]() | 767161683GPTR13 | 1.1899 | ![]() | 5832 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 767 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.093 "(2.36 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 68k | तमाम | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||||||||
![]() | S42C043182GP | 0.0600 | ![]() | 4419 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.022 "(0.55 मिमी) | सतह rurcur | 0606, अवतल | ± 200ppm/° C | 0606 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C043182GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 1.8k | तमाम | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||||||||
![]() | RT2471B7TR13 | - | ![]() | 3698 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | Ear99 | 8533.21.0020 | 4,000 | - | - | - | - | - | ||||||||||||
![]() | 768163221GPTR13 | 1.1899 | ![]() | 3250 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 768 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.071 "(1.80 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 220 | तमाम | 8 | - | - | 16 | 200MW | |||||||||
![]() | S42C163360JP | 0.1518 | ![]() | 1906 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | २५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट | ± 200ppm/° C | 2506 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C163360JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 36 | तमाम | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||||||||
![]() | 766143823GPTR13 | 1.1757 | ![]() | 1927 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 766 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी) | 0.069 "(1.75 मिमी) | सतह rurcur | 14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 3,000 | 82K | तमाम | 7 | - | - | 14 | 160MW | |||||||||
![]() | RT2463B7PTR7 | - | ![]() | 4068 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | Clearone ™ | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | सींग | 0.354 "एल एल lectus 0.157" डबchauth, (9.00 मिमी x 4.00 मिमी) | 0.053 "(1.34 मिमी) | सतह rurcur | 36-एलबीजीए | ± 200ppm/° C | 36-((9x4) | - | रोहस अफ़मार | 1 (असीमित) | Ear99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 33 | सींग | 18 | - | - | 36 | ५० तंग | ||||||||||
![]() | 73WL4R200J | 0.0242 | ![]() | 5649 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 73WLX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | 0.063 "एक एल lectus 0.126" lescunt (1.60 मिमी x 3.20 मिमी) | 0.028 "(0.70 मिमी) | स्याल 1206 (3216 पेरसिन), 0612 | सराय | २०० | ± 200ppm/° C | - | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0030 | 5,000 | 0.75W, 3/4W | 2 | Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प | ||||||||||||
![]() | 766165750APTR7 | 1.7098 | ![]() | 6826 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 766 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी) | 0.069 "(1.75 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 150 | सींग | 28 | - | - | 16 | 80MW | |||||||||
![]() | 766143101GPTR13 | 1.1757 | ![]() | 1657 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 766 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी) | 0.069 "(1.75 मिमी) | सतह rurcur | 14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 3,000 | 100 | तमाम | 7 | - | - | 14 | 160MW | |||||||||
![]() | S42C043331FP | 0.0693 | ![]() | 7476 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.022 "(0.55 मिमी) | सतह rurcur | 0606, अवतल | ± 200ppm/° C | 0606 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C043331FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 330 | तमाम | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||||||||
![]() | S42X083470FP | 0.0560 | ![]() | 3235 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay | ± 200ppm/° C | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42X083470FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 47 | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||||
![]() | S41C083682GP | 0.0560 | ![]() | 9992 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.018 "(0.45 मिमी) | सतह rurcur | 0804, क्योर, एथल, | ± 200ppm/° C | 0804 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S41C083682GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 6.8k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | ||||||||
![]() | 742C08322222JP | 0.2700 | ![]() | 38 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 742 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.028 "(0.70 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, | 742C083 | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 2.2K | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||||
![]() | S41X083224JP | 0.0226 | ![]() | 7213 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.018 "(0.45 मिमी) | सतह rurcur | 0804, क्योर, एथल, | ± 200ppm/° C | 0804 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S41X083224JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 220K | तमाम | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||||||||
![]() | 767141181GPTR13 | 1.1757 | ![]() | 4291 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 767 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.093 "(2.36 मिमी) | सतह rurcur | 14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 180 | तमाम | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||||||||
![]() | 741C083334JP | 0.0184 | ![]() | 5650 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 741 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | ऑटोमोटिव AEC-Q200, DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.020 "(0.50 मिमी) | सतह rurcur | 0804, अवतल, लंबे antaute rabur | 741C083 | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 741C083334JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 330K | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | |||||||
![]() | 73L4R56G | 0.0240 | ![]() | 1371 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 73LX | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.028 "(0.70 मिमी) | १२०६ (३२१६ सटरी) | सराय | ५६० सन्निक | ± 200ppm/° C | - | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0030 | 5,000 | 0.25W, 1/4W | 2 | Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प | ||||||||||||
![]() | S42C043181FP | 0.0693 | ![]() | 7649 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.022 "(0.55 मिमी) | सतह rurcur | 0606, अवतल | ± 200ppm/° C | 0606 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C043181FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 180 | तमाम | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||||||||
![]() | 767161183GP | 1.2132 | ![]() | 2074 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 767 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.093 "(2.36 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 18 k | तमाम | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||||||||
![]() | S41X083334FP | 0.0311 | ![]() | 3834 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.018 "(0.45 मिमी) | सतह rurcur | 0804, क्योर, एथल, | ± 200ppm/° C | 0804 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S41X083334FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 330K | तमाम | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||||||||
![]() | 770103271 | - | ![]() | 4054 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 770 | थोक | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.195 "(4.95 मिमी) | होल के kaytaumauth से | 10-सिप | ± 100ppm/° C | 10-सिप | तंग | Rohs3 आजthabaira | तंग | तमाम | Ear99 | 8533.21.0050 | 250 | 270 | तमाम | 5 | - | - | 10 | 100MW |
दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा
मानक उत्पाद एकक
दुनिया भर में निर्माता
चाल-चलन गोदाम