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S42C083914JP	0.0680	सराय	4202	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,			± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083914JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			910k		तमाम	4	-	-	8	63MW
S41C083203FP	0.0653	सराय	2977	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,			± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41C083203FPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			20k		तमाम	4	-	-	8	31.25MW
73WL6R220F	0.1651	सराय	2943	सीटीएस rayr उत	73WLX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		अफ़सि	सराय	220 किलो	± 200ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S40X043114JP	0.0901	सराय	4609	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.033 "एल x 0.024" PARCUTHUN (0.85 मिमी x 0.60 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	0302 (0805 पचुर), अंह,			± 200ppm/° C		0302	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S40X043114JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			110k		तमाम	2	-	-	4	31MW
S42C083754FP	0.0914	सराय	4785	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,			± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083754FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			750k		तमाम	4	-	-	8	63MW
73L3R36J	0.0139	सराय	6385	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी)	0.026 "(0.65 मिमी)		0805 (2012 पचुर)	सराय	360 मोहम	± 200ppm/° C	-	0805	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.125W, 1/8W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S41X083113GP	0.0269	सराय	5039	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.018 "(0.45 मिमी)	सतह rurcur	0804, क्योर, एथल,			± 200ppm/° C		0804	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X083113GPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			11k		तमाम	4	-	-	8	31MW
73WE7R011F	0.4018	सराय	3883	सीटीएस rayr उत	73wex	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.126 "एल X 0.248" PARCAUTUN (3.20 मिमी x 6.30 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		Vayaute 2512 (6432 PARCURिक), 1225	सराय	11	± 100ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	२ तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S42C083364GP	0.0813	सराय	5475	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,			± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083364GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			360K		तमाम	4	-	-	8	63MW
S42C043181JP	0.0508	सराय	6451	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल			± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043181JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			180		तमाम	2	-	-	4	63MW
73WE6R018J	0.2311	सराय	5919	सीटीएस rayr उत	73wex	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		अफ़सि	सराय	18 कांपो	± 100ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
73L5R82F	0.0547	सराय	6982	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.126 "एल X 0.102" डब extunt (3.20 मिमी x 2.60 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)		1210 (3225 कनर)	सराय	820 MOHMS	± 100ppm/° C	-	1210	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	5,000	0.5W, 1/2W	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
743C04322222JP	-	सराय	9794	सीटीएस rayr उत	743	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.100 "एल X 0.079" डब expriguth (2.54 मिमी x 2.00 मिमी)	0.028 "(0.70 मिमी)	सतह rurcur	1008, अवतल, लंबे kanauth ट			± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			2.2K		तमाम	2	-	-	4	100MW
S42C043272FP	0.0693	सराय	2749	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	0606, अवतल			± 200ppm/° C		0606	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C043272FPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			2.7k		तमाम	2	-	-	4	63MW
73WE6R068F	0.3294	सराय	9595	सीटीएस rayr उत	73wex	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		अफ़सि	सराय	68 कांप	± 100ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
73WE7R012J	0.3042	सराय	2455	सीटीएस rayr उत	73wex	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.126 "एल X 0.248" PARCAUTUN (3.20 मिमी x 6.30 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		Vayaute 2512 (6432 PARCURिक), 1225	सराय	१२ सन्निक	± 100ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	२ तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
766143272GPTR13	1.1757	सराय	4023	सीटीएस rayr उत	766	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)			± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0010	3,000			2.7k		तमाम	7	-	-	14	160MW
753163182GPTR7	2.0285	सराय	5759	सीटीएस rayr उत	753	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.245 "एल X 0.080" PARCAUTHUN	0.100 "(2.53 मिमी)	सतह rurcur	16-			± 200ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	1,000			1.8k		तमाम	8	-	-	16	80MW
73WL6R330J	0.1145	सराय	4024	सीटीएस rayr उत	73WLX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		अफ़सि	सराय	३३० सिपाही	± 200ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
73WE6R016J	0.2311	सराय	2692	सीटीएस rayr उत	73wex	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		अफ़सि	सराय	16	± 100ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
73L7R27J	0.1514	सराय	9627	सीटीएस rayr उत	73LX	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C		0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		२५१२ (६४३२ सटरी)	सराय	270 किलो	± 200ppm/° C	-	2512	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
RT1417B7TR13	-	सराय	5162	सीटीएस rayr उत	Clearone ™	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 125 ° C	PCI, PCIX	0.315 "एल X 0.118" डब extuntur (8.00 मिमी x 3.00 मिमी)	0.053 "(1.34 मिमी)	सतह rurcur	24-एलबीजीए			± 200ppm/° C		24-((8x3)	-		1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0020	4,000			4.7k		सींग	16	-	-	24	५० तंग
S41X043112JP	0.0198	सराय	4914	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी)	0.016 "(0.40 मिमी)	सतह rurcur	०४०४ (१०१० सटरी), कांवस			± 200ppm/° C		0404	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S41X043112JPTR	Ear99	8533.21.0020	10,000			1.1k		तमाम	2	-	-	4	63MW
S42X083103GP	0.0495	सराय	1086	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.024 "(0.60 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay			± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42X083103GPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			10k		तमाम	4	-	-	8	63MW
766143511GP	1.2910	सराय	2658	सीटीएस rayr उत	766	नली	शिर	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	-	0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी)	0.069 "(1.75 मिमी)	सतह rurcur	14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak)			± 100ppm/° C		-	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	766-143-R510P	Ear99	8533.21.0010	56			510		तमाम	7	-	-	14	160MW
767161102JPTR13	-	सराय	5246	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर													तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-767161102JPTR13TR	Ear99	8533.21.0020	2,000
73WE6R016F	0.3294	सराय	6545	सीटीएस rayr उत	73wex	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी)	0.028 "(0.71 मिमी)		अफ़सि	सराय	16	± 100ppm/° C	-	2010	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	4,000	1 तंग	2		Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प
S42C083620JP	0.0680	सराय	4729	सीटीएस rayr उत	S4X	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	DDR SDRAM, DRAM, MDDR	0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी)	0.022 "(0.55 मिमी)	सतह rurcur	१२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी,			± 200ppm/° C		1206	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम	60-S42C083620JPTR	Ear99	8533.21.0020	5,000			62		तमाम	4	-	-	8	63MW
73M3AR0005F	1.8286	सराय	8253	सीटीएस rayr उत	73m3a	R टेप ray ryील (ther)	शिर	± 1%	-55 ° C ~ 155 ° C		0.268 "एल X 0.256" PARCUTHUN (6.80 मिमी x 6.50 मिमी)	0.051 "(1.30 मिमी)		सराय	सराय	0.5 mohms	± 200ppm/° C	-	2725	तंग	Rohs3 आजthabaira	1 (असीमित)	तमाम		Ear99	8533.21.0030	1,000	3 डब	2		तंग
766163100JPTR13	-	सराय	2333	सीटीएस rayr उत	-	R टेप ray ryील (ther)	शिर													तंग	रोहस अफ़मार	1 (असीमित)		60-766163100JPTR13TR	Ear99	8533.21.0020	3,000