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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना शिर सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार तमाम तमाम सराय तमाम तंग सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तंग (तंग) तमाम सटरी (ओम) संघटन सराय सरायस सियार एक प्रकार का अँगुला क्योरस कांवस
S41C083130JP CTS Resistor Products S41C083130JP 0.0481
सराय
ECAD 9630 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41C083130JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 13 तमाम 4 - - 8 31.25MW
S42X083822GP CTS Resistor Products S42x083822222222222222gp 0.0495
सराय
ECAD 4706 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083822GPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 8.2k तमाम 4 - - 8 63MW
S42C163110JP CTS Resistor Products S42C163110JP 0.1518
सराय
ECAD 5429 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur २५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट ± 200ppm/° C 2506 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C163110JPTR Ear99 8533.21.0020 4,000 11 तमाम 8 - - 16 63MW
S41X043302JP CTS Resistor Products S41X043302JP 0.0198
सराय
ECAD 7785 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 200ppm/° C 0404 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X043302JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 3k तमाम 2 - - 4 63MW
S41C083620JP CTS Resistor Products S41C083620JP 0.0481
सराय
ECAD 7142 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41C083620JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 62 तमाम 4 - - 8 31.25MW
S42C043474JP CTS Resistor Products S42C043474JP 0.0508
सराय
ECAD 2019 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur 0606, अवतल ± 200ppm/° C 0606 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C043474JPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 470K तमाम 2 - - 4 63MW
S42C043183FP CTS Resistor Products S42C043183FP 0.0693
सराय
ECAD 9487 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur 0606, अवतल ± 200ppm/° C 0606 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C043183FPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 18 k तमाम 2 - - 4 63MW
S41X083911GP CTS Resistor Products S41X083911GP 0.0269
सराय
ECAD 3570 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X083911GPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 910 तमाम 4 - - 8 31MW
S42X083911GP CTS Resistor Products S42X083911GP 0.0495
सराय
ECAD 1281 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083911GPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 910 तमाम 4 - - 8 63MW
S41X043202JP CTS Resistor Products S41X043202JP 0.0198
सराय
ECAD 9231 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 200ppm/° C 0404 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X043202JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 2k तमाम 2 - - 4 63MW
S42C083474FP CTS Resistor Products S42C083474FP 0.0914
सराय
ECAD 5141 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C083474FPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 470K तमाम 4 - - 8 63MW
S42C163164JP CTS Resistor Products S42C163164JP 0.1518
सराय
ECAD 1092 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur २५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट ± 200ppm/° C 2506 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C163164JPTR Ear99 8533.21.0020 4,000 160k तमाम 8 - - 16 63MW
S42C083913GP CTS Resistor Products S42C083913GP 0.0813
सराय
ECAD 6453 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C083913GPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 91K तमाम 4 - - 8 63MW
S41X043750JP CTS Resistor Products S41X043750JP 0.0198
सराय
ECAD 8410 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 200ppm/° C 0404 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X043750JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 75 तमाम 2 - - 4 63MW
S42X083910FP CTS Resistor Products S42X083910FP 0.0560
सराय
ECAD 4628 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42X083910FPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 91 तमाम 4 - - 8 63MW
S41X043153GP CTS Resistor Products S41X043153GP 0.0240
सराय
ECAD 6968 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 200ppm/° C 0404 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X043153GPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 15k तमाम 2 - - 4 63MW
S42C043470GP CTS Resistor Products S42C043470GP 0.0600
सराय
ECAD 3032 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur 0606, अवतल ± 200ppm/° C 0606 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C043470GPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 47 तमाम 2 - - 4 63MW
753101473GP CTS Resistor Products 753101473GP 1.9136
सराय
ECAD 2086 0.00000000 सीटीएस rayr उत 753 थोक शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.295 "एल x 0.080" डबmuthut (7.49 मिमी x 2.03 मिमी) 0.100 "(2.53 मिमी) सतह rurcur 10-yirटी ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-753101473GP Ear99 8533.21.0020 250 47K तमाम 9 - - 10 40MW
S42C163132JP CTS Resistor Products S42C163132JP 0.1518
सराय
ECAD 5504 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी) 0.024 "(0.60 मिमी) सतह rurcur २५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट ± 200ppm/° C 2506 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C163132JPTR Ear99 8533.21.0020 4,000 1.3k तमाम 8 - - 16 63MW
S41X043363JP CTS Resistor Products S41X043363JP 0.0198
सराय
ECAD 2535 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.016 "(0.40 मिमी) सतह rurcur ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस ± 200ppm/° C 0404 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X043363JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 36k तमाम 2 - - 4 63MW
S41C083132FP CTS Resistor Products S41C083132FP 0.0653
सराय
ECAD 6939 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41C083132FPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 1.3k तमाम 4 - - 8 31.25MW
S41C083914GP CTS Resistor Products S41C083914GP 0.0560
सराय
ECAD 2702 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41C083914GPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 910k तमाम 4 - - 8 31.25MW
S41C083392FP CTS Resistor Products S41C083392FP 0.0653
सराय
ECAD 9497 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41C083392FPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 3.9K तमाम 4 - - 8 31.25MW
S42C083681FP CTS Resistor Products S42C083681FP 0.0914
सराय
ECAD 2726 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, ± 200ppm/° C 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S42C083681FPTR Ear99 8533.21.0020 5,000 680 तमाम 4 - - 8 63MW
744C083751JP CTS Resistor Products 744C083751JP -
सराय
ECAD 8186 0.00000000 सीटीएस rayr उत 744 R टेप ray ryील (ther) शिर 744C083 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 60-744C083751JPTR Ear99 8533.21.0020 4,000
73M2AR040F CTS Resistor Products 73M2AR040F -
सराय
ECAD 4995 0.00000000 सीटीएस rayr उत 73m2a R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 155 ° C 0.248 "एक एल lect e.126" डबthautun (6.30 मिमी x 3.20 मिमी) 0.043 ”(1.10 मिमी) २५१२ (६४३२ सटरी) सराय 40 मोहम ± 50ppm/° C - 2512 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-73M2AR040FTR Ear99 8533.21.0030 4,000 २ तंग 2 तंग
RT1200B7 CTS Resistor Products RT1200B7 -
सराय
ECAD 2239 0.00000000 सीटीएस rayr उत Clearone ™ थोक शिर ± 1% -55 ° C ~ 125 ° C कॉमmuntumage pci® 0.315 "एल x 0.157" डबtumaut (8.00 मिमी x 4.00 मिमी) 0.053 "(1.34 मिमी) सतह rurcur 36-एलबीजीए ± 200ppm/° C 36-((8x4) - रोहस 1 (असीमित) Ear99 8533.21.0020 1 10 सींग 16 - - 36 ५० तंग
S41X083220GP CTS Resistor Products S41X083220GP 0.0269
सराय
ECAD 8248 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X083220GPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 22 तमाम 4 - - 8 31MW
752103103GP CTS Resistor Products 752103103GP 1.4693
सराय
ECAD 4376 0.00000000 सीटीएस rayr उत 752 थोक शिर ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.565 "एक एक lect.080" डबthauth यू (14.35 मिमी x 2.03 मिमी) 0.100 "(2.53 मिमी) सतह rurcur 10-yirटी ± 200ppm/° C - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8533.21.0020 250 10k तमाम 5 - - 10 160MW
S41X083302JP CTS Resistor Products S41X083302JP 0.0226
सराय
ECAD 3975 0.00000000 सीटीएस rayr उत S4X R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C DDR SDRAM, DRAM, MDDR 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) 0.018 "(0.45 मिमी) सतह rurcur 0804, क्योर, एथल, ± 200ppm/° C 0804 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 60-S41X083302JPTR Ear99 8533.21.0020 10,000 3k तमाम 4 - - 8 31MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम