दूरभाष: +86-0755-83501315
छवि | तमाम | सोरकम (यूएसडी) | अफ़सस | इकैड | कांपना | (सराय) | मंचित | कसना | पैकेट | किलोश | कसना | सरायना | शिर | सराय | सदाबह (सवार) | तमाम | सवार | तमाम | तमाम | सराय | तमाम | तंग | सराफकस | तंग | रत्य | अफ़र | तक तक की स | अफ़सीर | ईसीसीएन | HTSUS | तंग | तंग (तंग) | तमाम | सटरी (ओम) | संघटन | सराय | सरायस | सियार | एक प्रकार का | अँगुला | क्योरस कांवस |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
753163102GPTR13 | 1.7738 | ![]() | 4895 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 753 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.245 "एल X 0.080" PARCAUTHUN | 0.100 "(2.53 मिमी) | सतह rurcur | 16- | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 3,000 | 1k | तमाम | 8 | - | - | 16 | 80MW | ||||||||||
![]() | S42C043114FP | 0.0693 | ![]() | 3445 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.022 "(0.55 मिमी) | सतह rurcur | 0606, अवतल | ± 200ppm/° C | 0606 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C043114FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 110k | तमाम | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||||||||
![]() | S42C043563GP | 0.0600 | ![]() | 2144 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.063 "एल X 0.063" डबthutum (1.60 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.022 "(0.55 मिमी) | सतह rurcur | 0606, अवतल | ± 200ppm/° C | 0606 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C043563GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 56K | तमाम | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||||||||
![]() | 77083393p | 0.6300 | ![]() | 2187 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 770 | थोक | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.800 "एल X 0.098" डब expriguth (20.32 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.195 "(4.95 मिमी) | होल के kaytaumauth से | 8-सिप | ± 100ppm/° C | 8-सिप | तंग | Rohs3 आजthabaira | तंग | तमाम | 770-83-R39KP | Ear99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 39k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 100MW | ||||||||
![]() | 766161331GPTR13 | 1.1757 | ![]() | 9141 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 766 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी) | 0.069 "(1.75 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 3,000 | 330 | तमाम | 15 | - | - | 16 | 80MW | |||||||||
![]() | 73WE6R010J | 0.2311 | ![]() | 8725 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 73wex | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 155 ° C | 0.098 "एक एल lectus 0.197" डबchautun (2.50 मिमी x 5.00 मिमी) | 0.028 "(0.71 मिमी) | अफ़सि | सराय | 10 कांपो | ± 100ppm/° C | - | 2010 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0030 | 4,000 | 1 तंग | 2 | Rayrणों की की सतह सतह सतह सतह प प प | ||||||||||||
![]() | S41X043244JP | 0.0198 | ![]() | 1992 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.016 "(0.40 मिमी) | सतह rurcur | ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस | ± 200ppm/° C | 0404 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S41X043244JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 240k | तमाम | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||||||||
![]() | S41X083242JP | 0.0226 | ![]() | 5986 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.018 "(0.45 मिमी) | सतह rurcur | 0804, क्योर, एथल, | ± 200ppm/° C | 0804 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S41X083242JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 2.4k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 31MW | ||||||||
753161473GPTR7 | 2.0794 | ![]() | 9125 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 753 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.245 "एल X 0.080" PARCAUTHUN | 0.100 "(2.53 मिमी) | सतह rurcur | 16- | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 1,000 | 47K | तमाम | 14 | - | - | 16 | 40MW | ||||||||||
![]() | 753123101GPTR13 | 1.4863 | ![]() | 3038 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 753 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.345 "एल X 0.080" डबthutum (8.76 मिमी x 2.03 मिमी) | 0.100 "(2.53 मिमी) | सतह rurcur | 12-एसआ | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 3,000 | 100 | तमाम | 6 | - | - | 12 | 80MW | |||||||||
![]() | RT142B7TR13 | - | ![]() | 1409 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | - | R टेप ray ryील (ther) | शिर | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | रोहस | 1 (असीमित) | शिर | 0000.00.0000 | 4,000 | - | - | - | - | - | ||||||||||||
![]() | S42C08322222JP | 0.0680 | ![]() | 4621 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.022 "(0.55 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सिट्र,), ए, ए, एनी, | ± 200ppm/° C | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C08322222JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 2.2K | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||||
![]() | 766141154GPTR13 | 1.1757 | ![]() | 5763 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 766 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी) | 0.069 "(1.75 मिमी) | सतह rurcur | 14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 3,000 | 150k | तमाम | 13 | - | - | 14 | 80MW | |||||||||
![]() | S41C083111GP | 0.0560 | ![]() | 7994 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.079 "एल x 0.039" डबtumaut (2.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.018 "(0.45 मिमी) | सतह rurcur | 0804, क्योर, एथल, | ± 200ppm/° C | 0804 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S41C083111GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 110 | तमाम | 4 | - | - | 8 | 31.25MW | ||||||||
![]() | 767143391GP | 1.1988 | ![]() | 6554 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 767 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.093 "(2.36 मिमी) | सतह rurcur | 14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 48 | 390 | तमाम | 7 | - | - | 14 | 200MW | |||||||||
![]() | 767141154GPTR13 | 1.1757 | ![]() | 7490 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 767 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एल x 0.220" डब91 (9.91 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.093 "(2.36 मिमी) | सतह rurcur | 14-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 2,000 | 150k | तमाम | 13 | - | - | 14 | 100MW | |||||||||
![]() | 742C163000X | - | ![]() | 9004 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 742 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | तंग करना | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.028 "(0.70 मिमी) | सतह rurcur | २५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट | 742C163 | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Q1485220 | Ear99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 0.0 | तमाम | 8 | - | - | 16 | 63MW | |||||||
![]() | 766161151GPTR7 | 1.2910 | ![]() | 5801 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 766 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी) | 0.069 "(1.75 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 800 | 150 | तमाम | 15 | - | - | 16 | 80MW | |||||||||
![]() | S42X083304GP | 0.0495 | ![]() | 2896 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | १२०६ (३२१६ सटरी), अटम,, लंबे antasay | ± 200ppm/° C | 1206 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42X083304GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 5,000 | 300k | तमाम | 4 | - | - | 8 | 63MW | ||||||||
![]() | S42C163824GP | 0.1813 | ![]() | 1319 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | २५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट | ± 200ppm/° C | 2506 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C163824GPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 820K | तमाम | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||||||||
744C043331JTR | - | ![]() | 9570 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 744 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.126 "एल x 0.100" डबthuthut (3.20 मिमी x 2.54 मिमी) | 0.028 "(0.70 मिमी) | सतह rurcur | 1210 (3225 मीटthurिक), अवतल | 744C043 | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 330 | तमाम | 2 | - | - | 4 | 125MW | |||||||||
![]() | 770103563p | 0.6528 | ![]() | 6452 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 770 | थोक | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 1.000 "एल X 0.098" डब extur (25.40 मिमी x 2.50 मिमी) | 0.195 "(4.95 मिमी) | होल के kaytaumauth से | 10-सिप | ± 100ppm/° C | 10-सिप | तंग | Rohs3 आजthabaira | तंग | तमाम | 770-103-R56KP | Ear99 | 8533.21.0050 | 1,000 | 56K | तमाम | 5 | - | - | 10 | 100MW | ||||||||
![]() | 768161563GP | 1.2132 | ![]() | 9461 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 768 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.440 "एल X 0.220" डब extum (11.18 मिमी x 5.59 मिमी) | 0.071 "(1.80 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.220 ", 5.59 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 43 | 56K | तमाम | 15 | - | - | 16 | 100MW | |||||||||
![]() | S42C163563JP | 0.1518 | ![]() | 3913 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.252 "एल x 0.063" डबmuntur (6.40 मिमी x 1.60 मिमी) | 0.024 "(0.60 मिमी) | सतह rurcur | २५०६, ए अवतल, लंबे antauth ट | ± 200ppm/° C | 2506 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S42C163563JPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 4,000 | 56K | तमाम | 8 | - | - | 16 | 63MW | ||||||||
![]() | S41X043910FP | 0.0283 | ![]() | 9677 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | S4X | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 1% | -55 ° C ~ 125 ° C | DDR SDRAM, DRAM, MDDR | 0.039 "एल x 0.039" डबthutum (1.00 मिमी x 1.00 मिमी) | 0.016 "(0.40 मिमी) | सतह rurcur | ०४०४ (१०१० सटरी), कांवस | ± 200ppm/° C | 0404 | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | 60-S41X043910FPTR | Ear99 | 8533.21.0020 | 10,000 | 91 | तमाम | 2 | - | - | 4 | 63MW | ||||||||
![]() | 753101472GPTR13 | 1.4863 | ![]() | 5218 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 753 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.295 "एल x 0.080" डबmuthut (7.49 मिमी x 2.03 मिमी) | 0.100 "(2.53 मिमी) | सतह rurcur | 10-yirटी | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 3,000 | 4.7k | तमाम | 9 | - | - | 10 | 40MW | |||||||||
![]() | 766165121APTR13 | 1.5832 | ![]() | 1731 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 766 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.390 "एक एल lectus 0.154" डबthaun यू (9.90 मिमी x 3.90 मिमी) | 0.069 "(1.75 मिमी) | सतह rurcur | 16-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 3,000 | 180, 390 | सींग | 28 | - | - | 16 | 80MW | |||||||||
![]() | 766143183GP | 1.2910 | ![]() | 7316 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 766 | नली | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.341 "एल एल lect e.154" डबthauth यू (8.65 मिमी x 3.90 मिमी) | 0.069 "(1.75 मिमी) | सतह rurcur | 14-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) | ± 100ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0010 | 56 | 18 k | तमाम | 7 | - | - | 14 | 160MW | |||||||||
753163471GPTR13 | 1.7738 | ![]() | 5675 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 753 | R टेप ray ryील (ther) | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.245 "एल X 0.080" PARCAUTHUN | 0.100 "(2.53 मिमी) | सतह rurcur | 16- | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 3,000 | 470 | तमाम | 8 | - | - | 16 | 80MW | ||||||||||
![]() | 75312122222GP | 1.9136 | ![]() | 8166 | 0.00000000 | सीटीएस rayr उत | 753 | थोक | शिर | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.345 "एल X 0.080" डबthutum (8.76 मिमी x 2.03 मिमी) | 0.100 "(2.53 मिमी) | सतह rurcur | 12-एसआ | ± 200ppm/° C | - | तंग | Rohs3 आजthabaira | 1 (असीमित) | तमाम | Ear99 | 8533.21.0020 | 250 | 2.2K | तमाम | 11 | - | - | 12 | 40MW |
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