SIC
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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZX585-B3V0,115 NXP Semiconductors BZX585-B3V0,115 -
सराय
 ECAD 1500 0.00000000 शिरक - थोक शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 ३०० तंग एस एस -523 तंग 1 (असीमित) तमाम 2156-BZX585-B3V0,115-954 1 1.1 वी @ 100 एमए 10 µa @ 1 वी 3 वी 95 ओम
SS12P4C-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS12P4C-M3/87A 0.4892
सराय
 ECAD 1202 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS12P4 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 6 ए 520 mV @ 6 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C
GP10-4004EHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4004EHM3/54 -
सराय
 ECAD 6259 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut GP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 3 μs 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
1PMT5940BE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT5940BE3/TR13 0.7350
सराय
 ECAD 7510 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-216aa 1pmt5940 3 डब Do-216aa तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 32.7 V 43 वी 53 ओम
VBO130-18NO7 IXYS VBO130-18NO7 76.5320
सराय
 ECAD 4784 0.00000000 Ixys - कड़ा शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) अँगुला पीडबmun-ई VBO130 तमाम पीडबmun-ई तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5 1.65 V @ 300 ए 300 µa @ 1800 V 122 ए सिंगल फेज़ 1.8 के.वी.
1N2067 Microchip Technology 1N2067 158.8200
सराय
 ECAD 6479 0.00000000 तमाम - थोक शिर अफ़सीर Do-205ab, do-9, s सmum तमाम DO-205AB (DO-9) तंग तमाम 150-1N2067 Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 900 वी 1.3 वी @ 300 ए 75 @a @ 900 V -65 ° C ~ 190 ° C 275 ए -
MBRS20100CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRS20100CT-Y 0.6433
सराय
 ECAD 1354 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS20100 schottky TO-263AB (D2PAK) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MBRS20100CT-YTR Ear99 8541.10.0080 1,600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 850 mV @ 10 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
CDS5541BUR-1/TR Microchip Technology CDS5541BUR-1/tr -
सराय
 ECAD 1461 0.00000000 तमाम * R टेप ray ryील (ther) शिर - तमाम 150-cds5541bur-1/tr Ear99 8541.10.0050 50
VS-8TQ060-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ060-M3 1.1700
सराय
 ECAD 6 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 8TQ060 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 880 mV @ 16 ए 550 @a @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए 500pf @ 5v, 1MHz
BZX55B27 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B27 A0G -
सराय
 ECAD 3234 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 20 वी 27 वी 80 ओम
SF11G-BP Micro Commercial Co SF11G-BP 0.0486
सराय
 ECAD 5363 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut SF11 तमाम Do-41 तंग 353-SF11G-BP Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
BZS55C22 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C22 RXG 0.0340
सराय
 ECAD 5947 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gay @ 16 वी 22 वी 55 ओम
CDLL4111 Microchip Technology Cdll4111 4.6350
सराय
 ECAD 9360 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf Cdll4111 ५०० तंग Do-213ab तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 50 सना 17 वी 100 ओम
VS-ETH1506-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 1506-एम 3 1.4400
सराय
 ECAD 9530 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Eth1506 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vseth1506m3 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.45 वी @ 15 ए 29 एनएस 15 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
SF17GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF17GHA0G -
सराय
 ECAD 4281 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut SF17 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 1.7 वी @ 1 ए 35 एनएस 5 @a @ 500 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
BZT52B22-HF Comchip Technology BZT52B22-HF 0.0418
सराय
 ECAD 2870 0.00000000 कॉमचिप टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52 ५०० तंग सोद -123 - 1 (असीमित) 641-BZT52B22-HFTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 45 पायल @ 15.4 वो 22 वी 51 ओम
SB2010-BP Micro Commercial Co SB2010-BP 0.1007
सराय
 ECAD 6538 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT SB2010 schottky DO-15 तंग 353-SB2010-BP Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 2 ए 500 µA @ 100 वी -50 ° C ~ 125 ° C 2 ए 170pf @ 4v, 1MHz
BZX55C12 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C12 A0G -
सराय
 ECAD 6898 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1 वी @ 100 एमए 100 kay @ 9.1 वी 12 वी 20 ओम
NTE5202A NTE Electronics, Inc NTE5202A 12.8800
सराय
 ECAD 87 0.00000000 इलेक इलेकmuniraugut, इंक - कसना शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt १० सन्निक डीओ -4 तंग Rohs3 आजthabaira 2368-NTE5202A Ear99 8541.10.0050 1 30 वी 8 ओम
MF400K06F3-BP Micro Commercial Co MF400K06F3-BP 47.1200
सराय
 ECAD 8 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - शिर शिर अँगुला एफ ३ किलो MF400K06 तमाम एफ 3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम -1142-MF400K06F3-BP Ear99 8541.10.0080 10 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 200A 1.25 वी @ 200 ए 130 एनएस 1 पायल @ 600 वी -40 ° C ~ 150 ° C
SICPT20120Y-BP Micro Commercial Co SICPT20120Y-BP 5.3761
सराय
 ECAD 3801 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 SICPT20120 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247ad तंग 353-SICPT20120Y-BP Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.55 वी @ 20 ए 0 एनएस 25 @a @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 20 ए 1552pf @ 0v, 1MHz
VS-15CTQ045STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15CTQ045STRLPBF -
सराय
 ECAD 2793 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 15CTQ045 schottky To-263ab (dicpak) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 15 ए 700 एमवी @ 15 ए 800 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
678-3 Microchip Technology 678-3 401.7300
सराय
 ECAD 3443 0.00000000 तमाम - थोक शिर अँगुला तंग, कन तमाम एनसी - तमाम Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.2 वी @ 10 ए 10 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 150 ° C 25 ए -
BAW56 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd Baw56 0.1500
सराय
 ECAD 1976 0.00000000 तमाहा तनम्युरस क्यूट्यूस, लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Baw56 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 100 वी 200MA 855 एमवी @ 10 एमए 4 एनएस 2.5 @a @ 75 V -55 ° C ~ 150 ° C
1N4002G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4002G R0G -
सराय
 ECAD 3944 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4002 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 1 ए 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
VS-S934 Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 934 -
सराय
 ECAD 5768 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग S934 - 112-एस-एस 934 1
CSFB205-G Comchip Technology CSFB205-G 0.1328
सराय
 ECAD 4112 0.00000000 कॉमचिप टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB CSFB205 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 2 ए 35 एनएस 5 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
CDLL4747A Microchip Technology CDLL4747A 3.4650
सराय
 ECAD 3065 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf CDLL4747 Do-213ab तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.2 वी @ 200 एमए 100 kapa @ 15.2 वी 20 वी 22 ओम
CDLL4900/TR Microchip Technology Cdll4900/tr 206.4750
सराय
 ECAD 1428 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 100 ° C सतह rurcur Do-213aa ५०० तंग Do-213aa तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-CDLL4900/tr Ear99 8541.10.0050 1 15 µa @ 8 V 12.8 वी 200 ओम
PTV11B-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV11B-M3/85A 0.1153
सराय
 ECAD 4422 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C सतह rurcur DO-220AA PTV11 ६०० तंग DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 10 µa @ 8 V 11.7 वी 8 ओम
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AD9208BBPZ-3000

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