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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
MMBD1403A onsemi MMBD1403A -
सराय
 ECAD 9567 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBD14 तमाम -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 175 वी 200MA 1 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 gaba @ 175 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
DB2S31000L Panasonic Electronic Components DB2S31000L -
सराय
 ECAD 7520 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur SC-79, SOD-523 DB2S310 schottky Ssmini2-f5-b - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 470 एमवी @ 200 एमए 1.6 एनएस 200 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 4.5pf @ 10v, 1MHz
B120B-13 Diodes Incorporated B120B-13 -
सराय
 ECAD 9273 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB B120 schottky एसएमबी - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 1 ए 500 µA @ 20 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 110pf @ 4v, 1MHz
GDZ3V3B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ3V3B-G3-18 0.0445
सराय
 ECAD 6496 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी जीडीजेड-जीडीजेड R टेप ray ryील (ther) शिर ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 GDZ3V3 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 20 µA @ 1 वी 3.3 वी 120 ओम
VS-41HFR20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-41HFR20 7.0370
सराय
 ECAD 4343 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 41HFR20 तंग, तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 125 ए 9 सना हुआ @ 200 वी -65 ° C ~ 190 ° C 40 ए -
BAV303-TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV303-TR3 0.2700
सराय
 ECAD 8448 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं BAV303 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 100 एमए 50 एनएस 100 kay @ 200 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
GC9700-150E Microchip Technology GC9700-150E -
सराय
 ECAD 6100 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur शराबी schottky चिप - तमाम 150-GC9700-150ETR Ear99 8541.10.0070 1 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 70 वी 430 एमवी @ 1 सना हुआ 200 gapa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 15ma 2.1pf @ 0v, 1MHz
1N5232 SMC Diode Solutions 1N5232 -
सराय
 ECAD 7687 0.00000000 तदहेना - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर - 200 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.1 वी @ 200 एमए 5 µa @ 3 वी 5.6 वी 11 ओम
MMSZ5231C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5231C-E3-08 0.3200
सराय
 ECAD 10 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5231 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 2 वी 5.1 वी 17 ओम
GBI25K Diotec Semiconductor GBI25K 0.9675
सराय
 ECAD 4203 0.00000000 सोर - कड़ा शिर -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीआई तमाम जीबीआई तंग Rohs3 आजthabaira तंग 2796-GBI25K 8541.10.0000 500 1.1 वी @ 12.5 ए 5 µA @ 800 V 4.2 ए सिंगल फेज़ 800 वी
BZX84-A7V5,215 Nexperia USA Inc. BZX84-A7V5,215 0.5100
सराय
 ECAD 18 0.00000000 अफ़संद सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84-A7V5 २५० तंग टू -236 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 1 µa @ 5 वी 7.5 वी 15 ओम
BZX84-B62-QR Nexperia USA Inc. BZX84-B62-QR 0.0400
सराय
 ECAD 6434 0.00000000 अफ़संद सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग टू -236 एबी तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1727-BZX84-B62-QRTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए ५० सदाबहार @ ४३.४ वी 62 वी 215 ओम
BZV55C6V2-TP Micro Commercial Co BZV55C6V2-TP -
सराय
 ECAD 4278 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C6V2 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 gapa @ 2 वी 6.2 वी 10 ओम
PZU27B,115 Nexperia USA Inc. PZU27B, 115 0.0616
सराय
 ECAD 5059 0.00000000 अफ़संद सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F PZU27 ३१० सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 वी @ 100 एमए 50 सना 27 वी 40 ओम
MM5Z9V1 Diotec Semiconductor Mm5z9v1 0.0333
सराय
 ECAD 4496 0.00000000 सोर - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 200 सभा एस एस -523 तंग रोहस 1 (असीमित) सराय 2796-mm5z9v1tr 8541.10.0000 4,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 15 ओम
FUE30-12N1 IXYS FUE30-12N1 22.9200
सराय
 ECAD 842 0.00000000 Ixys - नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से I4 -PAC ™ -5 Fue30 तमाम S आइसोपthut I4-PAC ™ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम FUE3012N1 Ear99 8541.10.0080 25 2.37 वी @ 10 ए 100 µA @ 1200 वी 30 ए सिंगल फेज़ 1.2 केवी
SBRD8350RLG-VF01 onsemi SBRD8350RLG-VF01 0.4700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 Onsemi - थोक शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 schottky डीपैक - रोहस सराय 2156-SBRD8350RLG-VF01 Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 600 एमवी @ 3 ए 200 @a @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
SK65L-TP Micro Commercial Co SK65L-TP 0.2306
सराय
 ECAD 7807 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक तंग सतह rurcur DO-214AB, SMC SK65 schottky SMC (DO-214AB) तंग 353-SK65L-TP Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 850 mV @ 6 ए 1 सना हुआ @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 6 ए 200pf @ 4V, 1MHz
ES3DHM6G Taiwan Semiconductor Corporation Es3dhm6g -
सराय
 ECAD 9786 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC ES3D तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 3 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
JANTX1N5526DUR-1 Microchip Technology Jantx1n5526dur-1 47.2200
सराय
 ECAD 3288 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/437 थोक शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213aa (गthama) 1N5526 ५०० तंग Do-213aa तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 6.2 V 6.8 वी 30 ओम
JANHCA1N4124 Microchip Technology JANHCA1N4124 13.2734
सराय
 ECAD 1961 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/435 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur शराबी ५०० तंग शराबी - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-JANHCA1N4124 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 10 सना हुआ @ 32.65 वी 43 वी 250 ओम
BZG05B27-HE3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B27-HE3-TR -
सराय
 ECAD 1052 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG05B R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब डीओ -214 एसी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० पायल @ २० वी 27 वी 30 ओम
DZ23C4V7-7-F Diodes Incorporated DZ23C4V7-7-F 0.4100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम कैथोड 4.7 वी 78 ओम
1N5929P/TR8 Microchip Technology 1N5929P/TR8 1.8600
सराय
 ECAD 3777 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N5929 1.5 डब DO-204AL (DO-41) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 11.4 V 15 वी 9 ओम
1N5939B BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5939B BK PBFree -
सराय
 ECAD 8175 0.00000000 तिहान - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1.5 डब Do-41 तंग Rohs3 आजthabaira Ear99 8541.10.0050 2,000 1.5 वी @ 200 एमए 1 @a @ 29.7 V 39 वी 45 ओम
ER1K-TPS01 Micro Commercial Co ER1K-TPS01 -
सराय
 ECAD 1391 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - थोक शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB ER1K तमाम DO-214AA, HSMB तंग 353-ER1K-TPS01 Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 5 µA @ 800 V -50 ° C ~ 150 ° C 1 क 45pf @ 4v, 1MHz
RB420STE61 Rohm Semiconductor RB420STE61 -
सराय
 ECAD 1744 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB420STE61TR शिर 3,000
JAN1N4986 Semtech Corporation JAN1N4986 -
सराय
 ECAD 1431 0.00000000 अफ़सतर MIL-PRF-19500/356 थोक Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से AXIAL 1N4986 5 डब AXIAL तंग JAN1N4986S Ear99 8541.10.0050 1 2 @a @ 114 वी 150 वी 330 ओम
MSB305S Rectron USA MSB305S 0.3600
सराय
 ECAD 8920 0.00000000 रत्न - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-फ, फmun लीड लीड MSB30 तमाम एमएसबीएस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2516-MSB305STRS Ear99 8541.10.0080 24,000 1.1 वी @ 3 ए 1 @a @ 600 वी 3 ए सिंगल फेज़ 600 वी
1N5532D Microchip Technology 1N5532D 5.6850
सराय
 ECAD 8105 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) - तमाम 150-1N5532D Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए ५० सदाबहार @ १०. 12 वी 90 ओम
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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