SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - अधिकतम तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ
SJPA-H3V Sanken SJPA-H3V -
सराय
ECAD 9623 0.00000000 शंकेन - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, जे-लीड SJPA-H3 schottky एसजेपी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) SJPA-H3V DK Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 360 mV @ 2 ए 3 सना हुआ @ 30 वी -40 ° C ~ 125 ° C 2 ए -
DDZ39FS-7 Diodes Incorporated DDZ39FS-7 0.0531
सराय
ECAD 7400 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 DDZ39 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 50 सना 39 वी 85 ओम
BZT52-C10-QX Nexperia USA Inc. BZT52-C10-QX 0.0370
सराय
ECAD 4944 0.00000000 अफ़संद ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52 ३५० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1727-BZT52-C10-QXTR Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 200 सवार @ 7 वी 10 वी 10 ओम
HMPP-3860-TR2 Broadcom Limited HMPP-3860-TR2 -
सराय
ECAD 1468 0.00000000 बtrॉडकॉम लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) ०५०५ (१४१२ सटरी) HMPP-3860 मिनिपक 1412 - 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0060 10,000 1 ए 0.2pf @ 50v, 1MHz पिन - एकल 50 वी 22ohm @ 1ma, 100mHz
1N4619C-1/TR Microchip Technology 1N4619C-1/tr 5.4450
सराय
ECAD 2306 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) - तमाम 150-1n4619c-1/tr Ear99 8541.10.0050 174 1.1 वी @ 200 एमए ४०० पायल @ १ वी 3 वी 1600 ओम
1N988B BK Central Semiconductor Corp 1N988B BK -
सराय
ECAD 5082 0.00000000 तिहान - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 5 µA @ 98.8 V 130 वी 1100 ओम
MMBZ5233B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5233B-E3-18 -
सराय
ECAD 8949 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5233 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 3.5 V 6 वी 7 ओम
BZG05C3V3-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C3V3-M3-18 0.1089
सराय
ECAD 1584 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05C-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05C3V3 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए 40 µA @ 1 वी 3.3 वी 20 ओम
TZMB6V2-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB6V2-GS18 0.3100
सराय
ECAD 7860 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZM R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZMB6V2 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gapa @ 2 वी 6.2 वी 10 ओम
MMBZ5256C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5256C-E3-08 -
सराय
ECAD 6818 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5256 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 kay @ 23 वी 30 वी 49 ओम
1PS75SB45,135 NXP USA Inc. 1PS75SB45,135 -
सराय
ECAD 9466 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 1PS75 schottky एससी -75 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 120ma (डीसी डीसी) 1 वी @ 40 एमए 10 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SF2L4GH Taiwan Semiconductor Corporation Sf2l4gh 0.1044
सराय
ECAD 7733 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT SF2L4 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 2 ए 35 एनएस 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 40pf @ 4v, 1MHz
BZT52C10S Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BZT52C10S 0.1300
सराय
ECAD 6006 0.00000000 तमाहा तनम्युरस क्यूट्यूस, लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-76, SOD-323 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
BZX84B3V9-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B3V9-HE3_A-18 -
सराय
ECAD 6902 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84B3V9-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 3 µa @ 1 वी 3.9 वी 90 ओम
1N4688 (DO35) Microsemi Corporation 1N4688 (DO35) -
सराय
ECAD 4676 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N4688 ५०० तंग DO-35 तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 3 वी 4.7 वी
BY500-600-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY500-600-E3/54 -
सराय
ECAD 1696 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun BY500 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.35 वी @ 5 ए 200 एनएस 10 µA @ 600 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए 28PF @ 4V, 1MHz
SS210AQ Yangjie Technology SS210AQ 0.0590
सराय
ECAD 750 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर - रोहस अफ़मार तमाम 4617-SS210AQTR Ear99 7,500
MM3Z3V0B onsemi Mm3z3v0b 0.2400
सराय
ECAD 51 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Mm3z3v0 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 10 एमए 9 @a @ 1 वी 3 वी 89 ओम
JANS1N4127-1/TR Microchip Technology JANS1N4127-1/tr 31.6700
सराय
ECAD 4616 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/435 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-JANS1N4127-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 10 सना हुआ @ 42.6 वी 56 वी 300 ओम
JANTXV1N3045DUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n3045dur-1/tr 50.5932
सराय
ECAD 1100 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/115 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) 1 डब DO-213AB (MELF, LL41) - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-jantxv1n3045dur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.2 वी @ 200 एमए 10 µA @ 83.6 V 110 वी 450 ओम
NTE5011T1 NTE Electronics, Inc NTE5011T1 1.4600
सराय
ECAD 419 0.00000000 इलेक इलेकmuniraugut, इंक - कसना शिर ± 1% -65 ° C ~ 200 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 2368-NTE5011T1 Ear99 8541.10.0050 1 5.6 वी 25 ओम
JANTXV1N3050DUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n3050dur-1/tr -
सराय
ECAD 8364 0.00000000 तमाम MIL-PRF-19500/115 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) 1.25 डब DO-213AB (MELF, LL41) - 150-jantxv1n3050dur-1/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.2 वी @ 200 एमए 500 NA @ 136.8 V 180 वी 1200 ओम
SMBJ4753/TR13 Microchip Technology SMBJ4753/TR13 0.8700
सराय
ECAD 6760 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB SMBJ4753 2 डब SMBJ (DO-214AA) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 27.4 V 36 वी 50 ओम
EGF1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Egf1bhe3_a/i -
सराय
ECAD 8518 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-214ba ईजीएफ 1 तमाम DO-214BA (GF1) तंग Rohs3 आजthabaira Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 1 @a @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
BZT52C36LP-7 Diodes Incorporated BZT52C36LP-7 0.3700
सराय
ECAD 4 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur ०४०२ (१००६ सवार) BZT52 २५० तंग X1-DFN1006-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 kay @ 25.2 वी 36 वी 90 ओम
JANTXV1N6324US/TR Microchip Technology Jantxv1n6324us/tr 19.9234
सराय
ECAD 5284 0.00000000 तमाम सोरम, मिल-पीआरएफ -19500/533 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur SQ-Melf, b ५०० तंग बी, एसकmun-एमईएलएफ तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 150-jantxv1n6324us/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.4 वी @ 1 ए 1 µa @ 8 V 10 वी 6 ओम
1SMC5352 R7G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMC5352 R7G -
सराय
ECAD 6638 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AB, SMC 1SMC5352 5 डब DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 850 1 µA @ 11.5 V 15 वी 2.5 ओम
VS-TH380BL16P-S2 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-TH380BL16P-S2 -
सराय
ECAD 9610 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर वीएस-वीएस 380 - Rohs3 आजthabaira 112-वीएस- TH380BL16P-S2 1
SS102 Yangjie Technology SS102 0.1210
सराय
ECAD 300 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर - रोहस अफ़मार तमाम 4617-SS102TR Ear99 3,000
BZX384B2V7-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B2V7-HE3-18 0.0378
सराय
ECAD 3652 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384B2V7 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 20 µA @ 1 वी 2.7 वी 100 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम