SIC
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अफ़सीय (166326)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZT52C36SHE3-TP Micro Commercial Co BZT52C36SHE3-TP 0.3000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZT52C36 ३०० तंग Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 kay @ 25.2 वी 36 वी 90 ओम
VI30100C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30100C-E3/4W 1.8900
सराय
 ECAD 915 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa VI30100 schottky To-262aa तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 15 ए 800 mV @ 15 ए 500 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C
BZG05C4V7-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C4V7-M3-18 0.3900
सराय
 ECAD 5348 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05C-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.38% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05C4V7 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए 3 µa @ 1 वी 4.7 वी 13 ओम
UG4C-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG4C-M3/73 -
सराय
 ECAD 2629 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun UG4 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 4 ए 30 एनएस 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 4 ए 20pf @ 4v, 1MHz
MMSZ5237BS-7 Diodes Incorporated MMSZ5237BS-7 -
सराय
 ECAD 9784 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 MMSZ5237B 200 सभा Sod -323 तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 3 µA @ 6.5 V 8.2 वी 8 ओम
ZMM18R13 Diotec Semiconductor ZMM18R13 -
सराय
 ECAD 8995 0.00000000 सोर - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -50 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग सोड -80 सी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 2796-ZMM18R13TR 8541.10.0000 10,000 100 gaba @ 13 वी 18 वी 50 ओम
1N6912UTK2AS/TR Microchip Technology 1n6912utk2as/tr 259.3500
सराय
 ECAD 3920 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Thinkey ™ 2 Sic (सिलिकॉन antairchama) Thinkey ™ 2 - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-1N6912UTK2AS/TR Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 45 वी 640 mV @ 25 ए १.२ सदा -65 ° C ~ 150 ° C 25 ए 1000pf @ 5v, 1MHz
SKL35 Diotec Semiconductor Skl35 0.1322
सराय
 ECAD 8194 0.00000000 सोर - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F schottky Sod-123F (SMF) तंग रोहस 1 (असीमित) सराय 2796-SKL35TR 8541.10.0000 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 700 एमवी @ 3 ए 200 @a @ 50 वी -50 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
1N6895UTK1AS Microchip Technology 1N6895UTK1AS 259.3500
सराय
 ECAD 6195 0.00000000 तमाम * थोक शिर - तमाम 150-1N6895UTK1AS 1
BAL99/DG/B2215 NXP USA Inc. BAL99/DG/B2215 0.0200
सराय
 ECAD 345 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। सियार, AEC-Q101 थोक शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 तमाम -23-3 तंग तंग 1 (असीमित) सराय Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 1 µa @ 70 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 250ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
BZT52C3V3 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BZT52C3V3 0.1500
सराय
 ECAD 6178 0.00000000 तमाहा तनम्युरस क्यूट्यूस, लिमिटेड - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.06% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 5 µA @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
CMDZ5242B TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMDZ5242B TR PBFREE 0.0958
सराय
 ECAD 4268 0.00000000 तिहान - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 CMDZ5242 २५० तंग Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 1 µa @ 9.1 V 12 वी 30 ओम
MMSZ12ET1 onsemi Mmsz12et1 -
सराय
 ECAD 8944 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ12 ५०० तंग सोद -123 तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gapa @ 8 वी 12 वी 25 ओम
MMSZ5248B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5248B-E3-08 0.2700
सराय
 ECAD 7896 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5248 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 14 वी 18 वी 21 ओम
SML4750A-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4750A-E3/5A 0.1815
सराय
 ECAD 9379 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA SML4750 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 20.6 V 27 वी 35 ओम
CCS15S30,L3QUF Toshiba Semiconductor and Storage CCS15S30, L3QUF -
सराय
 ECAD 1834 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं CCS15S30 schottky Cst2c तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 400 mV @ 1 ए 500 @a @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1.5 ए 200pf @ 0v, 1MHz
SMBG4734C/TR13 Microsemi Corporation SMBG4734C/TR13 -
सराय
 ECAD 5298 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-215aa, smb gull विंग Smbg4734 2 डब SMBG (DO-215AA) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µA @ 2 वी 5.6 वी 5 ओम
1N6487US/TR Microchip Technology 1N6487US/tr 15.0600
सराय
 ECAD 6616 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Sq-melf, a 1.5 डब डी -5 ए - Ear99 8541.10.0050 100 1.5 वी @ 1 ए 35 µA @ 1 वी 3.9 वी 9 ओम
BYG23M Taiwan Semiconductor Corporation BYG23M 0.0897
सराय
 ECAD 7615 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA BYG23 तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.7 वी @ 1.5 ए 65 एनएस 1 @a @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
BZD27C6V8P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8P M2G -
सराय
 ECAD 6464 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 3 वी 6.8 वी 3 ओम
BZT52B11-TP Micro Commercial Co BZT52B11-TP 0.0341
सराय
 ECAD 7706 0.00000000 सूकthautum kanaumauth सह - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52B11 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gapa @ 8.5 वी 11 वी 20 ओम
1N968B Microchip Technology 1N968B 2.0700
सराय
 ECAD 8660 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AA, DO-7, SAUTCUN 1N968 ५०० तंग Do-7 तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम 1N968BMS Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 200 एमए 5 µa @ 15.2 V 20 वी 25 ओम
CDLL5938D/TR Microchip Technology Cdll5938d/tr 10.9326
सराय
 ECAD 8836 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf 1.25 डब Do-213ab - Rohs3 आजthabaira तमाम 150-CDLL5938D/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.2 वी @ 200 एमए 1 .A @ 27.4 वी 36 वी 38 ओम
1N5360/TR8 Microchip Technology 1N5360/TR8 2.6250
सराय
 ECAD 6605 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -65 ° C ~ 150 ° C होल के kaytaumauth से टी -18, lectun 1N5360 5 डब टी 18 तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 वी @ 1 ए ५०० सना 25 वी 4 ओम
VS-74-7680 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -74-7680 -
सराय
 ECAD 2505 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 74-7680 - 112- -74-7680 1
NRVB830MFST3G onsemi NRVB830MFST3G 0.2975
सराय
 ECAD 5472 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 8-ruirch, 5 लीड NRVB830 schottky 5-DFN (5x6) (8-SOFL) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 700 एमवी @ 8 ए 200 µa @ 30 V -40 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
GBPC3510W Yangjie Technology GBPC3510W 1.4590
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तंग - थोक शिर GBPC35 - रोहस अफ़मार तमाम 4617-GBPC3510W Ear99 50
GBJ3506A Yangjie Technology GBJ3506A 0.7310
सराय
 ECAD 75 0.00000000 तंग - नली शिर - रोहस अफ़मार तमाम 4617-GBJ3506A Ear99 750
DZ9F3V6S92-7 Diodes Incorporated DZ9F3V6S92-7 0.3500
सराय
 ECAD 17 0.00000000 तंग - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-923 Dz9f3 200 सभा Sod-923 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 100 ओम
D3KB10 HY Electronic (Cayman) Limited D3KB10 0.6200
सराय
 ECAD 20 0.00000000 Vasauthauthirॉनिक (केमैन) लिमिटेड डी 3 के नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4- तमाम डी 3 के तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) सराय 4024-D3KB10 5 1.05 V @ 1.5 ए 5 µA @ 1000 V 3 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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