SIC
close

अफ़र्याशियस (6960)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक तमाम Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RB511VM-30TE-17 Rohm Semiconductor RB511VM-30TE-17 0.3100
सराय
 ECAD 18 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB511 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 370 एमवी @ 10 एमए 7 µa @ 10 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
SCT3105KRHRC15 Rohm Semiconductor SCT3105KRHRC15 12.5400
सराय
 ECAD 1715 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-4 SCT3105 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247-4L तंग 3 (168 घंटे) तमाम 846-SCT3105KRHRC15 Ear99 8541.29.0095 450 n- चैनल 1200 वी 24 ए (टीसी) 18V 137MOHM @ 7.6a, 18v 5.6V @ 3.81ma ५१ सदा +22v, -4v 574 पीएफ @ 800 वी - 134W
RBR1LAM30ATFTR Rohm Semiconductor Rbr1lam30atftr 0.4100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr1lam330 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
BZX84C3V6LT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V6LT116 0.2300
सराय
 ECAD 595 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 90 ओम
MTZJT-723.9B Rohm Semiconductor MTZJT-723.9b -
सराय
 ECAD 7149 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt723.9b Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µA @ 1 वी 3.9 वी 100 ओम
STZ5.6NFHT146 Rohm Semiconductor STZ5.6NFHT146 0.4400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.45% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Stz5.6 200 सभा Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 1 µa @ 2.5 V 5.6 वी 60 ओम
RFV30TG6SGC9 Rohm Semiconductor RFV30TG6SGC9 3.7300
सराय
 ECAD 901 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 RFV30 तमाम TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFV30TG6SGC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 30 ए 60 एनएस 10 µA @ 600 V 150 ° C 30 ए -
UMF18NTR Rohm Semiconductor UMF18NTR -
सराय
 ECAD 8517 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMF18 १५० तंग Umt6 - Rohs3 आजthabaira तमाम 846-UMF18NTR 3,000 50 वी 100ma, 150ma 500na, 100na (ICBO) 1 एनपीएन - thercuma -पक 300MV @ 500µA, 10MA / 500MV @ 5MA, 50mA 68 @ 5MA, 5V / 180 @ 1MA, 6V 250MHz, 140MHz 47KOHMS 47KOHMS
YDZVFHTR18 Rohm Semiconductor Ydzvfhtr18 0.4000
सराय
 ECAD 236 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Ydzvfhtr18 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 13 वी 18 वी
MTZJT-725.1C Rohm Semiconductor MTZJT-725.1C -
सराय
 ECAD 9992 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt725.1c Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 1.5 V 5.1 वी 70 ओम
RLZTE-1127B Rohm Semiconductor RLZTE-1127B -
सराय
 ECAD 7130 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 RLZTE-1127 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सवार @ २१ वी 25.6 वी 45 ओम
RSR020N06TL Rohm Semiconductor RSR020N06TL 0.2181
सराय
 ECAD 5439 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur एससी -96 RSR020 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Tsmt3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 60 वी 2 ए (टीए) 4V, 10V 170MOHM @ 2A, 10V 2.5V @ 1MA ४. ९ सराय @ १० वी ± 20 वी 180 पीएफ @ 10 वी - 540MW (TA)
MTZJT-727.5B Rohm Semiconductor MTZJT-727.5B -
सराय
 ECAD 4763 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt727.5b Ear99 8541.10.0050 5,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.5 वी 20 ओम
EDZTE612.7B Rohm Semiconductor Edzte612.7b -
सराय
 ECAD 6494 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000
RB168MM200TR Rohm Semiconductor RB168MM200TR 0.5900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB168 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 890 mV @ 1 ए 850 पायल @ 200 वी 175 ° C 1 क -
1SR159-200TE25 Rohm Semiconductor 1SR159-200TE25 0.1576
सराय
 ECAD 1427 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SR159 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1SR159200TE25 Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 980 mV @ 1 ए 50 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
YFZVFHTR4.3B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr4.3b 0.4300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3.02% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr4.3 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 4.3 वी 40 ओम
RB218BM200TL Rohm Semiconductor RB218BM200TL 1.9200
सराय
 ECAD 11 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB218 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 20 ए 880 mV @ 10 ए 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SDZT15R5.1 Rohm Semiconductor SDZT15R5.1 0.0403
सराय
 ECAD 9775 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% 150 ° C सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं SDZT15 100 तंग Smd0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 2 @a @ 1.5 वी 5.1 वी
TDZVTR24 Rohm Semiconductor Tdzvtr24 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdzvtr24 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 17 वी 24 वी
R6025ANZFU7C8 Rohm Semiconductor R6025ANZFU7C8 -
सराय
 ECAD 5024 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3p-3 rurcuth पैक R6025 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3PF तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-R6025ANZFU7C8 Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 25 ए (टीसी) 10V 150mohm @ 12.5a, 10v 4.5V @ 1MA 88 सना हुआ @ 10 वी ± 30V 3250 पीएफ @ 10 वी - 150W (टीसी)
DTA144EEBTL Rohm Semiconductor DTA144EEBTL 0.2600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-89, SOT-490 DTA144 १५० तंग EMT3F (SOT-416FL) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ३० सना हुआ 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5ma, 5v २५० तंग 47 47
RDX120N50FU6 Rohm Semiconductor RDX120N50FU6 -
सराय
 ECAD 7814 0.00000000 रोटी - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RDX120 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220fm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 500 n- चैनल 500 वी 12 ए (टीए) 10V 500MOHM @ 6A, 10V 4V @ 1MA 45 सना ± 30V 1600 पीएफ @ 25 वी - 45W (टीसी)
IMN10FHT108 Rohm Semiconductor IMN10FHT108 0.5800
सराय
 ECAD 96 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 IMN10 तमाम Smt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति ३ स 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RBLQ20BGE10TL Rohm Semiconductor RBLQ20BGE10TL 1.5400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBLQ20 schottky TO-252GE तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 860 mV @ 20 ए 80 @a @ 100 वी 150 ° C 20 ए -
RBQ30NS65ATL Rohm Semiconductor RBQ30NS65ATL 1.7100
सराय
 ECAD 996 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBQ30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 65 वी 15 ए 690 mV @ 15 ए 200 µa @ 65 V 150 ° C
RGTV80TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGTV80TS65DGC11 6.4100
सराय
 ECAD 450 0.00000000 रोटी - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 तमाम 234 डब To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 450 400V, 40A, 10Ohm, 15V 101 एनएस क्योरस कांवस 650 वी 78 ए 160 ए 1.9V @ 15V, 40a 1.02MJ (ON), 710) J (OFF) 81 एन.सी. 39NS/113NS
UMH11NFHATN Rohm Semiconductor UMH11NFHATN 0.4800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH11 १५० तंग Umt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
R6009JNXC7G Rohm Semiconductor R6009JNXC7G 3.3900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu R6009 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220fm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 600 वी 9 ए (टीसी) 15V 585MOHM @ 4.5A, 15V 7V @ 1.38ma २२ स्याह @ १५ वी ± 30V 645 पीएफ @ 100 वी - 53W (टीसी)
RFN6BGE2DTL Rohm Semiconductor RFN6BGE2DTL 1.3700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RFN6 तमाम TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFN6BGE2DTLTR Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 3 ए 980 mV @ 3 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

RFQ सूची (0 आइटम)
कार्ट सूची (0 आइटम)
Wishlistविशलिस्ट (0 आइटम)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

सूची (0 आइटम) की तुलना करें
खोज या ESC को बंद करने के लिए प्रवेश करें