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अफ़र्याशियस (6960)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RQ3E075ATTB Rohm Semiconductor RQ3E075ATTB 1.2300
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn RQ3E075 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-HSMT (3.2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 18 ए (टीसी) 10V 23mohm @ 7.5a, 10v 2.5V @ 1MA 10.4 सना ± 20 वी 930 पीएफ @ 15 वी - 15W (टीसी)
RFN3BM6SFHTL Rohm Semiconductor RFN3BM6SFHTL 0.8700
सराय
 ECAD 9112 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfn3b तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 3 ए 30 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
R6035KNZC8 Rohm Semiconductor R6035KNZC8 -
सराय
 ECAD 3968 0.00000000 रोटी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3p-3 rurcuth पैक R6035 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3PF तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 35 ए (टीसी) 10V 102mohm @ 18.1a, 10v 5V @ 1MA 72 सना ± 20 वी 3000 पीएफ @ 25 वी - 102W (टीसी)
BZX84C24VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C24VLYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.83% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 17 वी 24 वी 70 ओम
EDZGHTE618.2B Rohm Semiconductor Edzghte618.2b -
सराय
 ECAD 3236 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzght 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZGHTE618.2BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
BZX84C30VLT116 Rohm Semiconductor BZX84C30VLT116 0.2300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.67% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 21 वी 30 वी 80 ओम
TFZTR8.2B Rohm Semiconductor Tfztr8.2b 0.0886
सराय
 ECAD 8828 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfztr8.2 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 8.2 वी
DTA114EUBTL Rohm Semiconductor Dta114eubtl -
सराय
 ECAD 8649 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -85 DTA114 200 सभा Umt3f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ५० सदा 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 5ma, 5v २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
RFUH5TF6SFHC9 Rohm Semiconductor RFUH5TF6SFHC9 1.4800
सराय
 ECAD 819 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 Rfuh5 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 5 ए 25 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RB530SM-30T2R Rohm Semiconductor RB530SM-30T2R 0.2300
सराय
 ECAD 356 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB530 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 450 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ १० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
RB228T-30NZC9 Rohm Semiconductor RB228T-30NZC9 1.7300
सराय
 ECAD 998 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB228 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 30 ए 720 mV @ 15 ए 10 µa @ 30 V 150 ° C
DAN217WTL Rohm Semiconductor Dan217wtl 0.0762
सराय
 ECAD 4981 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-75, SOT-416 Dan217 तमाम EMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RFN10TF6SFHC9 Rohm Semiconductor RFN10TF6SFHC9 1.6900
सराय
 ECAD 108 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFN10 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 10 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
RFN20NS4SFHTL Rohm Semiconductor RFN20NS4SFHTL 1.3000
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RFN20 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 430 वी 1.55 वी @ 20 ए 30 एनएस 10 µA @ 430 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 268pf @ 0v, 1MHz
RFUH10NS6STL Rohm Semiconductor RFUH10NS6STL 1.5600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rfuh10 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 10 ए 25 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
KDZTR5.1B Rohm Semiconductor Kdztr5.1b 0.1836
सराय
 ECAD 7643 0.00000000 रोटी KDZ R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdztr5.1 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 5.4 वी
R6030ENZC17 Rohm Semiconductor R6030ENZC17 6.9600
सराय
 ECAD 300 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3p-3 rurcuth पैक R6030 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3PF तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-R6030ENZC17 Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 30 ए (टीसी) 10V 130MOHM @ 14.5A, 10V 4V @ 1MA 85 सभा @ 10 वी ± 20 वी 2100 पीएफ @ 25 वी - 120W (टीसी)
RB510SM-30T2R Rohm Semiconductor RB510SM-30T2R 0.2000
सराय
 ECAD 238 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB510 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 460 एमवी @ 10 एमए 300 पायल @ 10 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
RW1C025ZPT2CR Rohm Semiconductor RW1C025ZPT2CR 0.4700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड RW1C025 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-वेमट तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 8,000 पी-पी 20 वी 2.5 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 65MOHM @ 2.5A, 4.5V 1V @ 1MA 21 एनसी @ 4.5 वी ± 10V 1300 पीएफ @ 10 वी - 700MW (TA)
KDZVTR7.5B Rohm Semiconductor Kdzvtr7.5b 0.3900
सराय
 ECAD 14 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr7.5 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 4 वी 7.95 वी
RW4C045BCTCL1 Rohm Semiconductor RW4C045BCTCL1 0.8900
सराय
 ECAD 20 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-पॉव RW4C045 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक DFN1616-7T तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 4.5 ए (टीए () 1.8V, 4.5V 56MOHM @ 4.5A, 4.5V 1.5V @ 1MA ६.५ सना ± 8V 460 पीएफ @ 10 वी - 1.5W (TA)
RFN1LAM6STFTR Rohm Semiconductor Rfn1lam6stftr 0.5200
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rfn1lam66 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.45 वी @ 800 एमए 35 एनएस 1 @a @ 600 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 800ma -
2SAR544PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SAR544PHZGT100 0.8700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa ५०० तंग SOT-89 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 1,000 80 वी 2.5 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 50mA, 1 ए 120 @ 100ma, 3v 280MHz
RLZTE-1139A Rohm Semiconductor RLZTE-1139A -
सराय
 ECAD 3958 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 RLZTE-1139 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 200 gaba @ 30 वी 36.3 वी 85 ओम
RS1E150GNTB Rohm Semiconductor RS1E150GNTB 0.6900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव RS1E मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-एचएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 15 ए (टीए) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 1MA 10 सराय @ 10 वी ± 20 वी 590 पीएफ @ 15 वी - 3 letcuni (टीए), 22.9w (टीसी)
RB508FM-40AFHT106 Rohm Semiconductor RB508FM-40AFHT106 0.4300
सराय
 ECAD 421 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RB508 schottky SOT-323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 40 वी 80MA 590 एमवी @ 40 एमए 35 पायल @ 30 वी 150 ° C
R5007ANJTL Rohm Semiconductor R5007ANJTL 1.5058
सराय
 ECAD 2042 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB R5007 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक LPTS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 500 वी 7 ए (टीए) 10V 1.05OHM @ 3.5A, 10V 4.5V @ 1MA 13 सराय @ 10 वी ± 30V 500 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
RB218T150NZC9 Rohm Semiconductor RB218T150NZC9 1.7700
सराय
 ECAD 984 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB218 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 20 ए 880 mV @ 10 ए 20 µa @ 150 V 150 ° C
CDZFHT2RA6.8B Rohm Semiconductor Cdzfht2ra6.8b 0.4100
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, CDZFH R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-923 Cdzfht2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 500 NA @ 3.5 V 6.79 वी 40 ओम
RB160M-50TR Rohm Semiconductor RB160M-50TR 0.2107
सराय
 ECAD 7134 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - - RB160 schottky - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 360 mV @ 1 ए 1.5 सना हुआ @ 30 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 170pf @ 1V, 1MHz
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    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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