SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक तमाम Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
IMH21T110 Rohm Semiconductor IMH21T110 0.2037
सराय
ECAD 4871 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-74, SOT-457 IMH21 300MW Smt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी 600ma 500NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 150MV @ 2.5mA, 50mA 820 @ 50MA, 5V 150MHz 10kohms -
TFZVTR2.2B Rohm Semiconductor Tfzvtr2.2b 0.3700
सराय
ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzvtr2.2 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 120 µA @ 700 एमवी 2.2 वी 120 ओम
BZX84C5V6LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C5V6LYFHT116 0.3800
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 7.14% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 2 वी 5.6 वी 40 ओम
RBR2VWM40ATFTR Rohm Semiconductor RBR2VWM40ATFTR 0.6100
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RBR2VWM schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 620 mV @ 2 ए 50 µa @ 40 V 150 ° C 2 ए -
RB068LAM-60TFTR Rohm Semiconductor RB068LAM-60TFTR 0.5300
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB068 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 680 mV @ 2 ए 2 @a @ 60 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
DTC125TKAT146 Rohm Semiconductor DTC125TKAT146 0.0463
सराय
ECAD 4842 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC125 200 सभा SMT3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 50µA, 500µA 100 @ 1MA, 5V २५० तंग २००
US6X7TR Rohm Semiconductor Us6x7tr 0.5800
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड Us6x7 400MW Tumt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 12v 1.5 ए 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 200mv @ 25ma, 500ma 270 @ 200ma, 2v 400MHz
RB238NS100TL Rohm Semiconductor RB238NS100TL 2.6100
सराय
ECAD 381 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB238 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 40 ए 860 mV @ 20 ए 20 µA @ 100 वी 150 ° C
BAV199UMFHTL Rohm Semiconductor Bav199umfhtl 0.4900
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -85 BAV199 तमाम UMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 80 वी 215ma (डीसी डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 3 μs 5 सना हुआ @ 75 वी 150 ° C
RBQ10T45ANZC9 Rohm Semiconductor RBQ10T45ANZC9 1.1600
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RBQ10 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 10 ए 650 एमवी @ 5 ए 70 µA @ 45 V 150 ° C
2SA1774EBTLP Rohm Semiconductor 2SA1774EBTLP 0.0683
सराय
ECAD 3769 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-89, SOT-490 2SA1774 १५० तंग EMT3F (SOT-416FL) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 500MV @ 5MA, 50mA 120 @ 1MA, 6V 140MHz
UDZWTE-1727B Rohm Semiconductor UDZWTE-1727B -
सराय
ECAD 2282 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
DTA143EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA143EE3HZGTL 0.4100
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 DTA143 १५० तंग EMT3 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
SP8K5FU6TB Rohm Semiconductor SP8K5FU6TB -
सराय
ECAD 4558 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) SP8K5 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक २ तंग 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 2 the-चैनल (therी) 30V 3.5A 83MOHM @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1MA 3.5NC @ 5V 140pf @ 10v सराय -स
KDZVTR3.0B Rohm Semiconductor Kdzvtr3.0b 0.4300
सराय
ECAD 6 0.00000000 रोटी Kdzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.67% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtr3.0 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 µA @ 1 वी 3.2 वी
BZX84C3V6LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V6LYFHT116 0.3800
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 90 ओम
RSS095N05FU7TB1 Rohm Semiconductor RSS095N05FU7TB1 -
सराय
ECAD 6951 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RSS095N05FU7TB1TR शिर 2,500 -
BZX84C3V3LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V3LYFHT116 0.3800
सराय
ECAD 895 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
QSZ1TR Rohm Semiconductor Qsz1tr 0.2165
सराय
ECAD 3049 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-5 पतली, TSOT-23-5 Qsz1 ५०० तंग TSMT5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 15V 2 ए 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी (rur एमिटtur) 180mv @ 50ma, 1a 270 @ 200ma, 2v 360MHz
RBR1VWM60ATR Rohm Semiconductor RBR1VWM60ATR 0.4800
सराय
ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RBR1VWM schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 530 mV @ 1 ए 75 µA @ 60 V 150 ° C 1 क -
R6509ENXC7G Rohm Semiconductor R6509ENXC7G 2.7900
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu R6509 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220fm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-R6509ENXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 9 ए (टीए) 10V 585MOHM @ 2.8A, 10V 4V @ 230µA 24 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 430 पीएफ @ 25 वी - 48W (टीसी)
YFZVFHTR30B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr30b 0.4300
सराय
ECAD 78 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.52% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr30 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ २३ वी 28.42 वी 55 ओम
2SC5658FHAT2LR Rohm Semiconductor 2SC5658FHAT2LR 0.3800
सराय
ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 १५० तंग Vmt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 8,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 400MV @ 5MA, 50mA 120 @ 1MA, 6V 180MHz
RGT60TS65DGC11 Rohm Semiconductor RGT60TS65DGC11 2.3755
सराय
ECAD 7529 0.00000000 रोटी - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 RGT60 तमाम 194 अफ़म To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RGT60TS65DGC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10Ohm, 15V 58 एनएस क्योरस कांवस 650 वी 55 ए 90 ए 2.1V @ 15V, 30A - 58 एन.सी. 29NS/100NS
RBR2L30ATE25 Rohm Semiconductor RBR2L30ATE25 0.5800
सराय
ECAD 714 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR2L30 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 490 mV @ 2 ए 80 @a @ 30 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RFNL10TJ6SGC9 Rohm Semiconductor RFNL10TJ6SGC9 1.5200
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 RFNL10 तमाम TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 10 ए 150 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
RND030N20TL Rohm Semiconductor RND030N20TL 0.3700
सराय
ECAD 6806 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rnd030 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cpt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 200 वी 3 ए (टीसी) 10V 870MOHM @ 1.5A, 10V 5.2V @ 1MA 6.7 सना ± 30V 270 पीएफ @ 25 वी - 850MW (TA), 20W (TC)
RB151L-40TE25 Rohm Semiconductor RB151L-40TE25 0.2145
सराय
ECAD 9447 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी - -
SCS220AJHRTLL Rohm Semiconductor SCS220AJHRTLL 10.8500
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SCS220 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 20 ए 0 एनएस 400 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 730pf @ 1V, 1MHz
PDZVTR7.5A Rohm Semiconductor Pdzvtr7.5a 0.4500
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.04% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr7.5 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 4 वी 7.45 वी 4 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम