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अफ़र्याशियस (6960)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक तमाम Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RB520S-30G9JTE61 Rohm Semiconductor RB520S-30G9JTE61 -
सराय
 ECAD 9246 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB520 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB520S-30G9JTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
2SC5916TLQ Rohm Semiconductor 2SC5916TLQ -
सराय
 ECAD 3531 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एससी -96 2SC5916 ५०० तंग Tsmt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 400mv @ 100ma, 1a 120 @ 100ma, 2v 250MHz
RSX051VAM30TR Rohm Semiconductor RSX051VAM30TR 0.3300
सराय
 ECAD 12 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rsx051 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 390 एमवी @ 500 एमए 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
VDZT2R7.5B Rohm Semiconductor Vdzt2r7.5b -
सराय
 ECAD 4455 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SOD-723 Vdzt2 100 तंग VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.5 वी 30 ओम
RGW80TS65DHRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65DHRC11 7.3300
सराय
 ECAD 3829 0.00000000 रोटी - नली शिर -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 RGW80 तमाम 214 डब To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RGW80TS65DHRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400V, 20A, 10Ohm, 15V 92 एनएस क्योरस कांवस 650 वी 80 ए 160 ए 1.9V @ 15V, 40a 110 एनसी 42NS/148NS
SCS220KGC Rohm Semiconductor SCS220KGC -
सराय
 ECAD 8611 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS220 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 20 ए 0 एनएस 400 µA @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 1060pf @ 1V, 1MHz
RGT20NL65GTL Rohm Semiconductor RGT20NL65GTL 2.2200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB तमाम १०६ इलकम To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 400V, 10A, 10Ohm, 15V क्योरस कांवस 650 वी 20 ए 30 ए 2.1V @ 15V, 10 ए - 22 एन.सी. 12NS/32NS
RFN10B3STL Rohm Semiconductor RFN10B3STL -
सराय
 ECAD 7450 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RFN10 तमाम सीपीडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 350 वी 1.5 वी @ 10 ए 30 एनएस 10 µA @ 350 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए -
SCS240AE2C Rohm Semiconductor SCS240AE2C -
सराय
 ECAD 4387 0.00000000 रोटी - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS240 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 360 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 20 ए (डीसी) 1.55 वी @ 20 ए 0 एनएस 400 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
PTZTE2515A Rohm Semiconductor PTZTE2515A 0.2014
सराय
 ECAD 8445 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE2515 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 11 वी 15 वी 10 ओम
BSM300C12P3E301 Rohm Semiconductor BSM300C12P3E301 1.0000
सराय
 ECAD 6090 0.00000000 रोटी - थोक शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) कांपना BSM300 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-BSM300C12P3E301 Ear99 8541.29.0095 4 n- चैनल 1200 वी 300 ए (टीसी) - - 5.6V @ 80MA +22v, -4v 1500 पीएफ @ 10 वी तमाम 1360W (टीसी)
RB078BM30SFHTL Rohm Semiconductor RB078BM30SFHTL 1.5700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB078 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 720 mV @ 5 ए 5 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RB521CS-30GT2RA Rohm Semiconductor RB521CS-30GT2RA 0.0963
सराय
 ECAD 5587 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur Sod-923 RB521 schottky VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 350 एमवी @ 10 एमए 10 µa @ 10 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
RLZTE-1124C Rohm Semiconductor RLZTE-1124C -
सराय
 ECAD 4134 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 RLZTE-1124 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सदाबहार @ वी वी 23.2 वी 35 ओम
RB088T100HZC9 Rohm Semiconductor RB088T100HZC9 0.9900
सराय
 ECAD 418 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB088 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 870 mV @ 5 ए 8.2 एनएस 5 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SCT4062KW7HRTL Rohm Semiconductor SCT4062KW7HRTL 15.5500
सराय
 ECAD 5441 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-8, DICPAK (7 टैब + टैब), TO-263CA Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-263-7L तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 1200 वी 24 ए (टीसी) 18V 81mohm @ 12a, 18v 4.8V @ 6.45ma 64 सना +21V, -4V 1498 पीएफ @ 800 वी - 93W
SCS120AGC Rohm Semiconductor SCS120AGC -
सराय
 ECAD 8846 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS120 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 20 ए 0 एनएस 400 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए 860pf @ 1V, 1MHz
RS1E281BNTB1 Rohm Semiconductor Rs1e281bntb1 1.9300
सराय
 ECAD 940 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव RS1E मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-एचएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 28 ए (टीए), 80 टीसी (टीसी टीसी () 4.5V, 10V 2.3MOHM @ 28A, 10V 2.5V @ 1MA 94 सना ± 20 वी 5100 पीएफ @ 15 वी - 3W (TA)
RGT00TS65DGC13 Rohm Semiconductor RGT00TS65DGC13 11.3000
सराय
 ECAD 1829 0.00000000 रोटी - नली शिर -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 RGT00 तमाम 277 इकम To-247g तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RGT00TS65DGC13 Ear99 8541.29.0095 600 400V, 50A, 10Ohm, 15V 54 एनएस क्योरस कांवस 650 वी 85 ए 150 ए 2.1V @ 15V, 50 ए - 94 एन.सी. 42NS/137NS
RD3P05BATTL1 Rohm Semiconductor Rd3p05battl1 2.6500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RD3P05 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक TO-252 तंग 1 (असीमित) 2,500 पी-पी 100 वी 50 ए (टीए) 6v, 10v 41MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 110 सना ± 20 वी 4620 पीएफ @ 50 वी - 101W (TA)
SCS106AGC Rohm Semiconductor SCS106AGC -
सराय
 ECAD 7034 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS106 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 600 वी 1.5 वी @ 6 ए 0 एनएस 120 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 6 ए 260pf @ 1V, 1MHz
UMB8NTR Rohm Semiconductor Umb8ntr 0.0848
सराय
 ECAD 3905 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Umb8 १५० तंग Umt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma - 2 पीएनपी - rayrach -पक 300MV @ 1MA, 10MA 100 @ 1MA, 5V 250MHz 10kohms -
RBR3MM60ATR Rohm Semiconductor RBR3MM60ATR 0.5000
सराय
 ECAD 2450 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR3MM60 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 660 mV @ 3 ए 100 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
2SK2731T146 Rohm Semiconductor 2SK2731T146 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SK2731 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक SMT3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 200ma (TA) 4V, 10V 2.8ohm @ 100ma, 10v 2.5V @ 1MA ± 20 वी 25 पीएफ @ 10 वी - 200MW (TA)
DTC143EUBTL Rohm Semiconductor DTC143EUBTL 0.2000
सराय
 ECAD 780 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -85 DTC143 200 सभा Umt3f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
PTZTE257.5B Rohm Semiconductor PTZTE257.5B 0.2014
सराय
 ECAD 9422 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE257.5 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 4 वी 7.9 वी 4 ओम
DTC643TKT146 Rohm Semiconductor DTC643TKT146 0.4300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC643 200 सभा SMT3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 20 वी ६०० सना हुआ 500NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 2.5mA, 50mA 820 @ 50MA, 5V १५० तंग ४.7
RD3R02BBHTL1 Rohm Semiconductor RD3R02BBHTL1 1.7900
सराय
 ECAD 2448 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RD3R02 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक TO-252 तंग 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 150 वी 20 ए (टीसी) 6v, 10v 81MOHM @ 10A, 10V 4V @ 1MA 12.4 ranak @ 10 वी ± 20 वी 730 पीएफ @ 75 वी - 50w (टीसी)
SCS205KGC17 Rohm Semiconductor SCS205KGC17 5.8100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-SCS205KGC17 Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 5 ए 0 एनएस 100 µA @ 1200 वी 175 ° C 5 ए 270pf @ 1V, 1MHz
RBR3LAM40BTR Rohm Semiconductor RBR3ALM40BTR 0.5300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr3alm40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 620 mV @ 3 ए 80 @a @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
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