SIC
close
छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक तमाम Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
2SB1181TLR Rohm Semiconductor 2SB1181TLR 0.9000
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SB1181 १० सन्निक Cpt3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0075 2,500 80 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 50mA, 500mA 120 @ 100ma, 3v 100MHz
2SC4102T106R Rohm Semiconductor 2SC4102T106R 0.4000
सराय
ECAD 19 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SC4102 200 सभा Umt3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 120 वी ५० सदा 500NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 180 @ 2ma, 6v 140MHz
RJ1P12BBDTLL Rohm Semiconductor RJ1P12BBDTLL 5.3200
सराय
ECAD 994 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RJ1P12 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक LPTL तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 100 वी 120 ए (टीसी) 6v, 10v 5.8MOHM @ 50A, 10V 4V @ 2.5MA 80 सीन @ 10 वी ± 20 वी 4170 पीएफ @ 50 वी - 178W (टीसी)
2SB1326TV2R Rohm Semiconductor 2SB1326TV2R -
सराय
ECAD 4720 0.00000000 रोटी - कट कट टेप (सीटी) शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 3-सिप 2SB1326 1 डब एटीवी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0075 2,500 20 वी 5 ए 500NA (ICBO) तमाम 1V @ 100ma, 4a 180 @ 500ma, 2V 120MHz
2SD2144STPU Rohm Semiconductor 2SD2144STPU -
सराय
ECAD 6017 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से SC-72 गठित लीड 2SD2144 ३०० तंग एसपीटी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 5,000 20 वी ५०० तंग 500NA (ICBO) एनपीएन 400MV @ 20MA, 500mA 820 @ 10MA, 3V 350MHz
DTA114EU3T106 Rohm Semiconductor DTA114EU3T106 0.2000
सराय
ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 DTA114 200 सभा Umt3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 100 सवार - पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V २५० तंग 10 कांपो 10 कांपो
2SAR522MT2L Rohm Semiconductor 2SAR522MT2L 0.3500
सराय
ECAD 539 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 2SAR522 १५० तंग Vmt3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 8,000 20 वी 200 एमए 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 1MA, 2V 350MHz
EMH25T2R Rohm Semiconductor EMH25T2R 0.4200
सराय
ECAD 345 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 EMH25 १५० तंग EMT6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 8,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V 250MHz 4.7KOHMS 47KOHMS
DTC144VUAT106 Rohm Semiconductor DTC144VUAT106 -
सराय
ECAD 4517 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-70, SOT-323 DTC144 200 सभा Umt3 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ३० सना हुआ 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5ma, 5v २५० तंग 47 10 कांपो
QSL9TR Rohm Semiconductor Qsl9tr 0.2360
सराय
ECAD 3701 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-5 पतली, TSOT-23-5 Qsl9 ५०० तंग TSMT5 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 12 वी 1.5 ए 100NA (ICBO) पीएनपी + ranak (पृथक) 200mv @ 25ma, 500ma 270 @ 200ma, 2v 400MHz
DTA143TUAT106 Rohm Semiconductor DTA143TUAT106 0.0536
सराय
ECAD 6960 0.00000000 रोटी DTA143T R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-70, SOT-323 DTA143 200 सभा Umt3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 100 @ 1MA, 5V २५० तंग ४.7
EMP11T2R Rohm Semiconductor Emp11t2r 0.4300
सराय
ECAD 69 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-563, SOT-666 EMP11 तमाम EMD6 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RGT8NS65DGC9 Rohm Semiconductor RGT8NS65DGC9 2.2100
सराय
ECAD 965 0.00000000 रोटी - नली शिर -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa RGT8NS65 तमाम ६५ दुर्विक To-262 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 50 400V, 4A, 50OHM, 15V 40 एनएस क्योरस कांवस 650 वी 8 ए 12 ए 2.1V @ 15V, 4 ए - 13.5 एनसी 17NS/69NS
BZX84C5V1LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C5V1LFHT116 0.1600
सराय
ECAD 241 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 2 वी 5.1 वी 60 ओम
KDZVTFTR3.3B Rohm Semiconductor Kdzvtftr3.3b 0.4700
सराय
ECAD 5 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, KDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F Kdzvtftr3.3 1 डब पेडु तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 80 @a @ 1 वी 3.5 वी
FDZT40RB6.8 Rohm Semiconductor FDZT40RB6.8 -
सराय
ECAD 5091 0.00000000 रोटी अस्तित्व R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur ०१००५ (०४०२ सटेर) 100 तंग Smd0402 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 40,000 500 NA @ 3.5 V 6.8 वी
QH8KA2TCR Rohm Semiconductor QH8KA2TCR 0.7600
सराय
ECAD 394 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड QH8KA2 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.1W (TA) Tsmt8 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 4.5 ए (टीए () 35MOHM @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1MA 8.4NC @ 10V 365pf @ 10v -
UFZVFHTE-1718B Rohm Semiconductor UFZVFHTE-1718B 0.3100
सराय
ECAD 749 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.64% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvfhte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ १३ वी 18 वी 23 ओम
RF2001NS2DTL Rohm Semiconductor RF2001NS2DTL 2.2800
सराय
ECAD 32 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RF2001 तमाम To-263ab तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 20 ए 930 mV @ 10 ए 30 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
YFZVFHTR5.6B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr5.6b 0.4300
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr5.6 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 2.5 V 5.59 वी 13 ओम
PDZVTFTR3.3B Rohm Semiconductor Pdzvtftr3.3b 0.4400
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtftr3.3 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 80 @a @ 1 वी 3.5 वी 15 ओम
DAN202FMFHT106 Rohm Semiconductor DAN202FMFHT106 0.4900
सराय
ECAD 630 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 DAN202 तमाम SOT-323 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 ° C
RB058L150DDTE25 Rohm Semiconductor RB058L150DDTE25 0.5900
सराय
ECAD 410 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RB058 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 850 mV @ 3 ए 3 µa @ 150 V 150 ° C 3 ए -
RB520CS-30T2R Rohm Semiconductor RB520CS-30T2R 0.1166
सराय
ECAD 8912 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur Sod-923 RB520 schottky VMN2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 450 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ १० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
DTA144TCAT116 Rohm Semiconductor DTA144TCAT116 0.3500
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA144 200 सभा Sst3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 100 @ 1MA, 5V २५० तंग 47
RV4E031RPHZGTCR1 Rohm Semiconductor RV4E031RPHZGTCR1 0.8300
सराय
ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) अफ़स 6-powerwfdfn Rv4e031 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक DFN1616-6W तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 846-RV4E031RPHZGTCR1TR Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 3.1 ए (टीए) 105MOHM @ 3.1A, 10V 2.5V @ 1MA 4.8 ranah @ 5 वी ± 20 वी 460 पीएफ @ 10 वी - 1.5W (TA)
PTZTFTE256.2B Rohm Semiconductor PTZTFTE256.2B 0.6100
सराय
ECAD 870 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 3 वी 6.6 वी 6 ओम
EDZ9HUTE613.9B Rohm Semiconductor Edz9hute613.9b -
सराय
ECAD 4255 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edz9hut 100 तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-EDZ9HUTE613.9BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
EDZFJTE618.2B Rohm Semiconductor Edzfjte618.2b -
सराय
ECAD 7866 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfjt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) 846-EDZFJTE618.2BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
BAS16HMT116 Rohm Semiconductor Bas16hmt116 0.3500
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas16 तमाम SSD3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 80 वी 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस ५०० सदाबहार २० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 215mA 2pf @ 0v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम