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अफ़र्याशियस (6960)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम Raurautum की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक तमाम Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
1SS400CSFHT2RA Rohm Semiconductor 1SS400CSFHT2RA 0.4000
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur Sod-923 1SS400 तमाम VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 3PF @ 500MV, 1MHz
RBR5RSM40BTL1 Rohm Semiconductor RBR5RSM40BTL1 1.0600
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 530 mV @ 5 ए 120 µA @ 40 वी 150 ° C 5 ए -
RB068MM-60TR Rohm Semiconductor RB068MM-60TR 0.5200
सराय
 ECAD 14 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB068 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 765 mV @ 2 ए 1.5 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RGW00TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGW00TK65GVC11 6.8800
सराय
 ECAD 6578 0.00000000 रोटी - नली शिर -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3PFM, SC-93-3 RGW00 तमाम 89 डब से 3PFM तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 450 400V, 50A, 10Ohm, 15V क्योरस कांवस 650 वी 45 ए 200 ए 1.9V @ 15V, 50 ए 1.18MJ (ON), 960) J (OFF) 141 एन.सी. 52NS/180NS
RB541VM-40FHTE-17 Rohm Semiconductor RB541VM-40FHTE-17 0.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB541 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 610 एमवी @ 100 एमए 100 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
PTZTE255.1B Rohm Semiconductor PTZTE255.1b 0.4400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE255.1 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µA @ 1 वी 5.4 वी 8 ओम
RB218NS-60FHTL Rohm Semiconductor RB218NS-60FHTL 1.6700
सराय
 ECAD 4426 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB218 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 20 ए 830 mV @ 10 ए 5 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
R6061YNZ4C13 Rohm Semiconductor R6061YNZ4C13 11.1300
सराय
 ECAD 2333 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 R6061 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग 1 (असीमित) 846-R6061YNZ4C13 30 n- चैनल 600 वी 61 ए (टीसी) 10V, 12V 60mohm @ 13a, 12v 6V @ 3.5ma 76 सना ± 30V 3700 पीएफ @ 100 वी - 568W (टीसी)
VDZT2R2.2B Rohm Semiconductor Vdzt2r2.2b -
सराय
 ECAD 9692 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur एसओटी -723 Vdzt2 100 तंग VMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 2.2 वी
RBR2LAM60BTR Rohm Semiconductor RBR2LAM60BTR 0.4800
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RBR2LAMB60 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 520 mV @ 2 ए 150 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RB168MM150TFTR Rohm Semiconductor RB168MM150TFTR 0.4800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB168 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 840 mV @ 1 ए 4 µa @ 150 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RUU002N05T106 Rohm Semiconductor Ruu002N05T106 0.3400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 Ruu002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Umt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 50 वी 200ma (TA) 1.2V, 4.5V 2.2OHM @ 200mA, 4.5V 1V @ 1MA ± 8V 25 पीएफ @ 10 वी - 200MW (TA)
R5016ANJTL Rohm Semiconductor R5016ANJTL 2.9591
सराय
 ECAD 9089 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB R5016 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक LPTS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 500 वी 16 ए (टीए) 10V 270MOHM @ 8A, 10V 4.5V @ 1MA ५० सदाबहार @ १० ± 30V 1800 पीएफ @ 25 वी - 100W (टीसी)
RF4E060AJTCR Rohm Semiconductor RF4E060AJTCR 0.6300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव RF4E060 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Huml2020l8 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 6 ए (टीए) 2.5V, 4.5V 37MOHM @ 6A, 4.5V 1.5V @ 1MA 4 एनसी @ 4.5 वी ± 12V 450 पीएफ @ 15 वी - 2W (TA)
RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor Ru1c002zptcl 0.2900
सराय
 ECAD 67 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एससी -85 Ru1c002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Umt3f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 20 वी 200ma (TA) 1.2V, 4.5V 1.2OHM @ 200mA, 4.5V 1V @ 100 ।a 1.4 सना ± 10V 115 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
EDZ9HUTE616.8B Rohm Semiconductor Edz9hute616.8b -
सराय
 ECAD 8854 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edz9hut 100 तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZ9HUTE616.8BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
DAP202KT146 Rohm Semiconductor DAP202KT146 0.4100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DAP202 तमाम Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SCS304AMC Rohm Semiconductor SCS304AMC 2.8800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 SCS304 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220fm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.5 वी @ 4 ए 0 एनएस 20 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 4 ए 200pf @ 1V, 1MHz
RRU1LAM4STR Rohm Semiconductor Rru1lam4str 0.4300
सराय
 ECAD 81 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -128 Rru1lam44 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 800 एमए 400 एनएस 10 µA @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
EMZ8T2R Rohm Semiconductor EMZ8T2R 0.1383
सराय
 ECAD 9251 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 EMZ8T2 १५० तंग EMT6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 8,000 50v, 12V 150ma, 500ma 100NA (ICBO) एनपीएन, पीएनपी 400MV @ 5MA, 50MA / 250MV @ 10MA, 200MA 120 @ 1MA, 6V / 270 @ 10MA, 2V 180MHz, 260MHz
RGS80TSX2GC11 Rohm Semiconductor RGS80TSX2GC11 10.6500
सराय
 ECAD 21 0.00000000 रोटी - नली शिर -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 RGS80 तमाम 555 डब To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RGS80TSX2GC11 Ear99 8541.29.0095 30 600V, 40A, 10Ohm, 15V क्योरस कांवस 1200 वी 80 ए 120 ए 2.1V @ 15V, 40a 3MJ (ON), 3.1MJ (OFF) 104 एन.सी. 49NS/199NS
RB520ZS-308EPT2R Rohm Semiconductor RB520ZS-308EPT2R -
सराय
 ECAD 9036 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) RB520 schottky GMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB520ZS-308EPT2RTR Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 460 एमवी @ 10 एमए 300 पायल @ 10 वी 150 ° C 100ma -
BZX84B16VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B16VLFHT116 0.2700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 1.88% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 11 वी 16 वी 40 ओम
R6504ENJTL Rohm Semiconductor R6504ENJTL 2.3800
सराय
 ECAD 92 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Rair 6504 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक LPTS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 650 वी 4 ए (टीसी) 10V 1.05OHM @ 1.5A, 10V 4V @ 130µA 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 220 पीएफ @ 25 वी - 58W (टीसी)
SCT3080KLHRC11 Rohm Semiconductor SCT3080KLHRC11 26.6700
सराय
 ECAD 878 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 SCT3080 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 1200 वी 31 ए (टीसी) 18V 104mohm @ 10a, 18v 5.6V @ 5ma 60 सना +22v, -4v 785 पीएफ @ 800 वी - 165W
TDZTR22 Rohm Semiconductor Tdztr22 0.1088
सराय
 ECAD 6622 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdztr22 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 16 वी 22 वी
RB160MM-30TR Rohm Semiconductor RB160MM-30TR 0.4300
सराय
 ECAD 21 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB160 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 50 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB060L-40DDTE25 Rohm Semiconductor RB060L-40DDTE25 0.6700
सराय
 ECAD 12 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB060 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 एमवी @ 2 ए 1 पायल @ 40 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
SCS240AE2GC11 Rohm Semiconductor SCS240AE2GC11 13.1600
सराय
 ECAD 8029 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS240 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-SCS240AE2GC11 Ear99 8541.10.0080 450 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 20 ए (डीसी) 1.55 वी @ 20 ए 0 एनएस 400 µA @ 600 V 175 ° C
EDZVT2R3.9B Rohm Semiconductor Edzvt2r3.9b 0.2800
सराय
 ECAD 15 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 5 µA @ 1 वी 3.9 वी 100 ओम
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