SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
DTC124TUAT106 Rohm Semiconductor DTC124TUAT106 0.0463
सराय
ECAD 7800 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 DTC124 200 सभा Umt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 5ma 100 @ 1MA, 5V २५० तंग २२ सिपाही
RBR3MM60BTFTR Rohm Semiconductor RBR3MM60BTFTR 0.5000
सराय
ECAD 11 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR3MM60 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 610 mV @ 3 ए 120 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
2SB1326TV2Q Rohm Semiconductor 2SB1326TV2Q -
सराय
ECAD 8352 0.00000000 रोटी - कट कट टेप (सीटी) शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 3-सिप 2SB1326 1 डब एटीवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0075 2,500 20 वी 5 ए 500NA (ICBO) तमाम 1V @ 100ma, 4a 120 @ 500mA, 2V 120MHz
RFUH20NS6STL Rohm Semiconductor RFUH20NS6STL 1.7500
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RFUH20 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 20 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 20 ए -
2SD1759TL Rohm Semiconductor 2SD1759TL 0.5175
सराय
ECAD 5332 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 2SD1759 1 डब Cpt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0075 2,500 40 वी 2 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 1.5V @ 1.2MA, 600mA 1000 @ 500mA, 3V 150MHz
RB058LAM-40TR Rohm Semiconductor RB058LAM-40TR 0.5300
सराय
ECAD 33 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB058 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 690 mV @ 3 ए 5 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RB160LAM-40TFTR Rohm Semiconductor RB160LAME-40TFTR 0.5100
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB160 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB160M-50TR Rohm Semiconductor RB160M-50TR 0.2107
सराय
ECAD 7134 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - - RB160 schottky - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 360 mV @ 1 ए 1.5 सना हुआ @ 30 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क 170pf @ 1V, 1MHz
SP8M21FRATB Rohm Semiconductor SP8M21FRATB 1.6000
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) SP8M21 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक २ तंग 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 एन rur पी-चैनल 45V 6 ए (टीए), 4 ए (टीए) 25MOHM @ 6A, 10V, 46MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 1MA 21.6NC @ 5V, 28NC @ 5V 1400pf @ 10v, 2400pf @ 10V -
RB085B-30GTL Rohm Semiconductor RB085B-30GTL -
सराय
ECAD 9444 0.00000000 रोटी * R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 3,000
RR1LAM4STR Rohm Semiconductor Rr1lam4str 0.4700
सराय
ECAD 135 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -128 Rr1lam44 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 10 µA @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
BZX84C2V7LT116 Rohm Semiconductor BZX84C2V7LT116 0.2300
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 7.41% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 2.7 वी 100 ओम
RB085T-60 Rohm Semiconductor RB085T-60 -
सराय
ECAD 2224 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB085 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम RB085T60 Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 5 ए 580 mV @ 5 ए 300 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB480KTL Rohm Semiconductor RB480KTL 0.4500
सराय
ECAD 760 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-82A, SOT-343 RB480 schottky UMD4 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 40 वी 100ma 600 एमवी @ 100 एमए 5 µa @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB050LAM-60TR Rohm Semiconductor RB050MAL-60TR 0.4800
सराय
ECAD 11 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB050 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 560 mV @ 3 ए 100 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RF201L2STE25 Rohm Semiconductor RF201L2STE25 0.1769
सराय
ECAD 8092 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RF201 तमाम तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 870 mV @ 2 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
DTA115TUAT106 Rohm Semiconductor DTA115TUAT106 0.0463
सराय
ECAD 9973 0.00000000 रोटी DTA115T R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 DTA115 200 सभा Umt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100 सवार 500NA (ICBO) पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 100µA, 1MA 100 @ 1MA, 5V २५० तंग 100 कांप
RSX201LAM30TFTR Rohm Semiconductor Rsx201llam330tftr 0.5100
सराय
ECAD 148 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rsx201 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 150 µA @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
DTA143EUBTL Rohm Semiconductor Dta143eubtl 0.2000
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur एससी -85 DTA143 200 सभा Umt3f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
TDZVTR5.6 Rohm Semiconductor Tdzvtr5.6 0.5000
सराय
ECAD 9 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 8.93% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdzvtr5.6 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 2.5 V 5.6 वी
RB080LAM-30TFTR Rohm Semiconductor RB080LAME-30TFTR 0.6600
सराय
ECAD 220 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB080 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 150 µA @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RB861Y9HKT2R Rohm Semiconductor RB861Y9HKT2R -
सराय
ECAD 4790 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 schottky EMD4 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB861Y9HKT2RTR शिर 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 5 वी 10ma (डीसी) 290 mV @ 1 सना हुआ 30 µA @ 1 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB228NS-40FHTL Rohm Semiconductor RB228NS-40FHTL 2.0600
सराय
ECAD 969 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RB228 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 30 ए 770 mV @ 15 ए 10 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RHU003N03T106 Rohm Semiconductor Rhu003N03T106 0.0964
सराय
ECAD 8166 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - सतह rurcur SC-70, SOT-323 Rhu003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Umt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 300ma (TA) 4V, 10V 1.2OHM @ 300MA, 10V - ± 20 वी 20 पीएफ @ 10 वी - 200MW (TA)
RFN3BM6SFHTL Rohm Semiconductor RFN3BM6SFHTL 0.8700
सराय
ECAD 9112 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfn3b तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 3 ए 30 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
TDZTR7.5 Rohm Semiconductor Tdztr7.5 0.3800
सराय
ECAD 69 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdztr7.5 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 4.5 V 7.5 वी
RBR30T40ANZC9 Rohm Semiconductor RBR30T40ANZC9 0.7694
सराय
ECAD 7729 0.00000000 रोटी - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RBR30 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 15 ए 620 mV @ 15 ए 360 µA @ 40 वी 150 ° C
RF01VM2SFHTE-17 Rohm Semiconductor RF01VM2SFHTE-17 0.3500
सराय
ECAD 32 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RF01VM2 तमाम UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 250 वी 1.2 वी @ 100 एमए 50 एनएस 10 µa @ 250 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
RF081M2STR Rohm Semiconductor RF081M2STR 0.0853
सराय
ECAD 8191 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -123 RF081 तमाम पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 एमवी @ 800 एमए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 800ma -
DA204KT146 Rohm Semiconductor DA204KT146 0.4000
सराय
ECAD 4466 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DA204 तमाम Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 20 वी 100ma 1 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 15 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम