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अफ़र्याशियस (6960)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक तमाम Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
RBQ10BM100AFHTL Rohm Semiconductor RBQ10BM100AFHTL 1.5700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBQ10 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 770 mV @ 5 ए 80 @a @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RQ5P010SNTL Rohm Semiconductor RQ5P010SNTL 0.6600
सराय
 ECAD 13 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एससी -96 Rq5p010 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Tsmt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 100 वी 1 ए (टीए) 4V, 10V 520MOHM @ 1A, 10V 2.5V @ 1MA ३.५ सना @ ५ वी ± 20 वी 140 पीएफ @ 25 वी - 700MW (TA)
SCS220AE2C Rohm Semiconductor SCS220AE2C -
सराय
 ECAD 2555 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS220 Sic (सिलिकॉन antairchama) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 360 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 10 ए (डीसी) 1.55 वी @ 10 ए 0 एनएस 200 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RUM003N02T2L Rohm Semiconductor RUM003N02T2L 0.4000
सराय
 ECAD 162 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 RUM003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vmt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 20 वी 300ma (TA) 1.8V, 4V 1OHM @ 300mA, 4V 1V @ 1MA ± 8V 25 पीएफ @ 10 वी - 150MW (TA)
PDZVTR30A Rohm Semiconductor PDZVTR30A 0.1275
सराय
 ECAD 8565 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.67% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtr30 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 23 वी 30 वी 18 ओम
RB160A40T-31 Rohm Semiconductor RB160A40T-31 -
सराय
 ECAD 9207 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से AXIAL RB160 schottky - - Rohs3 आजthabaira तमाम 846-RB160A40T-31TR 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 510 mV @ 1 ए 30 µA @ 40 वी 150 ° C 1 क -
RGTV80TK65GVC11 Rohm Semiconductor RGTV80TK65GVC11 6.3700
सराय
 ECAD 450 0.00000000 रोटी - नली शिर -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3PFM, SC-93-3 तमाम 85 डब से 3PFM तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 450 400V, 40A, 10Ohm, 15V क्योरस कांवस 650 वी 39 ए 160 ए 1.9V @ 15V, 40a 1.02MJ (ON), 710) J (OFF) 81 एन.सी. 39NS/113NS
MTZJT-726.2B Rohm Semiconductor MTZJT-726.2B -
सराय
 ECAD 4228 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJT-72 ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt726.2b Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 3 वी 6.2 वी 30 ओम
TDZVTR27 Rohm Semiconductor TDZVTR27 0.3800
सराय
 ECAD 3749 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड TDZVTR27 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 19 वी 27 वी
RQ7E110AJTCR Rohm Semiconductor RQ7E110AJTCR 0.9700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड RQ7E110 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Tsmt8 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 11 ए (टीसी) 4.5V 9mohm @ 4.5a, 11v 1.5V @ 10MA २२ सदा ± 12V 2410 पीएफ @ 15 वी - 1.5W (टीसी टीसी)
RB068L-60TE25 Rohm Semiconductor RB068L-60TE25 0.2224
सराय
 ECAD 2813 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB068 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 680 mV @ 2 ए 2 @a @ 60 वी 150 ° C 2 ए -
RHU003N03FRAT106 Rohm Semiconductor Rhu003n03frat106 0.0630
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 Rhu003 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Umt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 300ma (TA) 4V, 10V 1.2OHM @ 300MA, 10V 2.5V @ 1MA ± 20 वी 20 पीएफ @ 10 वी - 200MW
2SC4102U3HZGT106S Rohm Semiconductor 2SC4102U3HZGT106S 0.4200
सराय
 ECAD 6457 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SC4102 200 सभा Umt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 120 वी ५० सदा 500NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 270 @ 2MA, 6V 140MHz
R6011KND3TL1 Rohm Semiconductor R6011KND3TL1 3.0400
सराय
 ECAD 8143 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 R6011 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 11 ए (टीसी) 10V 390MOHM @ 3.8A, 10V 5V @ 1MA २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 740 पीएफ @ 25 वी - 124W (टीसी)
RB168MM200TFTR Rohm Semiconductor RB168MM200TFTR 0.6100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RB168 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 890 mV @ 1 ए 850 पायल @ 200 वी 175 ° C 1 क -
RB168VWM150TFTR Rohm Semiconductor RB168VWM150TFTR 0.5600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB168 schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 890 mV @ 1 ए 1 µa @ 150 V 175 ° C 1 क -
RBE1VAM20ATR Rohm Semiconductor RBE1VAM20ATR 0.4200
सराय
 ECAD 17 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rbe1vam20 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 530 mV @ 1 ए 200 @a @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RF505TF6S Rohm Semiconductor RF505TF6S 1.5600
सराय
 ECAD 942 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब RF505 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RSX058BM2SFHTL Rohm Semiconductor Rsx058bm2sfhtl 1.4300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 schottky TO-252 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 870 mV @ 3 ए 200 सवार @ 200 वी 175 ° C 3 ए -
RSX058BGE2STL Rohm Semiconductor RSX058BGE2STL 1.1800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 schottky TO-252GE तंग 1 (असीमित) 846-RSX058BGE2STLTR Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 870 mV @ 3 ए 200 सवार @ 200 वी 175 ° C 3 ए -
RBLQ20NL10SFHTL Rohm Semiconductor RBLQ20NL10SFHTL 2.5800
सराय
 ECAD 9305 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBLQ20 schottky To-263l - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 860 mV @ 20 ए 80 @a @ 100 वी 150 ° C 20 ए -
RB501VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB501VM-40TE-17 0.3100
सराय
 ECAD 46 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB501 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 550 एमवी @ 100 एमए 30 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 6pf @ 10v, 1MHz
R6046FNZC8 Rohm Semiconductor R6046FNZC8 -
सराय
 ECAD 8207 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3p-3 rurcuth पैक R6046 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक से 3PF तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 360 n- चैनल 600 वी 46 ए (टीए) 10V 93MOHM @ 23A, 10V 5V @ 1MA 150 सना ± 30V 6100 पीएफ @ 25 वी - 120W (टीसी)
RBLQ20BM10FHTL Rohm Semiconductor RBLQ20BM10FHTL 1.6400
सराय
 ECAD 9442 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBLQ20 schottky TO-252 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 860 mV @ 20 ए 80 @a @ 100 वी 150 ° C 20 ए -
2SA2071P5T100 Rohm Semiconductor 2SA2071P5T100 0.2541
सराय
 ECAD 3005 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa 2SA2071 ५०० तंग Mpt3 तंग Rohs3 आजthabaira 846-2SA2071P5T100TR Ear99 8541.21.0095 1,000 60 वी 3 ए 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 180 @ 2ma, 6v
RZF030P01TL Rohm Semiconductor RZF030P01TL 0.6600
सराय
 ECAD 47 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, RZF030 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Tumt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 12 वी 3 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 39MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA 18 सना ± 10V 1860 पीएफ @ 6 वी - 800MW (TA)
RBS2MM40CTR Rohm Semiconductor RBS2MM40CTR 0.4300
सराय
 ECAD 33 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBS2LAMB40 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 370 mV @ 2 ए 800 µA @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
PTZTFTE2510B Rohm Semiconductor PTZTFTE2510B 0.6100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.66% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 7 V 10.6 वी 6 ओम
R6000ENHTB1 Rohm Semiconductor R6000ENHTB1 0.9000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) R आir 6000 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 500ma (TA) 10V 8.8ohm @ 200ma, 10v 5V @ 1MA ४.३ सना ± 20 वी 45 पीएफ @ 25 वी - 2W (TA)
RB078BGE30STL Rohm Semiconductor RB078BGE30STL 2.0200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB078 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB078BGE30STLTR Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 720 mV @ 5 ए 5 µa @ 30 V 150 ° C 5 ए -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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AD9208BBPZ-3000

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